Принцип действия транзистора

В активном нормальном режиме при подключении к электродам транзистора напряжений Е_эбиЕ_кб эмиттерный переход смещается в прямом направлении, а коллекторный – в обратном.

В результате снижения потенциального барьера происходит инжекция электронов. Из-за высокого удельного сопротивления базы в базе повышается концентрация электронов. Коллекторный переход смещен в обратном направлении, за счет этого усиливается экстракция электронов из базы в коллектор, то есть в базе на границе с коллектором уменьшается концентрация электронов. В базе создается градиент концентраций электронов, поэтому электроны диффундируют от ЭП к КП. Большинство электронов, инжектированных в базу, не успевают рекомбинировать в ней с дырками. Рекомбинирует только небольшая часть электронов (примерно 1%). Остальные 99% электронов идут к коллектору, попадают в ускоренное поле коллекторного перехода и втягиваются в коллектор. Для нейтральности базы из нее во внешнюю цепь по выводу уходит часть электронов, равная рекомбинировавшей, которая и создает ток базы.

16. Токи в транзисторе.

По 1 з-ну Кирхгофа для транзистора ток эмиттера равен сумме тока базы и тока коллектора: I_э= I_б +I_к, где

I_э= I_эр +I_эрек +I_кн – ток эмиттера;

I_б= I_эр +I_эрек -I_к0 – ток базы. Этот ток составляет не более 1% от тока эмиттера; I_к0 – тепловой ток коллекторного перехода. Ток коллектора равен I_к= I_к0+ I_кн, где I_кн= αI_э.

Отсюда I_к= αI_э+ I_к0. Таким образом, в схемах с транзистором имеются две цепи: входная, в которую включается источник усиливаемых колебаний, и выходная, в которую включается нагрузочное сопротивление. Ток эмиттера I_э здесь является управляющим током, ток коллектора I_к – управляемым, а ток базы I_б – их разностью.

Дата добавления: 2015-05-06