Digitale Schaltungen der Bipolartechnik

КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА

по дисциплине «Иностранный язык(немецкий)»

(специальность 210602.65)

Вариант №7

Выполнил: слушатель 1 курса

уч. группы ИЗП 1-11

заочного отделения

мл.сержант вн. службы

Дашкин Н.И.

Проверил: Начальник кафедры РиИЯ,

д.ф.н., доцент, майор

внутренней службы

И.В. Булгакова

Воронеж – 2012

СОДЕРЖАНИЕ

1. Задание №1……..…………………………………………. стр. 3-5

2. Задание №№2,3,4………………………………………..…стр. 5-6

3. Задание №№5,6,7.…………………………………………стр.6

4. Задание №8……..………………………………………….стр.7-9

5. Задание№№9,10,11,12……………………………….……стр.9

6. Задание №№13,14………………………………………....стр.10

7. Список литературы………………………………………..стр.11

Задание№1.Переведите текст

1. Bipolare digitale Schaltungen werden in Übersteuerungslogik (ÜL) und in emitter-gekoppelte Logik (ECL) realisiert. Verschiedene ckarakteristische Realisierungen verwenden alle im Prinzip die gleiche Übersteuerungslogik-Schaltstufe (ÜL-SS). Unter Umständen kann darin Rc entfallen (offen-Kollektorstufe), wenn die folgende Anpaßstufe (AS) die Rc-Funktion mit übernehmen kann. Die in der (S)TTL-Schaltung gezeigte Schaltstufe (SS) arbeitet mit einem aktiven (geschalteten) Arbeitswiderstand des Transistorschalters Ts, bestehend aus einem Strombegrenzungswiderstand Rs, dem Arbeitstransistor und einer Verschiebediode. Die AS ist für diese Doppelansteuerung der Schaltstufe mit einer Phasenaufspaltestufe ausgerüstet.

2. Mit einer sicheren Einhaltung der Sperr- und der Übersteuerungsbedingung lassen sich alle Betriebs- und Herstellungstoleranzen beherrschen. Auf dieser Grundlage werden einfache und hochzuverlässige Schaltungen realisiert. Ihr Nachteil ist die mit dem Übersteuerungszustand (ÜZ) verbundene hohe Ausschaltverzögerungszeit ts.

3. Die maßgebliche Technik ist die TTL (Transistor-Transistor-Logik). Mit einem Multiemittertransistor (MET) wird UND-Funktion verknüpft. Die leistungsfähige Schaltstufe mit aktivem Arbeitswiderstand kann für Ausgangsfaktor Fa 10 oder 30 ausgelegt werden. In Schottky-TTL sind alle Transistoren und Dioden, die den Inverszustand (IZ) oder Übersteuerungszustand erreichen, mit einer Schottky-Diode „geklemmt".

4. In LSI-IE-Schaltungen wird mit geringerem Aufwand (Flächenbedarf) gearbeitet. Von den oben angegebenen Schaltkreisfamilien und Kombinationen sind vereinfachte IE-Schaltungsvarianten erprobt worden.

5. In Form der IIL (integrierte Injektionslogik) liegt aber ein Konzept vor, das die LSI-Bedingungen optimal nutzt und die Forderungen optimal realisiert. Diese Injektionslogik läßt sich nur unter LSI-IE-Bedingungen einsetzen und arbeitet mit minimalen Strömen und minimalen Flächenforderungen. Der ÜL-SS-Schalttransistor Ts wird als Multiemitter-Substrattransistor ähnlich wie der MET für die TTL-Technik realisiert, er wird aber invers betrieben, stellt also einen Multikollektor-npn-Vertikal­transistor dar. Der „Arbeitswiderstand“ ist hier ein lateraler pnp-Transistor. Beide Transistoren wurden verschmolzen (ineinandergeschoben).

6. Für extreme Anforderungen an die Arbeitsgeschwindigkeit (insbes. für VHSIC - very-high-speed IС) werden ECL-Schaltungen eingesetzt. Es wird mit konstanten Strömen in der Stromschaltlogik-Schaltstufe (SL-SS) gearbeitet, dabei befindet sich kein Transistor im Übersteuerungszustand und es werden trotzdem die Toleranzprobleme beherrscht. Das erfordert aber bei den ECL-Schaltungen einen höheren Schaltelemente - Flächen­aufwand.

Дата добавления: 2015-03-29