Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

ВАХ идеализированного р-n перехода




ВАХ р-n перехода

 

Односторонняя проводимость p-n перехода наглядно иллюстрируется его ВАХ, показывающей зависимость тока через p-n переход от величины и поляр­ности приложенного напряжения.

 

Допущения:

- сопротивление частей кристалла примыкающих к переходу = 0;

- генерация и рекомбинация в области p-n перехода основных носителей отсутствует;

- ширина перехода имеет очень малую величину.

 

Можно показать что концентрации избыточных носителей Dnp в р - области и Dpn в n - области

 

D np = npo(eU/fT -1)

 

D pn = pno(eU/fT -1) (5.12)

 

U – напряжение приложенное к переходу.

f T - тепловой потенциал.

Ток через переход состоит из электронной и дырочной компонент

 

In = qSDnDnp/Ln

 

Ip = qSDpDpn/Lp (5.13)

 

S –площадь перехода

Lp и Ln – диффузионные длины дырок в n области и электронов в p области;

Dn и Dp – коэффициенты диффузии.

 

Подставляя в (5.13) выражения (5.12) получим аналитическое выражение ВАХ идеализированного диода:

 

I = In+ Ip= Io(eU/fT -1) (5.14)

 

где Iо [мкА] - обратный ток насыщения p-n перехода,

 

Io= f(q, S, Dn, Dp) (5.15)

 

определяемый физиче­скими свойствами полупроводникового материала и называется тепловым обратным током;

 

 

Рис. 5.3 ВАХ p-n перехода

 

При комнатной температуре (Т = 300 К) fT =0,026В и из 5.14:

 

I = Io(e40U -1) (5.16)

 




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-01-03; Просмотров: 608; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.007 сек.