Современная политическая система Украины

О

Для воздуха при 8 = 8,85-10" Ф / м получим

Если размеры экрана значительно превышают длину волны, то это приводит к неравномерному распределению поля внутри него. В отдельных местах внутреннего пространства, особенно в углах, может наблюдаться значительная концентрация поля, в то время как в других частях экрана поле будет ослаблено. Щели, отверстия в экране приводят к дополнительному уменьшению запасенной энергии. Поэтому в общем случае формула (35) является приближенной. Кроме того, определяемая выражением (35) напряженность поля характеризует только одну часть общего поля в замкнутом экране - диффузное поле, под которым понимается поле, возникшее в установившемся режиме после многократных отражений внутри резонатора. Вторым слагаемым является поле прямой волны. Таким образом, общая электромагнитнаяэнергия

На частотах выше 100 МГц обычно рассматривается плотность потока мощности. В диффузном поле плотность потока мощности

а плотность потока мощности падающей волны П_пр = PG I 4nr. Общая плотность потока мощности в резонаторе

(36)

где Р - средняя мощность излучения; R_o - коэффициент отражения; G -коэффициент усиления антенны (излучателя) в данном направлении; г -расстояние до источника (излучателя).

Как видно из (36), плотность потока мощности в падающей волне является функцией расстояния до источника и его направленности как излучателя, а эквивалентная плотность потока мощности отражения распределена почти равномерно по всему объему. При отсутствии поглощающего материала внутри экрана

мощность поля в резонаторе может быть во много раз больше мощности источника из-за накопления энергии. При поглощении поля внутри экрана плотность потока мощности также получает некоторое приращение, которое определяется качеством поглощающего материала и аналитически обусловлено множителем

Этот множитель очень велик при R_o, близких к

единице, при R_o = 0,2 он становится равным единице и тогда

эквивалентная плотность потока отраженной мощности является функцией только общей поверхности экрана.

При Я₀<10~³ множительСледовательно,

суммарное поле определяется только падающей волной.

Накопление энергии электромагнитного поля в экране как в объемном резонаторе является одним из наиболее существенных факторов, которые должны учитываться как при проектировании системы экранирования, так и в ходе ее эксплуатации. Влияние этого фактора на функционирование экрана и находящиеся внутри объекты определяется снижением эффективности экранирования, опасностью пробоя диэлектрика внутри экрана, воздействием поля на экранируемые устройства, воздействием электромагнитного поля на оператора, находящегося в экранированном объеме.

Для обеспечения нормального функционирования экрана при фиксированной мощности излучателя необходимо должным образом выбрать Y,S, R_o, г. Возможность варьировать величину г

определяется из соотношения между плотностью потока мощности падающей волныи диффузного поля:

Приравняв это отношение единице, найдем расстояние до излучателя, при котором плотность потока мощности прямой волны равна плотности потока мощности диффузного поля

(37)

где ггр - граничное значение г.

Если г < г _гр, плотность потока мощности определяется в основном падающей волной, а при г > г _гр - диффузным полем. В стальном экране для точечного источника при R_o =0,99, 25=100

м имеем г _гр =0,14 м. Следовательно, в этом случае только в непосред-ственной близости от источника (г < 0,14 м) плотность потока мощнос-ти определяется прямой волной. В реальном экране из-за наличия ще-лей и отверстий плотность потока мощности диффузного поля умень-шается, в результате чего г _гр возрастает, и практически измерение плотности потока мощности прямой волны производится на расстоя-ниях, не превышающих 0,3 м.

При конструировании экранов для мощных источников помимо учета распределения поля необходимо принять меры по уменьшению потерь в экране. Потери в экране создаются за счет вихревых токов, протекающих по экрану и вызывающих его нагревание. Интенсивные потери мощности в экране могут привести к значительному его перег-реву, вплоть до расплавления, в частности, при экранировании сильных электромагнитных полей. Принято, что экран должен иметь такие раз-меры и конструкцию, быть изготовленным из такого материала, чтобы потери не превышали 1 % мощности излучения. Потери в резонаторе могут быть определены из (31) и (32):

(38)

В реальных экранах потери на вихревые токи для точечного источника можно определить по эмпирической формуле

(39)

где Р_п - потери в экране, Вт; Р_шл - мощность излучения, Вт; ¥_экр -объем экрана, м; Ц _г - относительная магнитная проницаемость

материала экрана; / - частота, МГц; а - проводимость материала экрана, (Омм)¹.

У цилиндрического экрана, экранирующего катушку мощного ко-лебательного контура, мощность потерь определяется выражением [9]

(40)

где п - число витков катушки; / - действующее значение тока в катушке; г_эк - радиус экрана; г_к - радиус катушки; 1_К - длина катушки.

При экранировании колебательных контуров потери в экране можно представить как некоторое эквивалентное дополнительное сопротивление в колебательной цепи, влияющее на ее первичные и вторичные параметры. В результате происходит взаимное воздействие экранируемого объекта на экран и наоборот. Это взаимное воздействие будет тем больше, чем ближе экран расположен к экранируемому объекту. Оно проявляется в увеличении активного сопротивления и емкости контура, в уменьшении его индуктивности и добротности.

