Метод планарно-диффузионной технологии

Транзисторы ИМС

Для полупроводниковых ИМС транзисторы являются основными и наиболее сложными компонентами.

В современной интегральной полупроводниковой технике используются транзисторы двух типов - биполярные и полевые (МДП-транзисторы).

Транзисторы ИМС изготавливаются 2-мя методами:

- методом планарно-диффузионной технологии;

- методом эпитаксиально-планарной технологии.

Рис.9.13 Планарно-диффузионнаятехнология производства биполярного транзистора

(a) - в качестве исходной структуры берется пластина кремния, например, р -типа, на которую наносится защитный слой SiO2;

(б) - через незащищенные участки производится диффузия донорной примеси n-типа. В результате диффузии образуются изолированные n-слои - коллекторные области транзисторов.

(в) - повторная диффузия акцепторной примеси с целью получения базовых областей;

(г) - третья диффузия приводит к образованию эмиттеров.

После этого осуществляют омический контакт с областями коллектора, базы и эмиттера и создают контактные площадки, к которым впоследствии можно присоединить внешние выводы.

Недостаток: p-n-переход не имеет четкой границы. Это объясняется тем, что диффузия идет с поверхности материала. В связи с этим примесь в исходном материале распределяется неоднородно: на поверхности атомов примеси больше, а в глубине меньше. Нечеткость p-n-перехода существенно влияет на качество и свойства компонентов схемы.

Дата добавления: 2014-01-06