Библиографический список. Тема 7. Структурные схемы ИВЭП

Тема 7. Структурные схемы ИВЭП. Источники и системы бесперебойного питания

Структурные схемы систем электропитания радиоаппаратуры приведены в /3/.

Структурные схемы источников вторичного электропитания (ИВЭП), использующих энергию от сети электроснабжения. Структурные схемы источников вторичного электропитания, использующих энергию автономного источника. Эти схемы описаны в /1,2,3/.

Принципы миниатюризации источников вторичного электропитания радиоэлектронной аппаратуры следует изучать по /3/. Надежность и резервирование вторичного электропитания рассмотрены в /2/.

Источники бесперебойного питания (ИБП) описаны в /3/.

Основные тенденции и направления дальнейшего развития источников вторичного электропитания можно найти в /3/.

Проверкой готовности к выполнению лабораторной работы №10 «Автоматизированное проектирование импульсных источников электропитания» являются выполненное домашнее задание и результаты тестирования по этой теме.

Домашнее задание к лабораторной работе №10 «Автоматизированное проектирование импульсных источников электропитания»

Изучите методику автоматизированного проектирования импульсных источников питания по /4/, ознакомьтесь с терминами и их переводом на английский язык.

Сравните потенциальные возможности программ «VIPer switch mode power supply» и «PI Expert». Допуском к лабораторной работе является компьютерное тестирование.

Заключение

Методические указания по самостоятельной работе организуют самостоятельную работу студента и направлены на приобретение частных компетенций и свойств личности. В таблице приведена матрица связи этих компетенций с темами и разделами лекционного курса, лабораторных работ и видов самостоятельной работы.

Таблица

Частные компетенции и свойства личности	№ темы лекционного курса	№ раздела теоретического курса	Лабораторные работы	Вид самостоятельной работы
ИК-4, ИК-1, ПК-2, ПК-4				Изучение теоретического курса, выполнение домашнего задания
ИК-4, СЛК-1, ПК-1,ПК-7, ИК-3		2.1	2,3	Изучение теоретического курса, выполнение расчетного домашнего задания
ИК-4, СЛК-1, ПК-1,ПК-7, ИК-3		2.2		Изучение теоретического курса, выполнение расчетного домашнего задания
ИК-4, СЛК-1, ПК-1,ПК-7		2.3		Изучение теоретического курса, выполнение расчетного домашнего задания
ИК-4, СЛК-1, ПК-1,ПК-7,ИК-3		2.4	6,7	Изучение теоретического курса, выполнение расчетного домашнего задания
ИК-4, СЛК-1, ПК-1,ПК-7,ИК-3		2.5	8,9	Изучение теоретического курса, выполнение расчетного домашнего задания
ИК-4, СЛК-1, ПК-1,ПК-7		2.6		Изучение теоретического курса, тестовый контроль

1. Иванов-Цыганов, А.И. Электропреобразовательные устройства РЭС/А.И. Иванов-Цыганов. М.: Высш.шк., 1991. С.162-165, 178-183

2. Электропитающие устройства связи. /Под ред. В.Е. Китаева. М.: Радио и связь, 1988. С. 180-195.

3. Электропреобразовательные устройства РЭС. Курс лекций для студентов в направления 210200.62 «Радиотехника» /Н.Н. Лисовская. Красноярск: Сибирский федеральный университет, 2008.­­­­­­–…С.

4. Электропреобразовательные устройства РЭС. Учебное пособие по лабораторным работам для студентов в направления 210200.62 «Радиотехника» /Н.Н. Лисовская. Красноярск: Сибирский федеральный университет, 2008.­­­­­­–…С.

5. Прянишников, В.А. Электроника: Курс лекций/В.А. Прянишников. СПб.: Корона принт, 2000.

ПРИЛОЖЕНИЕ 1

Унифицированные дроссели.

Таблица П1.1

Дроссели на рабочие частоты до 5 кГц.

