КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Тиристоры
Динистор − два выхода, тринистор – три выхода. Тиристором называют п/п прибор с тремя р - n -переходами. ВАХ имеет участок с отрицательным R диф. Тиристор используется для переключения. Он имеет четырехслойную структуру с тремя переходами П1, П2, П3 (три вывода). Напряжение источника подают так, чтобы П1, ПЗ – были открыты, а П2 – закрыт (рис. 2.27). Условное обозначение:
с управлением по аноду с управлением по катоду
Так как П1 и П3 открыты, то их сопротивления малы, а у закрытого П2 − велико. Все напряжение U пp приложено к П2, ток I пр − мал. При некотором U вкл.max происходит лавинообразное увеличение числа носителей заряда в П2, П2 имеет малое сопротивление, растет I пр, значит увеличивается RI пр, а U пр уменьшается (0,5−1) В, происходит переключение тиристора (он открывается).
Схема тринистора Величина I y − ток наименьшего удержания тиристора. Тиристор открыт до тех пор, пока ток через него превышает I y (КУ 102Г – кремниевый трехэлектродный, разновидность Г).
ВАХ тиристора
Величину U вкл можно снизить введением не основных носителей заряда тока в слой, прилегающий к П2, с помощью управляющего электрода. Во избежание пробоя необходимо, чтобы U обр < U обр.max. Кроме рассмотренных несимметричных тиристоров применяют симметричные, у которых обратная ветвь ВАХ совпадает с прямой (симистор). Это достигается встречно параллельным включением двух четырехслойных структур. Условное обозначение симметричного триодного тиристора. Основные параметры тиристоров следующие: 1) предельно допустимый анодный ток в открытом состоянии тиристора I пр.max; 2) предельно допустимое обратное напряжение U обр.max;
3) предельно допустимое прямое напряжение в закрытом состоянии тиристора U пр.max; 4) ток удержания (в открытом состоянии) I y. Применяются в управляемых выпрямителях и инверторах, коммутационной аппаратуре.
ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ (ИМС)
Усложнение электронных устройств, в которых количество элементов достигает сотен тысяч, вызвало: 1) снижение надежности; 2) увеличение габаритов и массы; 3) рост потребляемой энергии; 4) повышение стоимости. Создание новых изделий перспективно на основе элементной интеграции, т. е. объединения в одном миниатюрном элементе многих простейших элементов (диодов, транзисторов, резисторов). Полученный в результате объединения сложный элемент называют интегральными микросхемами (ИМС). ИМC − это электронное изделие с высокой плотностью упаковки электрически соединенных элементов, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала (ГОСТ 17021-75). Плотность упаковки (показатель миниатюризации) − количество элементов в единице объема (до 105 эл/см3). Степень интеграции − это количество элементов, входящих в ИМС; до 10 элементов − первая степень; от − 2 до 100 − вторая; до 101 – третья. Современная ИМС − до шестой степени. Основные достоинства ИМС: высокая надежность, малые размеры и масса, экономичность, быстродействие. Недостаток: небольшая выходная мощность. По технологии ИМС делят на: 1) гибридно-пленочные, выполняемые в виде пленок, наносимых на поверхность из диэлектрика (керамика, стекло, пластмасса) и навесных бескорпусных активных элементов (транзисторов, дросселей, конденсаторов), прикрепленных к основанию. С помощью масок и трафаретов на подложке формируются пассивные элементы. Плотность упаковки − 150 эл/см3, степень интеграции − первая, вторая. Обеспечивается высокая точность параметров; 2) полупроводниковые, в которых все элементы формируются в объеме или на поверхности пластинки полупроводника. Изготовление осуществляется в несколько этапов с помощью фотолитографии, диффузии, ионного легирования. Плотность упаковки − 105 эл/см3; степень интеграции – шестая.
По назначению ИМС делят на: 1) линейно-импульсные, в которых обеспечивается приблизительная пропорциональность между входными и выходными величинами (пример, усилитель); 2) логические ИМС, в которых выходное напряжение зависит от наличия или отсутствия напряжения на различных входах устройства. Обозначения ИМС состоит из четырех элементов: первый элемент − обозначает конструкторско-технологическое исполнение: 1, 5, 7 − полупроводниковые, 2, 4, 6, 8 − гибридные, 3 − прочие; второй элемент (две или три цифры) − порядковый номер разработки; третий элемент − две буквы − функциональное назначение; четвертый − порядковый номер разработки ИМС по функциональному признаку. Пример, КI40УД14А К − ИМС для широкого применения, I – полупроводниковая 40 − порядковый номер серии; УД − операционный усилитель; 14 − порядковый номер операционного усилителя; А − коэффициент усиления определенного значения.
Дата добавления: 2014-01-07; Просмотров: 732; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |