Осаждение окисных пленок

Оценка параметров эпитаксиальных структур

• Толщина и удельное сопротивление - проводят путем непосредственных измерений.
• Толщина - с помощью ИК-спектроскопии.
• Удельное сопротивление
• измерение поверхностного сопротивления
• измерение сопротивления растекания
• исследование зависимости емкости p-n перехода от напряжения
• Оценка качества поверхности и совершенства структуры.
• Исследование времени жизни неосновных носителей.

• Общая характеристика процесса осаждения
• Кинетика осаждения из газовой фазы
• Оборудование
• Основные реакции
• Поликремний
• Двуокись кремния
• Нитрид кремния
• Пиролитическое осаждение пленок
• Сравнение различных методов осаждения пленок

Осаждение диэлектрических пленок и
поликристаллического кремния

Осаждение диэлектрических пленок широко используется для производства СБИС. Эти пленки:

• формируют проводящие участки внутри схемы,
• выполняют роль электрического изолятора между металлами,
• защищают поверхность от воздействия окружающей среды.

Основные используемые материалы:

• Поликремний - применяется как полуизолирующий материал для пассивации ИС.
• SiO₂ - предотвращает диффузию примесей щелочных металлов.
• Si₃N₄ - применяется в качестве маски для травления окисла и как подзатворный диэлектрик.
• SiN - применяется как пассивирующий слой и защитный слой от механических повреждений.

Наиболее распространены метод осаждения из парогазовых смесей при атмосферном и пониженном давлении и плазмохимическое осаждение из парогазовых смесей.

Требования к осаждаемым пленкам:

• толщина пленки должна быть однородной в каждом приборе и на всех подложках, обрабатываемых во время одного технологического процесса,
• структура и состав пленки должны быть полностью контролируемы и воспроизводимы,
• метод осаждения должен быть безопасен, полностью воспроизводим, должен обеспечивать возможность автоматизации и быть дешевым.

Дата добавления: 2014-12-27