Начальные параметры катушки (без экрана), экранируемой цилиндрическим экраном, в результате реакции последнего при сравнительно малых приращениях изменяются на величины

и, где коэффициенты, в сущности

своей являющиеся модулями производных соответствующих функций, зависят от материала экрана, частоты, отношений диаметров катушки к диаметру экрана и длины катушки к длине экрана.

Любой вид электрической волны, установившийся в процессе колебаний в резонаторе, должен быть таким, чтобы напряженность электрического поля у стенок была равна или близка к нулю и в соответствии с этим волна должна установиться поперек резонатора (рис. 26). Такое же распределение напряженности электрического поля может иметь место, когда волна движется вдоль

оси z. Резонатор может оказаться настроенным в резонанс, если вдоль ребра Ъ укладывается целое число полуволн. В прямоугольном резонаторе могут существовать колебания различных типов, отличающиеся друг от друга распределением полей и частотой. Каждому типу колебаний соответствует своя резонансная частота, и следовательно, экрану как объемному резонатору присуще множество резонансных частот. Как известно, резонансная длина волны резонатора (в метрах) при колебаниях типа ТЕ_т>п>р и ТМ_т>п>р определяется как

(41)

где /, b, h - размеры сторон резонатора; т, п, р - индексы, обозначающие число стоячих полуволн, укладывающихся вдоль сторон резонатора; /рез - частота резонанса, МГц.

Определим резонансные частоты и длины волн при различных типах колебаний. Задачу решаем в следующем порядке:

а) определяем коэффициенты

б) находим коэффициент фазь

в) определяем резонансную частоту

и резонанснуюдлину волны

Результаты вычислений в общем виде сведены в таблицу (табл.1). Как видно из данных таблицы, наинизшим типом поперечно-магнитных колебаний, соответствующим первым значениям т, п и наименьшему значению собственной частоты f_pe3, является тип ТЕ по. При вычислении резонансной частоты предполагают, что стороны / и Ъ являются большими сторонами резонатора. Как правило, в первую очередь следует определить наинизшую резонансную частоту для данных размеров экрана, так как возникновение резонанса в экране

сопровождается резким возрастанием амплитуды поля и при использовании электрически тонкого материала для экрана наблюдается интенсивный спад его эффективности.

Наинизшую резонансную частоту экрана (в МГц) удобно вы­числять не в зависимости от размеров сторон экрана, а в функции наиболее общего его параметра Я_э по приближенной формуле

(42) где R₃ - эквивалентный радиус экрана, м.

Добротность резонатора для колебаний типа ТЕ по может быть определена из (32):

(43)

Например, для экрана изготовленного из стали, стороны которого равны 1=3 м, Ь=2 м и h=\ м, при работе его на частоте/=30 МГц и 8=3-10"⁶ м имеем

Реальная добротность из-за наличия отверстий и щелей будет на один - два порядка ниже расчетной.

Резонансные частоты реальных экранов не всегда соответствуют расчетным, так как из-за наличия в экране каких-либо предметов частота его резонанса сдвигается. Обычно у распространенных на практике экранов РЭС резонансные частоты лежат выше 30... 1000 МГц. С увеличением размеров экрана резонанс сдвигается в сторону более низких частот, как это видно из (42).

При резонансе напряженность поля внутри замкнутого экрана возрастает в Q раз, а следовательно, эффективность экранирования уменьшается в Q раз относительно результирующей эффективности, учитывающей поглощение и отражение электромагнитных волн. Для электрически тонких материалов, эффект экранирования которых про-является только в результате отражения, эффективность экрана при резонансе становится весьма незначительной. Это явление в

Рис. 27. Эффективность экранирования на самой низшей резонансной частоте экрана в зависимости от его параметров

Физически падение эффективности на резонансных частотах можно объяснить уменьшением отражения, что обусловлено проникновением поля за пределы экрана. Очевидно, что в условиях резонанса (продольного или поперечного) отражающие поверхности становятся прозрачными, что возможно, когда толщина экрана стано­вится равной целому числу половин длины волны в материале, т. е.

(44) где т - целое положительное число;- длина волны в материале.

Поскольку длина волны в металле определяется [9] выражением и для исключения влияния

резонансатолщина материала экрана становится,

таким образом, зависимой от его вида и линейных размеров. Максимальное отражение от стенок экрана имеет место при

При использовании сетчатых материалов их следует проверять аналогично по эквивалентной толщине, определяемой по формуле d₃ где r_s - радиус проволоки сетки; s - шаг сетки.

Физические явления, наблюдаемые в замкнутом экране как в объемном резонаторе, должны всегда учитываться при конструировании реальных экранов.

