Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Емкость в зависимости от режима работы может либо запасать энергию электрического поля, получаемую из внешней цепи, либо отдавать накопленную энергию во внешнюю цепь




Выводы

1. Энергия электрического поля, запасенная емкостью в произвольный момент времени t, определяется только мгновенным значением напряжения емкости или ее зарядом и является неотрицательной величиной. Это означает, что емкостной элемент действительно является пассивным элементом цепи.

 

4.4 СХЕМЫ ЗАМЕЩЕНИЯ РЕАЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЦЕПЕЙ

 

Каждый из рассмотренных идеализированных элементов имеет в качестве прототипа реальный пассивный элемент: резистор, индуктивную катушку или конденсатор. В то же время процессы в реальных элементах сложнее, чем в идеализированных. Например, на высоких частотах в каждом реальном элементе наряду с основным имеют место паразитные процессы. Вследствии этого схемы замещения реальных элементов в общем случае состоят из идеализированных элементов различных типов.

Так в области низких и средних частот идеализированные резистивный, индуктивный и емкостной элементы могут служить схемами замещения (моделями) резисторов, высококачественных катушек индуктивности с малыми потерями и электрических конденсаторов с высокими диэлектрическими свойствами. Однако в области высоких, а особенно сверхвысоких частот схемы замещения резисторов, катушек индуктивности и конденсаторов становится более сложными. Так, на высоких частотах резисторы уже нельзя с достаточной точностью описать идеальным резистивным элементом из-за влияния различных «паразитных» емкостей. Более точной здесь будет схема замещения параллельного соединения R и CП, изображенная на рис. 1.11, а. В некоторых случаях возникает необходимость учета «паразитной» индуктивности LП, учитывающей эффект накопления энергии магнитного поля в элементах резистора (рис. 1.11, б):

Рис. 1.11

Схема замещения конденсатора, кроме емкостного элемента C, может содержать включенную параллельную проводимость G П, учитывающую потери энергии в диэлектрике, и последовательно включенную индуктивность L П, учитывающую эффект запасания энергии магнитного поля в конструктивных элементах конденсатора (рис. 1.11, в).

Схема замещения катушки индуктивности может учитывать потери энергии в проводе и энергию электрического поля, запасаемую между витками катушки путем дополнительного включения сопротивления потерь R П и «паразитной» емкости С П (рис. 1.11, г).

В зависимости от условий применения конструктивных особенностей и требований к точности анализа могут использоваться и более сложные схемы замещения реальных пассивных элементов.




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2013-12-14; Просмотров: 656; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.01 сек.