Дроссель	Индуктив-ность при номиналь-ном токе Lобм, Гн	Номиналь-ный ток подмагни-чивания Iп, А	Сопротив-ление обмоток дросселя Rобм, Ом	Дроссель	Индуктив-ность при номиналь-ном токе Lобм, Гн	Номиналь-ный ток подмагни-чивания Iп, А	Сопротив-ление обмоток дросселя Rобм, Ом
Д201	0,0003	1,6	0,034	Д202	0,0006	1,1	0,058
Д203	0,005	0,4	0,65	Д204	0,01	0,28	1,58
Д205	0,08	0,1	12,4	Д206	0,15	0,07	23,2
Д207	0,0003	2,2	0,046	Д208	0,0006	1,6	0,08
Д209	0,005	0,56	1,09	Д210	0,01	0,4	1,68
Д211	0,08	0,14	13,5	Д212	0,1	0,1	24,8
Д213	0,0003	3,2	0,0312	Д214	0,0006	2,2	0,07
Д215	0,005	0,8	0,76	Д216	0,01	0,56	1,4
Д217	0,08	0,2	12,86	Д218	0,15	0,14	26,8
Д219	1,2	0,05		Д220	0,0003	4,5	0,0264
Д221	0,0006	3,2	0,055	Д222	0,005	1,1	0,536
Д223	0,1	0,8	1,1	Д224	0,08	0,28	4,2
Д225	0,16	0,2	17,6	Д226	1,2	0,07
Д227	2,5	0,05		Д228	0,0003	6,3	0,018
Д229	0,0006	4,5	0,04	Д230	0,005	1,6	0,348
Д231	0,01	1,1	0,576	Д232	0,08	0,4	6,08
Д233	0,15	0,28	11,8	Д234	1,2	0,1	84,6
Д235	2,4	0,07		Д236	0,0003		0,0126
Д237	0,0006	6,3	0,022	Д238	0,005	2,2	0,274
Д239	0,01	1,6	0,406	Д240	0,08	0,56	3,92
Д241	0,15	0,4	8,5	Д242	1,2	0,14	66,4
Д243	2,5	0,1		Д244	0,0003	12,5	0,0132
Д245	0,0006		0,0274	Д246	0,005	3,2	0,23
Д247	0,009	2,2	0,264	Д248	0,08	0,8	2,6
Д249	0,15	0,56	5,14	Д250	1,2	0,2	51,6
Д251	2,5	2,5	0,14	Д252	0,0003		0,00584

Окончание таблицы П1.1

Дроссель	Индуктив-ность при номиналь-ном токе Lобм, Гн	Номиналь-ный ток подмагни-чивания Iп, А	Сопротив-ление обмоток дросселя Rобм, Ом	Дроссель	Индуктив-ность при номиналь-ном токе Lобм, Гн	Номиналь-ный ток подмагни-чивания Iп, А	Сопротив-ление обмоток дросселя Rобм, Ом
Д253	0,0006	12,5	0,0124	Д254	0,005	4,5	0,11
Д255	0,01	3,2	0,218	Д256	0,08	1,1	1,58
Д257	0,15	0,8	3,64	Д258	1,2	0,28	29,2
Д259	0,0006	0,2		Д260	0,0003		0,0038
Д261	0,01		0,0086	Д262	0,005	6,3	0,08
Д263	0,15	4,3	0,154	Д264	0,08	1,6	1,2
Д265	0,15	1,1	2,5	Д266	1,2	0,4	22,6
Д267	2,4	0,28	40,2	Д268	0,0006		0,0048
Д269	0,0012		0,0104	Д270	0,01	6,3	0,0744
Д271	0,02	4,5	0,162	Д272	0,15	1,6	1,46
Д273	0,3	1,1	3,04	Д274	2,4	0,4	21,2

Примечание: 1. Дроссели Д201 - Д274 имеют две обмотки, но приведены данные дросселей при использовании одной обмотки. При использовании двух обмоток, соединенных последовательно, индуктивность дросселя и сопротивление обмоток следует удвоить. При параллельном соединении обмоток дроссели могут использоваться на токи в 2 раза больше указанных в таблице П1.1 (в этом случае L =0.5 L _обм, R =0,5 R _обм).

2. Данные дросселей Д304 -Д374 на рабочие частоты до 50 кГц совпадают с данными, приведенными в таблице П1.1 для дросселей Д201 - Д274.

Таблица П1.2

Дроссели на рабочие частоты до 100 кГц

Дроссель	Рабочая частота, кГц	Индуктивность при номинальном токе Lобм, Гн	Номинальный ток подмагничивания Iп, А	Допустимое значение переменной составляющей напряжения (действующее значение) Uобм, В	Сопротивление обмоток дросселя Rобм, Ом
Д17-1	10^2	0,02			0,015
Д17-2	10^2		6,3		0,3
Д18-2В	10^3	0,025	0,1		0,25
Д18-4В	10^3	0,0315	0,5		0,085
Д18-5В	10^3	0,02			0,03

Примечание. Дроссели имеют две идентичные обмотки, но приведены данные дросселей при использовании одной обмотки.

ПРИЛОЖЕНИЕ 2

Полупроводниковые приборы.

Таблица П2.1

Параметры диодов.

Тип диода или сборки	Iпрmax (Iпр,u max), A	Iобрmax, мкА	Uобр max, В	Uпрmax, В	tв, мкс
2Д212А	1(50)				0,3
2Д213А	10(100)				0,3
2Д220А	3(60)			1,2	0,5
2Д231А	10(150)				0,05
2Д237А	1(3)			1,3	0,05
2Д239А	20(80)			1,4	0,05
2Д245А	10(100)			1,4	0,07
2Д251А	10(150)				0,05
2Д2990А	20(66)			1,4	0,15
2Д2995А	25(75)			1,1	0,05

Таблица П2.2

Параметры мощных биполярных транзисторов.

Тип транзистора	Электрические параметры	Предельные эксплуатационные данные
fГ, МГц не менее	h21Э	UКН,В не более	tвкл, мкс	tвыкл, мкс	IКо, mA	IКmax (IКumax),A	UКЭmax, B	UЭБmax, B	PКmax, Вт
n-p-n
2Т506А		30…150	0,6	0,25			2(5)
КТ809А		15…10	1,5	0,3	3,3		3(5)
КТ840А		10…100		0,2	4,1		6(8)
КТ908А		8…60	1,5	0,3	2,9
2Т803А		18…80	2,5	0,3	0,4
2Т831А		25…200	0,6	0,8		0,1	2(4)
2Т841А		12…45	1,5	0,1	1,7		10(15)
2Т861А		40…160	0,35	0,1		0,1	2(4)
2Т862А		10…100		0,4	1,25		15(30)
2Т866А		15…100	1,5	0,05	0,45		20(20)
2Т867А		12…100	1,2	0,8	1,7		25(40)
2Т874А		15…50		0,6	0,7		30(50)
2Т875Г		40…160	0,5	0,12	0,4		10(15)
2Т878А		12…50	1,5	0,4	2,5
2Т879А		>20	1,8	0,35	1,2		50(75)
2Т881А	>30	80…250	0,35	0,08	0,6	0.2	2(4)		4,5
2Т885Б		>12	2,5	0,5			40(60)
2Т891А		>20		0,3			40(60)
p-n-p
1Т905А		35…100	0,5	0,2	4,3		3(7)
2Т830А		25…55	0,6	0,8		0,1	2(4)
2Т836А			0,6	0,6	1,6	0,1	3(4)
2Т842А			1,8	0,2	1,5		5(8)
2Т876А		80…250	0,5	0,25			10(15)
2Т883А			1,8	0,4	5,7	0,1	1(2)
ГТ906А		30…150	0,5						1,4
2Т880А		80…250	0,35	0,08	0,6	0,2	2(4)		4,5
2Т836А-С		20…50	0,45	0,4			3(4)

Таблица П2.3

Параметры интегральных микросхем стабилизаторов напряжения

Тип микросхемы	Uвх, B (min…max)	Uвых, B (min…max)	Ku, %/B Не более	Ki, %/A Не более	Kcг, д Б На 1кГц Не более	,%/^оС, не более	Iвыхmax A	Ppacc,Вт ^без тепло отв./ с тепл отв.	Iп, мА	Uпд, B. Не более	Схема включения (номер рисунка)
К142ЕН1А	9…20	3…12	0,5	0,5	-	0,01	0,15	0,7/0,8			6.5, 6.7
К142ЕН1Б	9…20	3…12	0,2	0,2	-	0,01	0,15	0,7/0,8			- // -
К142ЕН1В	9…20	3…12	0,8	2,0	-	0,05	0,15	0,7/0,8			- // -
К142ЕН1Г	9…20	3…12	0,8	1,0	-	0,05	0,15	0,7/0,8			- // -
К142ЕН2А	20…40	12…30	0,5	0,5	-	0,01	0,15	0,7/0,8			- // -
К142ЕН2Б	20…40	12…30	0,2	0,2	-	0,01	0,15	0,7/0,8			- // -
К142ЕН2В	20…40	12…30	0,8	2,0	-	0,05	0,15	0,7/0,8			- // -
К142ЕН2Г	20…40	12…30	0,8	1,0	-	0,05	0,15	0,7/0,8			- // -
К142ЕН3	9…45	3…30	0,05	0,25	-	0,01		1,4/4			6.8
К142ЕН4	9…45	3…30	0,05	0,25	-	0,01		1,4/4			- // -
К142ЕН5А	7,5…15	4,9…5,1	0,05			0,02		1,2/10		2,5	- // -
К142ЕН5Б	8,5…15	5,88…6,12	0,05			0,02		1,2/10		2,5	6.1, 6.3 (+Вход-17, Выход -2, общий-8)
К142ЕН5В	7,5…15	4,9…5,1	0,05			0,02		1,2/10		2,5	- // -
К142ЕН5Г	8,5…15	5,88…6,12	0,05			0,02		1,2/10		2,5	- // -
КР142ЕН5А	7,5…15	4,9…5,1	0,05			0,03		1,2/10		2,5	- // -
КР142ЕН5Б	8,5…15	5,88…6,12	0,05			0,03		1,2/10		2,5	- // -
КР142ЕН5В	7,5…15	4,82…5,18	0,05			0,03		1,2/10		2,5	- // -
КР142ЕН5Г	8,5…15	5,8…6,2	0,05			0,03		1,2/10		2,5	- // -
Тип микросхемы	Uвх, B (min…max)	Uвых, B (min…max)	Ku, %/B Не более	Ki, %/A Не более	Kcг, д Б На 1кГц Не более	,%/^оС, не более	Iвыхmax A	Ppacc,Вт ^без тепло отв./ с тепл отв.	Iп, мА	Uпд, B. Не более	Схема включения (номер рисунка)
142ЕН8А	11,5…35	8,73…9,27	0,05	0,67		0,02	1,5	-/9		2,5	6.1, 6.3 (+вход-17, выход –2, общий-8)
142ЕН8Б	14,5…35	11,64…12,36	0,05	0,67		0,02	1,5	-/9		2,5	- // -
142ЕН8В	17,5…35	14,55…15,45	0,05	0,67		0,02	1,5	-/9		2,5	- // -
К142ЕН8А КР142ЕН8А	11,5…35	8,73…9,27	0,05			0,03	1,5	-/9		2,5	- // -
К142ЕН8Б КР142ЕН8Б	14,5…35	11,64…12,36	0,05			0,03	1,5	-/9		2,5	- // -
К142ЕН8В КР142ЕН8В	17,5…35	14,55…15,45	0,05			0,03	1,5	-/9		2,5	- // -
К142ЕН8Г КР142ЕН8Г	11,5…35	8,64…9,36	0,1	1,5		0,04	1,5	-/9		2,5	- // -
К142ЕН8Д КР142ЕН8Д	14,5…35	11,52…12,48	0,1	1.5		0,04	1,5	-/9		2,5	- // -
К142ЕН8Е КР142ЕН8Е	17,5…35	14,4…15,6	0,1	1,5		0,04	1,5	-/9		2,5	- // -
142ЕН9А	23…45	19,6…20,4	0,05	0,67		0.02	1,5			2,5	- // -
142ЕН9Б	27…45	23,52..24,48	0,05	0,67		0,02	1,5			2,5	- // -
142ЕН9В	30…45	26,46..27,54	0,05	0,67		0,02	1,5			2,5	- // -
К142ЕН9А	23…45	19,6…20,4	0,05			0,03	1,5			2,5	- // -
К142ЕН9Б	27…45	23,52..24,48	0,05			0,03	1,5			2,5	- // -
К142ЕН9В	30…45	26,46..27,54	0,05			0,03	1,5			2,5	- // -
К142ЕН9Г	23…45	19,4…20,6	0,01	1,5		0,04	1,5			2,5	- // -

Тип микросхемы	Uвх, B (min…max)	Uвых, B (min…max)	Ku, %/B Не более	Ki, %/A Не более	Kcг, д Б На 1кГц Не более	,%/^оС, не более	Iвыхmax A	Ppacc,Вт ^без тепло отв./ с тепл отв.	Iп, мА	Uпд, B. Не более	Схема включения (номер рисунка)
К142ЕН9Д	27…45	23,28..24,72	0,01	1,5		0,04	1,5			2,5	6.1, 6.3 (+вход-17, выход –2, общий-8)
К142ЕН9Е	30…45	26,19..27,81	0,01	1,5		0,04	1,5			2,5	- // -
142ЕН10	9…40	3…30	0,05			0,01		-/5		2,5	6.2 (-вход-8, выход-13, общ-2,рег-4)
142EH11	5…45	1,2…37	0,02	0,33		0,02	1,5	-/8		3,5	6.3 (-вход-8, выход-17 соед. с рег.-11; общ.-2)
KP142EH12A	5..45	1,3…37	0,01	0,2		0,02		1/10		3,5	6.3 (+вход-17, выход-2, общ.-8)
KP142EH12Б	5…45	1,3…37	0,03	0,2		0,02		1/10		3,5	- // -
K142EH14	9,5…40	2…37	0,018			0,01	0,15	0,8/-		2,5	6.9…6.13
КР142ЕН17А	5…25	4,3…4,7	0,03			0,03	0,04	0,25/-		0,3	6.1, 6.3
КР142ЕН17Б	5…25	4,75…5,25	0,1			0,03	0,04	0,25/-		0,3	- // -
КР142ЕН18А	5…30	1,2…26,5	0,03	0,03		0,02		1/8		3,5	6.3 (-вход-8, выход-2, общ-17)
Тип микросхемы	Uвх, B (min…max)	Uвых, B (min…max)	Ku, %/B Не более	Ki, %/A Не более	Kcг, д Б На 1кГц Не более	,%/^оС, не более	Iвыхmax A	Ppacc,Вт ^без тепло отв./ с тепл отв.	Iп, мА	Uпд, B. Не более	Схема включения (номер рисунка)
КР142ЕН18Б	5…30	1,2…26,5	0,03	0,03		0,02	1,5	1/8		3,5	- // -
КР11575А	7…35	4,9…5,1	0,05	0,01		0,02	0,1	0,6/1,3			6.1, 6.3 (+вход-17, вых.-2, общ.-8)
КР11575Б	7…35	4,8…5,2	0,05	0,01		0,02	0,1	0,6/1,3			- // -
КР11575В	7,5…30	4,9…5,1	0,05	0,04		0,02	0,25	0,6/3		2,5	- // -
КР11575Г	7,5…30	4,8…5,2	0,05	0,04		0,02	0,25	0,6/3		2,5	- // -
КР11579А	11…35	8,88…9,18	0,05	0,01		0,02	0,1	0,6/1,3			- // -
КР11579Б	11…35	8,64…9,36	0,05	0,01		0,02	0,1	0,6/1,3			- // -
КР11579В	11,5…30	8,88…9,18	0,05	0,04		0,02	0,25	0,6/3		2,5	- // -
КР11579Г	11,5…30	8,64…9,36	0,05	0,04		0,02	0,25	0,6/3		2,5	6.1, 6.3 (+вход-17, вых.-2, общ.-8)
КР115712А	14…35	11,76…12,24	0,05	0,01		0,02	0,1	0,6/1,3			- // -
КР115712Б	14…35	11,52…12,48	0,05	0,01		0,02	0,1	0,6/1,3			- // -
КР115712В	14,5…30	11,76…12,24	0,05	0,04		0,02	0,25	0,6/3		2,5	- // -
КР115712Г	14,5…30	11,52…12,48	0,05	0,04		0,02	0,25	0,6/3		2,5	- // -
КР115715А	17…35	14,7…15,3	0,05	0,01		0,02	0,1	0,6/1,3			- // -
КР115715Б	17…35	14,4…15,6	0,05	0,01		0,02	0,1	0,6/1,3			- // -
КР115715В	17,5…35	14,7…15,3	0,05	0,04		0,02	0,25	0,6/3		2,5	- // -