Специфика или системные качества лежат в основе различных типов политических систем. Особенности системы по­литических институтов современной Украины определяются в преде­лах различных типов. Во-первых, относительная стабильность (на поверхности) системы, способной легко трансформироваться в не­стабильность из-за углубления конфликтов между основными политическими блоками, в том числе и внутри государственного механизма, а также между различными регионами. Во-вторых, система с относительно низким темпом социальных процессов и не­достаточно восприимчивая к социальным новшествам. Самостоя­тельная политическая система современной Украины молодая, фактически не имеющая достаточно эффективных традиций и опыта самостоятельного функционирования. Исторические традиции госу­дарственной независимости Украины практически не связаны с про­цессом решения современных проблем общества. В-третьих, полити­ческой системе Украины присуща централизованность с некоторыми элементами регионализации и децентрализации. Система не осуще­ствляет полностью комплекс функций необходимых для обеспе­чения нормального функционирования современного цивилизо­ванного общества. В-четвертых, современная политическая система Украины — переходная от неправового к правовому типу полити­ческой системы, в которой методы нормативного правового регули­рования преобладают над методами использования непосредственно волевых актов органов политической власти. Для большинства насе­ления она легитимная. Политическая система современной Украины действует в условиях чрезвычайной, а не нормальной ситуации. Причем чрезвычайные обстоятельства сложились во всех сферах жизни общества: а) в природной (физической и биологической) среде, где углубляется экологический кризис, сохраняется господ­ство неразумных моделей природопользования (в промышленности и сельском хозяйстве), общий генофонд народу терпит значитель­ные потери; б) в хозяйственности прогрессирующей выступает тенденция деградации важнейших структур жизнеобеспечения со­циума; в) в сфере культуры (в частности в системе образования) не обеспечивается полное воспроизводство общей культуры соот­ветствующей передовым, прогрессивным стандартам и потребностям ускоренного социального развития, наблюдается дальнейшая эро­зия массовой «практической морали»: значительная часть населе­ния все еще находится под влиянием «культурного шока», связан­ного с быстрым изменением господствующих официальных мифов и отсутствием четкой национальной идеи; г) не сформирована систе­ма эффективных отношений Украины с другими государствами и международным сообществом.

Особенностью политической системы современной Украины выступает переход к внедрению консенсуальной модели разрешения социальных конфликтов, миролюбие и неагрессивность, лишение собственной глобальной (общепланетарной) системы обеспечения национальных интересов. Современная политическая система еще пока неспособна обеспечить рост уровня и качества благосостояния всех основных слоев населения. Политическая система есть светская в отличие от атеистической или религиозной. И еще. Полити­ческая система Украины этатизирована (оде ржав лена, огосудар­ствлена), с недостаточным высоким интелектуальным уровнем по­литики, с преобладанием определенных социальных слоев реформи­рованной традиционной номенклатуры, новой «номенклатуры» — сил включившихся в контроль над «каналами распределения» и «нуворишей», способных «стимулировать» в необходимом для них направлении деятельность политиков и бюрократического аппарата. Современную политическую систему Украины можно назвать пе­реходной от социалистической к капиталистической или переходной от казарменного (недемократического, негуманного) социализма к капитализму, дополненную некоторыми чертами неокапитализма, но не как переходную до демократического социализма. В совре­менной Украине существует и специфический «смешанный» по­литический режим, в котором сочетаются признаки всех основных «чистых» разновидностей политических режимов: демократическо­го авторитарного, автократического, диктаторского, тоталитарного, анархического, охлократического. Предусмотреть направления даль­нейшей эволюции политического режима современной Украины достаточно сложно, потому что характер эволюции зависит от весь­ма огромного количества факторов и внутренних, и внешних (См.: Политическая мысль, 1993, М 1, с. 18—21).

Легитимация политической власти (от лат. legitimus — законный) — процедура общественного признания какого-либо действия, действующего лица, события или факта; в политике — ее признания, объяснения и оправдания. Легитимность политического явления не означает его юридически оформленной законности, и потому легитимацию не следует смешивать с легализацией, а легитим­ность — с легальностью, то есть с законностью. Легитимация не обладает юридическими функциями и не есть правовым процес­сом. Легитимация утверждает политику и власть, объясняет и оправдывает политические решения, создание политических струк­тур, их изменение, обновление и т. п. Легитимация призвана обеспечить повиновение, согласие, политическое участие без при­нуждения, а если оно не достигается,— оправдание такого принуж­дения, использование силы и всех других средств, которыми распо­лагает власть.

Есть в истории и множество примеров, когда народы вынуждены покоряться власти, в душе презирая ее, при малейшей возможности отклоняясь от нее. В таких случаях правящие социальные силы неизбежно прибегают к давлению, применению силы. Страх стано­вится основной формой проявления отношения людей к власти. Американский социолог Сеймур Мартин Липсет понимание пробле­мы легитимации политики рассматривает в зависимости от эффек­тивности политической системы, утверждает, что стабильность лю­бого государственного строя полностью зависела от его законности и эффективности. Законность, с точки зрения Сеймура Липсета, имеет оценочный характер, что связано со способностью системы формировать и поддерживать у масс убеждение в том, что функцио­нирование существующих политических институтов самое рацио­нальное. Эффективность преимущественно «инструментальна» и означает удовлетворенность процессов управления социальной системой.

Дата добавления: 2014-01-07