КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Понятие о зонной теории твердых тел
Лекция №23 Тема: Строение атома. Модели атома Томсона и Резерфорда и их недостатки. Дискретность энергетических уровней в атоме. Постулаты Бора. Теория водородоподобных атомов. Недостатки теории Бора.
Используя уравнение Шредингера – основное уравнение динамики в нерелятивистской квантовой механике, – в принципе можно рассмотреть задачу о кристалле, например, найти возможные значения его энергии, а также соответствующие энергетические состояния. Известно, что электроны, находясь внутри атома, обладают дискретными значениями энергии. Изолированные атомы, находящиеся друг от друга на макроскопических расстояниях, имеют совпадающие схемы энергетических уровней. По мере «сжатия» вещества до кристаллический решетки, т.е. когда расстояния между атомами станут равными межатомным расстояниям в твердых телах, взаимодействие между атомами приводит к тому, что энергетические уровни атомов смещаются, расщепляются и расширяются в зоны. Образуется так называемый зонный энергетический уровень. Заметно расщепляются и расширяются лишь уровни внешних валентных электронов, наиболее слабо связанных с ядром и имеющих наибольшую энергию, а также наиболее высокие уровни, которые в основном состоянии атома вообще электронами не заняты. Уровни же внутренних электронов слабо подвержены этому. Таким образом, в твердых телах внутренние электроны ведут себя также, как в изолированных атомах, внешние (валентные) же электроны «коллективизированы» – принадлежат всему твердому телу.
N атомов
ядро электрон
N уровней ширина зоны – ∆ Е Схематическое представление коллективизированных атомов
Образование зонного энергетического спектра в кристалле является квантово-механическим эффектом и вытекает из состояния неопределенностей. Благодаря переходу через потенциальный барьер внешних электронов атомов в кристалле, среднее время жизни валентного электрона в данном атоме по сравнению с изолированным атомом существенно уменьшается и составляет примерно 10-15с (для изолированного атома t = 10-8с). Время же жизни электрона в каком-либо состоянии связано с неопределенностью его энергии (шириной уровня) соотношением неопределенностей DЕ = .Следовательно, если естественная ширина спектральных линий составляет примерно 10-7 эВ, то в кристаллах DЕ = 1¸10 эВ, т. е. энергетические уровни валентных электронов расширяются в зону дозволенных значений энергии. Энергия внешних электронов может принимать значения в пределах разрешенных энергетических зон. Каждая разрешенная зона «вмещает» в себя столько близлежащих дискретных уровней, сколько атомов содержит кристалл. Расстояние между соседними энергетическими уровнями в зоне составляет приблизительно 10-22 эВ. Так как оно столь ничтожно, то зоны можно считать практически непрерывными, однако факт конечного числа уровней в зоне играет важную роль в определении характера распределения электронов по состояниям. Разрешенные энергетические зоны разделены зонами запрещенных значений энергии, называемыми запрещенными энергетическими зонами. В запрещенных зонах электроны находиться не могут. Ширина зон не зависит от размеров кристалла. Разрешенные зоны тем шире, чем слабее связь валентных электронов с ядрами. Итак, в общем случае в твердых телах образуется три зоны (рис. 6.35).
Е __________________ __________________ зона проводимости __________________ зона запрещенная DЕ0 О _________________ зона валентная
Схема расположения зон
Валентная зона полностью заполнена электронами и образована из энергетических уровней электронов внутренних оболочек свободных атомов. Зона проводимости (свободнаязона) либо частично заполнена электронами, либо свободна и образована из энергетических уровней внешних «коллективизированных» электронов изолированных атомов. В металлах эти зоны частично заполнены электронамиили перекрываются, а распределение электронов по энергиям подчиняется статистике Ферми-Дирака. Внутризонные переходы вполне возможны, т. к., например, при 1К энергия теплового движения КТ=10-4 эВ, то есть гораздо больше разности энергий между соседними уровнями зоны (10-22 эВ). Если в кристалле окажутся одна целиком заполненная (валентная) зона и одна свободная зона (проводимости), то это вещество будет полупроводникили диэлектрик в зависимости от ширины запрошенной зоны DЕ0. Различие между металлами и диэлектриками с точки зрения зонной теории состоит в том, что при ОК в зоне проводимости металлов имеются электроны, а в зоне проводимости диэлектриков они отсутствуют. Различие же между диэлектриком и полупроводником определяется шириной запрещенных зон: для диэлектриков она довольно широка (1 – 10 эВ) (например, для NaCl DЕ0 = 6эВ), для полупроводников – достаточно узка DЕ0 £ 1 эВ (например, для германия DЕ0 = 0,72 эВ). При температурах, близких к ОК, полупроводники ведут себя как диэлектрик, т.к. переброска электронов в зону проводимости не происходит. Проводимость полупроводников, с точки зрения зонной теории, объясняется тем, что дополнительная энергия необходимая для преодоления ширины запрещенной зоны, электрону сообщается за счет внешних факторов. Электрон, перешедший в зону проводимости, увеличивает электропроводимость полупроводника и оставляет в валентной зоне свободное место, которое называют дыркой. Во внешнем электрическом поле электрон с соседнего энергетического уровня в валентной зоне может перейти в дырку и оставит вместо себя свободное место – дырку. Дырка перемещается в направлении, обратном перемещению электрона, т. е. ведет себя в электрическом поле подобно положительному заряду. Итак, при внешних воздействиях полупроводник приобретает одновременно два типа проводимости – электронную и дырочную.
Дата добавления: 2014-01-07; Просмотров: 311; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |