Расчет параметров элементов схемы замещения транзистора

C _ЭД

r _Б

r _БЭ

r _К

r _КЭ

C _К

SU _БЭ

Б

К

Э

Э

Рис. 525-

Рассчитаем физические малосигнальные параметры П-образной схемы замещения

биполярного транзистора (рис. 5). Эта схема известна также в литературе под названиями «гибридная схема замещения» и «схема замещения Джиаколетто».

Напряжение коллектор-база в рабочейточке U_{КБ рт} рассчитаем по формуле:

U _{КБ рт} = E – I _{К рт} R _К – (I _{К рт} + I _{Б рт}) R _Э – U _{БЭ РТ}=

=

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база U _КБ = U _{КБ рт}:

=

где – емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база U _КБ = .

Значения и взяли из справочника, причем значение – из той же строки справочника, что и (колонка «Режимы измерения»).

Выходное сопротивление транзистора

=

Сопротивление коллекторного перехода транзистора

=

Сопротивление эмиттерного перехода транзистора для тока эмиттера

[Ом]=

Сопротивление эмиттерного перехода транзистора для тока базы

=

Сопротивление базы транзистора

r_б= ×τ_к/С_к

Диффузионная емкость эмиттерного перехода

=

где f _гр – граничная частота коэффициента передачи тока

f _гр = 20МГц

Крутизна транзистора

= м(А/В)

Дата добавления: 2014-12-24