Порядок выполнения работы. 1. Соберите схему и внимательно изучите ее работу

1. Соберите схему и внимательно изучите ее работу. Получите разрешение преподавателя и приступайте к выполнению работы.

2. Включите нагреватель и доведите температуру образца до 60˚С – 70˚С. Затем выключите его и дождитесь, пока температура начнет снижаться. Измерения следует проводить при остывании, т.к. нагрев происходит слишком быстро и образец не успевает прийти в состояние термодинамического равновесия.

3. Проведите 8 – 10 измерений сопротивления образца при различных температурах через 1˚С – 4˚С в зависимости от скорости остывания. Желательно, чтобы в одной серии измерений интервал был постоянным. Занесите результаты измерений в таблицу 1.

4. Проведите вычисления и заполните таблицу 1.

5. Постройте график зависимости , выбрав масштаб таким образом, чтобы максимально использовать площадь графика.

6. Вычислите угловой коэффициент прямой по формуле (8), а затем определите ширину запрещенной зоны DW, пользуясь формулой (7).

7. Переведите величину DW из джоулей в электронвольты.

8. Сделайте выводы относительно характера температурной зависимости сопротивления полупроводника. Какому виду проводимости (собственному или примесному) она соответствует?

9. Ответьте на контрольные вопросы.

Контрольные вопросы

1. Чем обусловлено электрическое сопротивление в кристаллах?

2. Запишите формулу, связывающую удельную проводимость кристалла с характеристиками свободных носителей заряда.

3. Как зависит сопротивление металлов от температуры? Объясните, почему.

4. Как зависит сопротивление полупроводников от температуры? Объясните, почему.

5. Чем отличаются зонные модели металлов и полупроводников?

6. Опишите механизм образования свободных носителей заряда в собственных полупроводниках.

7. Опишите механизм образования свободных носителей заряда в донорных и акцепторных полупроводниках, используя их зонные модели.

8. Запишите формулу, выражающую зависимость сопротивления полупроводника от температуры. Какие величины в нее входят?

9. Как, пользуясь этой формулой, определить энергию активации полупроводника?

Дата добавления: 2015-06-28