КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Современная политическая система Украины
О Для воздуха при 8 = 8,85-10" Ф / м получим Если размеры экрана значительно превышают длину волны, то это приводит к неравномерному распределению поля внутри него. В отдельных местах внутреннего пространства, особенно в углах, может наблюдаться значительная концентрация поля, в то время как в других частях экрана поле будет ослаблено. Щели, отверстия в экране приводят к дополнительному уменьшению запасенной энергии. Поэтому в общем случае формула (35) является приближенной. Кроме того, определяемая выражением (35) напряженность поля характеризует только одну часть общего поля в замкнутом экране - диффузное поле, под которым понимается поле, возникшее в установившемся режиме после многократных отражений внутри резонатора. Вторым слагаемым является поле прямой волны. Таким образом, общая электромагнитнаяэнергия На частотах выше 100 МГц обычно рассматривается плотность потока мощности. В диффузном поле плотность потока мощности а плотность потока мощности падающей волны Ппр = PG I 4nr. Общая плотность потока мощности в резонаторе (36) где Р - средняя мощность излучения; Ro - коэффициент отражения; G -коэффициент усиления антенны (излучателя) в данном направлении; г -расстояние до источника (излучателя). Как видно из (36), плотность потока мощности в падающей волне является функцией расстояния до источника и его направленности как излучателя, а эквивалентная плотность потока мощности отражения распределена почти равномерно по всему объему. При отсутствии поглощающего материала внутри экрана мощность поля в резонаторе может быть во много раз больше мощности источника из-за накопления энергии. При поглощении поля внутри экрана плотность потока мощности также получает некоторое приращение, которое определяется качеством поглощающего материала и аналитически обусловлено множителем Этот множитель очень велик при Ro, близких к единице, при Ro = 0,2 он становится равным единице и тогда эквивалентная плотность потока отраженной мощности является функцией только общей поверхности экрана. При Я0<10~3 множительСледовательно, суммарное поле определяется только падающей волной. Накопление энергии электромагнитного поля в экране как в объемном резонаторе является одним из наиболее существенных факторов, которые должны учитываться как при проектировании системы экранирования, так и в ходе ее эксплуатации. Влияние этого фактора на функционирование экрана и находящиеся внутри объекты определяется снижением эффективности экранирования, опасностью пробоя диэлектрика внутри экрана, воздействием поля на экранируемые устройства, воздействием электромагнитного поля на оператора, находящегося в экранированном объеме. Для обеспечения нормального функционирования экрана при фиксированной мощности излучателя необходимо должным образом выбрать Y,S, Ro, г. Возможность варьировать величину г определяется из соотношения между плотностью потока мощности падающей волныи диффузного поля: Приравняв это отношение единице, найдем расстояние до излучателя, при котором плотность потока мощности прямой волны равна плотности потока мощности диффузного поля (37) где ггр - граничное значение г. Если г < г гр, плотность потока мощности определяется в основном падающей волной, а при г > г гр - диффузным полем. В стальном экране для точечного источника при Ro =0,99, 25=100 м имеем г гр =0,14 м. Следовательно, в этом случае только в непосред-ственной близости от источника (г < 0,14 м) плотность потока мощнос-ти определяется прямой волной. В реальном экране из-за наличия ще-лей и отверстий плотность потока мощности диффузного поля умень-шается, в результате чего г гр возрастает, и практически измерение плотности потока мощности прямой волны производится на расстоя-ниях, не превышающих 0,3 м. При конструировании экранов для мощных источников помимо учета распределения поля необходимо принять меры по уменьшению потерь в экране. Потери в экране создаются за счет вихревых токов, протекающих по экрану и вызывающих его нагревание. Интенсивные потери мощности в экране могут привести к значительному его перег-реву, вплоть до расплавления, в частности, при экранировании сильных электромагнитных полей. Принято, что экран должен иметь такие раз-меры и конструкцию, быть изготовленным из такого материала, чтобы потери не превышали 1 % мощности излучения. Потери в резонаторе могут быть определены из (31) и (32): (38) В реальных экранах потери на вихревые токи для точечного источника можно определить по эмпирической формуле (39) где Рп - потери в экране, Вт; Ршл - мощность излучения, Вт; ¥экр -объем экрана, м; Ц г - относительная магнитная проницаемость материала экрана; / - частота, МГц; а - проводимость материала экрана, (Омм)1. У цилиндрического экрана, экранирующего катушку мощного ко-лебательного контура, мощность потерь определяется выражением [9] (40) где п - число витков катушки; / - действующее значение тока в катушке; гэк - радиус экрана; гк - радиус катушки; 1К - длина катушки. При экранировании колебательных контуров потери в экране можно представить как некоторое эквивалентное дополнительное