Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Удельный заряд конденсатора




Емкость конденсатора с диэлектриком

где ε0 – электрическая постоянная;

S – площадь электродов;

d - расстояние между ними.

где Е = U/d – напряженность электрического поля;

D – диэлектрическая индукция (смещение);

χ = ε – 1 – диэлектрическая восприимчивость диэлектрика;

Р = ε0*χ*Е – поляризованность диэлектрика.

Диэлектрическая проницаемость неоднородных диэлектриков. Плоский конденсатор с неоднородным диэлектриком можно рассмат­ривать как m параллельно или последовательно соединенных конденсаторов с однородными ди­электриками, соответственно относительная диэлектрическая проницаемость неодно­родного диэлектрика

,

где Ci - объемная концентрация i - го компонента, m - количество параллельно (последовательно) расположенных компонентов неоднородного диэлектрика.

Диэлектрическую проницаемость сложных твердых диэлектриков, представляющих собой смесь химически не взаимодействующих друг с другом компонентов, при не очень большом различии значений их диэлек­трических проницаемостей, можно определить на основании уравнения Лихтенеккера. В случае хаотического распределения обоих компонентов (например, в керамике) уравнение Лихтенеккера имеет вид

где εc, ε1, ε2 - относительные диэлектрические проницаемости смеси и от­дельных компонентов соответственно;

C1 и C2 - объемные концентрации компонентов, C1 + C2 = 1.

Электропроводность диэлектриков. В общем случае ток в диэлек­трике

I = Iсм + Iабс + Iскв,

где Iсм - ток смещения, Iабс - ток абсорбции, Iскв - ток сквозной проводимо­сти. Кратковременный ток смещения обусловлен быстрыми видами поля­ризации (электронной, ионной). Ток абсорбции обусловлен активными составляющими токов, связанных с замедленными (релаксационными) ме­ханизмами поляризации в полярных и неоднородных диэлектриках. Время протекания тока абсорбции зависит от типа диэлектрика и механизма по­ляризации. Во многих диэлектриках, используемых в качестве электриче­ской изоляции, ток абсорбции устанавливается за время меньше 1 минуты. При постоянном напряжении после установления тока абсорбции через диэлектрик будет протекать сквознойток.

Для твердых диэлектриков наиболее характерна ионная электропро­водность. Для многих ионных кристаллов удельная электропроводность экспоненциально зависит от температуры

,

где γ0 – удельная электрическая проводимость при начальной температуре;

ΔW - энергия активации перемещения ионов, Дж;

k - постоянная Больцмана;

T - температура, К.

В низкотемпературной области проводимость в основном определя­ется примесными ионами, в высокотемпературной области - собственны­ми ионами.

Поверхностное сопротивление твердого диэлектрика зависит от при­роды диэлектрика, температуры, влажности, приложенного напряжения и характеризуется удельным поверхностным сопротивлением ρs, Ом.

Поверхностное сопротивление диэлектрика

где a - расстояние между электродами, м;

b - ширина электрода, м.

Полная электрическая проводимость твердого диэлектрика опреде­ляется суммированием объемной и поверхностной проводимостей.

Диэлектрические потери - часть энергии электрического поля, ко­торая рассеивается в диэлектрике в виде тепла. Потери энергии в диэлек­трике обусловлены протеканием сквозного (объемного и поверхностного) тока и процессами установления поляризации при изменении напряженно­сти электрического поля.

Потери мощности на нагрев диэлектрика в постоянном электриче­ском поле

где U - напряжение, В; R - сопротивление диэлектрика, Ом.

Потери мощ­ности в единице объема диэлектрика называются удельными электриче­скими потерями и определяются по формуле

где E - напряженность электрического поля, В/м; ρ - удельное электриче­ское сопротивление, Ом*м.

В переменном электрическом поле, кроме потерь на электропровод­ность, в диэлектриках возникают релаксационные, ионизационные, резо­нансные потери.

Для количественной оценки потерь энергии используется тангенс угла диэлектрических потерь tgδ. В конденсаторе с идеальным диэлектри­ком, то есть диэлектриком без потерь, вектор тока Ic опережает вектор на­пряжения U на 90°. В реальных диэлектриках угол сдвига фаз φ между то­ком и напряжением меньше 90° за счет потерь, обусловленных протекани­ем активного тока Iа (рисунок 14).

Рисунок 14

Угол δ, дополняющий угол сдвига фаз между током и напряжением до 90°, называется углом диэлектрических потерь.

Диэлектрические потери (мощность, рассеиваемая в диэлектрике) ,

где ω = 2πf - угловая частота, рад/с; f- частота, Гц.

Удельные диэлектрические потери определяются выражением

,

где γа = (ε*f*tgδ)/(1,8*1010) - активная составляющая удельной проводимости диэлектрика, 1/(Oм*м).

Частотная зависимость потерь мощности в диэлектрике определяется характером зависимостей тангенса угла диэлектрических потерь tgδ и от­носительной диэлектрической проницаемости ε от частоты.

Коэффициент диэлек­трических потерь ε' = ε*tgδ.

Пробой диэлектриков. Минимальное напряжение Uпр, приводящее к образованию в диэлек­трике электропроводящего канала, называется пробивным напряжением. Электрическая прочность, то есть способность диэлектрика сохранять высокое удельное сопротивление, характеризуется напряженностью элек­трического поля при пробое изоляции в однородном электрическом поле

В/м,

где Uпр - пробивное напряжение, В; d - толщина диэлектрика, м.

 




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-12-07; Просмотров: 1038; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.011 сек.