КР115715Г	17,5…35	14,4…15,6	0,05	0,04		0,02	0,25	0,6/3		2,5	- // -
КР115718А	20…40	17,64…18,36	0,05	0,01		0,02	0,1	0,6/1,3			- // -
КР115718Б	20…40	17,28…17,72	0,05	0,01		0,02	0,1	0,6/1,3			- // -
Тип микросхемы	Uвх, B (min…max)	Uвых, B (min…max)	Ku, %/B Не более	Ki, %/A Не более	Kcг, д Б На 1кГц Не более	,%/^оС, не более	Iвыхmax A	Ppacc,Вт ^без тепло отв./ с тепл отв.	Iп, мА	Uпд, B. Не более	Схема включения (номер рисунка)
КР115718В	20,5…35	17,64…18,36	0,05	0,04		0,02	0,25	0,6/3		2,5	- // -
КР115718Г	20,5…35	17,28…17,72	0,05	0,04		0,02	0,25	0,6/3		2,5	- // -
КР115724А	26…40	23,52…24,48	0,05	0,01		0,02	0,1	0,6/1,3			- // -
КР115724Б	26…40	23,04…24,96	0,05	0,01		0,02	0,1	0,6/1,3			- // -
КР115724В	26,5…40	23,52…24,48	0,05	0,04		0,02	0,25	0,6/3		2,5	- // -
КР115724Г	26,5…40	23,04…24,96	0,05	0,04		0,02	0,25	0,6/3		2,5	- // -
КР1162ЕН5А	7,5…35	4,9…5,1	0,11	1,3		0,02	1,5	1,5/10		2,5	6.1, 6.3 (-вход-8, вых-.2, общ-.17)
КР1162ЕН5Б	7,5…35	4,8…5,2	0,11	1,3		0,02	1,5	1,5/10		2,5	- // -
КР1162ЕН6А	8,5…35	5,88…6,12	0,11	1,3		0,02	1,5	1,5/10		2,5	- // -
КР1162ЕН6Б	8,5…35	5,76…6,24	0,11	1,3		0,02	1,5	1,5/10		2,5	- // -
КР1162ЕН9А	11,5…35	8,88…9,12	0,11	1,3		0,02	1,5	1,5/10		2,5	- // -
КР1162ЕН9Б	11,5…35	8,64…9,36	0,11	1,3		0,02	1,5	1,5/10		2,5	- // -
КР1162ЕН12А	14,5…35	11,76…12,24	0,11	1,3		0,02	1,5	1,5/10		2,5	- // -
КР1162ЕН12Б	14,5…35	11,52…12,48	0,11	1,3		0,02	1,5	1,5/10		2,5	6.1, 6.3 (-вход-8, вых-.2, общ-.17)
КР1162ЕН15А	17,5…35	14,7…15,3	0,11	1,3		0,02	1,5	1,5/10		2,5	- // -
КР1162ЕН15Б	17,5…35	14,4…15,6	0,11	1,3		0,02	1,5	1,5/10		2,5	- // -
КР1162ЕН18А	20,5…35	17,64…18,36	0,11	1,3		0,02	1,5	1,5/10		2,5	- // -
КР1162ЕН18Б	20,5…35	17,28…18,72	0,11	1,3		0,02	1,5	1,5/10		2,5	- // -
КР1162ЕН24А	26,5…40	23,52…24,48	0,11	1,3		0,02	1,5	1,5/10		2,5	- // -
Тип микросхемы	Uвх, B (min…max)	Uвых, B (min…max)	Ku, %/B Не более	Ki, %/A Не более	Kcг, д Б На 1кГц Не более	,%/^оС, не более	Iвыхmax A	Ppacc,Вт ^без тепло отв./ с тепл отв.	Iп, мА	Uпд, B. Не более	Схема включения (номер рисунка)
КР1162ЕН24Б	26,5…40	23,04…24,96	0,11	1,3		0,02	1,5	1,5/10		2,5	- // -
КР1162ЕН27А	29,5…40	26,46…27,54	0,11	1,3		0,02	1,5	1,5/10		2,5	- // -
КР1162ЕН27Б	29,5…40	25,92…28,08	0,11	1,3		0,02	1,5	1,5/10		2,5	- // -

Дата добавления: 2015-07-13