Вихідні ВАХ. Вихідні характеристики транзистора в схемі зі СЕ є залежністю струму колектора iк від вихідної напруги uке при постійних струмах бази iб (рис

Вихідні характеристики транзистора в схемі зі СЕ є залежністю струму колектора I _К від вихідної напруги U _КЕ при постійних струмах бази I _Б (рис. 9.9).

Відомо, що струм I _К буде визначатися не напругою U _КЕ, а напругою на колекторному переході U _КП (рис. 9.9)

U _{КП (БК)}= U _БЕ- U _КЕ

При малих напругах U _КЕ (до U _КЕ< U _БЕ) напруга U _КП є прямою і тому з ростом її струм I _К буде різко зростати. При U _КЕ= U _БЕ U _КП=0, перехід починає закриватися і при U _КЕ> U _БЕ напруга U _КП стає зворотною і зростання струму I _К майже припиняється. Характеристики будуть йти більш полого (майже паралельно осі абсцис).

Рис. 9.9. Вихідні ВАХ БТ зі СЕ

Отже на ВАХ БТ зі СЕ (рис 9.9) можна виділити дві ділянки: одна – до напруги U’ _КЕ, інша – при U _КЕ >U’ _КЕ. На першій ділянці струм I _К зростає швидко при збільшенні U _КЕ, на другій ділянці – повільно. При знятті вихідних ВАХ необхідно підтримувати струм І _Б = const. Для цього необхідно збільшувати U _БЕ, що приводить до збільшення струму I _К. Чим більше струм І _Б, тим більше потік дірок із Е у К, тобто струм I _К. Це свідчить про те, що струмом I _К можна керувати струмом I _Б (напругою U _БЕ).

При дуже малих та великих струмах бази характеристики розміщуються густіше, ніж при малих та середніх, що пояснюється залежністю коефіцієнта передавання струму бази b від струму емітера (колектора), яка має визначений максимум.

При I _Б = 0 виникає режим з розімкнутою базою. В цьому випадку напруга U _КЕ розділяється між двома p-n переходами і прикладається, в основному, до колекторного переходу, тому що він має більший опір. Це може привести до його пробою.

З відомого співвідношення

I _К = b ∙ I _Б + I _КЕ0,

для випадку I _Б = 0, запишемо I _К = I _КЕ0, де I _КЕ0 = I _КБ0.

При I _Б < 0 струм колектора буде I _КБ0 і транзистор переходить в режим відсічки (РВ).

При збільшенні U _КЕ аж до відкриття колекторного переходу струм I _К збільшується і транзистор переходить в режим насичення (РН). Для I _Б = I _Б6

I _К = b ∙ I _Б6 + I _КЕ0.

При великих напругах U _КЕ відбувається лавинне розмноження носіїв заряду в колекторному переході, струм I _К стрімко зростає і настає пробій.

В області активного (АР) режиму вихідні ВАХ можна апроксимувати виразом

I _К = b ∙ I _Б6 + I _КЕ0 + ,

де r _К – опір КП.

Таким чином, в схемі зі СЕ струм колектора I _К в робочій області слабо залежить від колекторної напруги U _КЕ, а в основному визначається струмом бази I _Б. Оскільки на відміну від електронних ламп транзистори управляються струмом, цікавою була б залежність струму колектора від струму бази , яка б дозволила відразу знаходити коефіцієнт підсилення транзистора за струмом. Ця характеристика рідко наводиться у довідниках, проте вона є наочною.

З ростом температури характеристики зміщуються вверх і збільшується їх нахил (рис. 9.10). Це небажано змінює режим транзистора і тому параметри вузла.

Рис. 9.10. Вплив температури на вихідні ВАХ БТ зі СЕ

Дата добавления: 2014-01-04