сопротивление в колебательной цепи, влияющее на ее первичные и вторичные параметры. В результате происходит взаимное воздействие экранируемого объекта на экран и наоборот. Это взаимное воздействие будет тем больше, чем ближе экран расположен к экранируемому объекту. Оно проявляется в увеличении активного сопротивления и емкости контура, в уменьшении его индуктивности и добротности. Начальные параметры катушки (без экрана), экранируемой цилиндрическим экраном, в результате реакции последнего при сравнительно малых приращениях изменяются на величины и, где коэффициенты, в сущности своей являющиеся модулями производных соответствующих функций, зависят от материала экрана, частоты, отношений диаметров катушки к диаметру экрана и длины катушки к длине экрана. Любой вид электрической волны, установившийся в процессе колебаний в резонаторе, должен быть таким, чтобы напряженность электрического поля у стенок была равна или близка к нулю и в соответствии с этим волна должна установиться поперек резонатора (рис. 26). Такое же распределение напряженности электрического поля может иметь место, когда волна движется вдоль оси z. Резонатор может оказаться настроенным в резонанс, если вдоль ребра Ъ укладывается целое число полуволн. В прямоугольном резонаторе могут существовать колебания различных типов, отличающиеся друг от друга распределением полей и частотой. Каждому типу колебаний соответствует своя резонансная частота, и следовательно, экрану как объемному резонатору присуще множество резонансных частот. Как известно, резонансная длина волны резонатора (в метрах) при колебаниях типа ТЕт>п>р и ТМт>п>р определяется как (41) где /, b, h - размеры сторон резонатора; т, п, р - индексы, обозначающие число стоячих полуволн, укладывающихся вдоль сторон резонатора; /рез - частота резонанса, МГц. Определим резонансные частоты и длины волн при различных типах колебаний. Задачу решаем в следующем порядке: а) определяем коэффициенты б) находим коэффициент фазь в) определяем резонансную частоту и резонанснуюдлину волны Результаты вычислений в общем виде сведены в таблицу (табл.1). Как видно из данных таблицы, наинизшим типом поперечно-магнитных колебаний, соответствующим первым значениям т, п и наименьшему значению собственной частоты fpe3, является тип ТЕ по. При вычислении резонансной частоты предполагают, что стороны / и Ъ являются большими сторонами резонатора. Как правило, в первую очередь следует определить наинизшую резонансную частоту для данных размеров экрана, так как возникновение резонанса в экране сопровождается резким возрастанием амплитуды поля и при использовании электрически тонкого материала для экрана наблюдается интенсивный спад его эффективности. Наинизшую резонансную частоту экрана (в МГц) удобно вычислять не в зависимости от размеров сторон экрана, а в функции наиболее общего его параметра Яэ по приближенной формуле (42) где R3 - эквивалентный радиус экрана, м. Добротность резонатора для колебаний типа ТЕ по может быть определена из (32): (43) Например, для экрана изготовленного из стали, стороны которого равны 1=3 м, Ь=2 м и h=\ м, при работе его на частоте/=30 МГц и 8=3-10"6 м имеем Реальная добротность из-за наличия отверстий и щелей будет на один - два порядка ниже расчетной. Резонансные частоты реальных экранов не всегда соответствуют расчетным, так как из-за наличия в экране каких-либо предметов частота его резонанса сдвигается. Обычно у распространенных на практике экранов РЭС резонансные частоты лежат выше 30... 1000 МГц. С увеличением размеров экрана резонанс сдвигается в сторону более низких частот, как это видно из (42). При резонансе напряженность поля внутри замкнутого экрана возрастает в Q раз, а следовательно, эффективность экранирования уменьшается в Q раз относительно результирующей эффективности, учитывающей поглощение и отражение электромагнитных волн. Для электрически тонких материалов, эффект экранирования которых про-является только в результате отражения, эффективность экрана при резонансе становится весьма незначительной. Это явление в Рис. 27. Эффективность экранирования на самой низшей резонансной частоте экрана в зависимости от его параметров Физически падение эффективности на резонансных частотах можно объяснить уменьшением отражения, что обусловлено проникновением поля за пределы экрана. Очевидно, что в условиях резонанса (продольного или поперечного) отражающие поверхности становятся прозрачными, что возможно, когда толщина экрана становится равной целому числу половин длины волны в материале, т. е. (44) где т - целое положительное число;- длина волны в материале. Поскольку длина волны в металле определяется [9] выражением и для исключения влияния резонансатолщина материала экрана становится, таким образом, зависимой от его вида и линейных размеров. Максимальное отражение от стенок экрана имеет место при При использовании сетчатых материалов их следует проверять аналогично по эквивалентной толщине, определяемой по формуле d3 где rs - радиус проволоки сетки; s - шаг сетки. Физические явления, наблюдаемые в замкнутом экране как в объемном резонаторе, должны всегда учитываться при конструировании реальных экранов.
Специфика или системные качества лежат в основе различных типов политических систем. Особенности системы политических институтов современной Украины определяются в пределах различных типов. Во-первых, относительная стабильность (на поверхности) системы, способной легко трансформироваться в нестабильность из-за углубления конфликтов между основными политическими блоками, в том числе и внутри государственного механизма, а также между различными регионами. Во-вторых, система с относительно низким темпом социальных процессов и недостаточно восприимчивая к социальным новшествам. Самостоятельная политическая система современной Украины молодая, фактически не имеющая достаточно эффективных традиций и опыта самостоятельного функционирования. Исторические традиции государственной независимости Украины практически не связаны с процессом решения современных проблем общества. В-третьих, политической системе Украины присуща централизованность с некоторыми элементами регионализации и децентрализации. Система не осуществляет полностью комплекс функций необходимых для обеспечения нормального функционирования современного цивилизованного общества. В-четвертых, современная политическая система Украины — переходная от неправового к правовому типу политической системы, в которой методы нормативного правового регулирования преобладают над методами использования непосредственно волевых актов органов политической власти. Для большинства населения она легитимная. Политическая система современной Украины действует в условиях чрезвычайной, а не нормальной ситуации. Причем чрезвычайные обстоятельства сложились во всех сферах жизни общества: а) в природной (физической и биологической) среде, где углубляется экологический кризис, сохраняется господство неразумных моделей природопользования (в промышленности и сельском хозяйстве), общий генофонд народу терпит значительные потери; б) в хозяйственности прогрессирующей выступает тенденция деградации важнейших структур жизнеобеспечения социума; в) в сфере культуры (в частности в системе образования) не обеспечивается полное воспроизводство общей культуры соответствующей передовым, прогрессивным стандартам и потребностям ускоренного социального развития, наблюдается дальнейшая эрозия массовой «практической морали»: значительная часть населения все еще находится под влиянием «культурного шока», связанного с быстрым изменением господствующих официальных мифов и отсутствием четкой национальной идеи; г) не сформирована система эффективных отношений Украины с другими государствами и международным сообществом. Особенностью политической системы современной Украины выступает переход к внедрению консенсуальной модели разрешения социальных конфликтов, миролюбие и неагрессивность, лишение собственной глобальной (общепланетарной) системы обеспечения национальных интересов. Современная политическая система еще пока неспособна обеспечить рост уровня и качества благосостояния всех основных слоев населения. Политическая система есть светская в отличие от атеистической или религиозной. И еще. Политическая система Украины этатизирована (оде ржав лена, огосударствлена), с недостаточным высоким интелектуальным уровнем политики, с преобладанием определенных социальных слоев реформированной традиционной номенклатуры, новой «номенклатуры» — сил включившихся в контроль над «каналами распределения» и «нуворишей», способных «стимулировать» в необходимом для них направлении деятельность политиков и бюрократического аппарата. Современную политическую систему Украины можно назвать переходной от социалистической к капиталистической или переходной от казарменного (недемократического, негуманного) социализма к капитализму, дополненную некоторыми чертами неокапитализма, но не как переходную до демократического социализма. В современной Украине существует и специфический «смешанный» политический режим, в котором сочетаются признаки всех основных «чистых» разновидностей политических режимов: демократического авторитарного, автократического, диктаторского, тоталитарного, анархического, охлократического. Предусмотреть направления дальнейшей эволюции политического режима современной Украины достаточно сложно, потому что характер эволюции зависит от весьма огромного количества факторов и внутренних, и внешних (См.: Политическая мысль, 1993, М 1, с. 18—21).
Легитимация политической власти (от лат. legitimus — законный) — процедура общественного признания какого-либо действия, действующего лица, события или факта; в политике — ее признания, объяснения и оправдания. Легитимность политического явления не означает его юридически оформленной законности, и потому легитимацию не следует смешивать с легализацией, а легитимность — с легальностью, то есть с законностью. Легитимация не обладает юридическими функциями и не есть правовым процессом. Легитимация утверждает политику и власть, объясняет и оправдывает политические решения, создание политических структур, их изменение, обновление и т. п. Легитимация призвана обеспечить повиновение, согласие, политическое участие без принуждения, а если оно не достигается,— оправдание такого принуждения, использование силы и всех других средств, которыми располагает власть. Есть в истории и множество примеров, когда народы вынуждены покоряться власти, в душе презирая ее, при малейшей возможности отклоняясь от нее. В таких случаях правящие социальные силы неизбежно прибегают к давлению, применению силы. Страх становится основной формой проявления отношения людей к власти. Американский социолог Сеймур Мартин Липсет понимание проблемы легитимации политики рассматривает в зависимости от эффективности политической системы, утверждает, что стабильность любого государственного строя полностью зависела от его законности и эффективности. Законность, с точки зрения Сеймура Липсета, имеет оценочный характер, что связано со способностью системы формировать и поддерживать у масс убеждение в том, что функционирование существующих политических институтов самое рациональное. Эффективность преимущественно «инструментальна» и означает удовлетворенность процессов управления социальной системой.
Дата добавления: 2014-01-07; Просмотров: 458; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |