Указания

Условия

Указания

Условия

Указания

Условия

Указания

Условия

Указания

Условия

Указания

Условия

Указания

Условия

U _кэ=0 - 10 В; I _б=0, 50, 100, 150 мкА.

Рекомендуется использовать схему на рис.2.6. В режиме DC Sweep в качестве источника 1 использовать U _кэ, в качестве источника 2 – I _б.

3. Получить и построить на одном графике семейство характеристик прямой передачи тока транзистора заданного типа при включении с общим эмиттером I _к= I _к(I _б)| U _кэ=const.

I _б=0 – 150 мкА; U _кэ=0, 5, 10 В.

Рекомендуется использовать схему на рис.2.6. В режиме DC Sweep в качестве источника 1 использовать I _б, в качестве источника 2 – U _кэ.

4. Получить и построить на одном графике семейство характеристик обратной связи по напряжению транзистора заданного типа при включении с общим эмиттером U _бэ= U _бэ(U _кэ)| I _б=const.

U _кэ=0 – 10 В; I _б=0, 50, 100, 150 мкА.

Рекомендуется использовать схему на рис.2.6. В режиме DC Sweep в качестве источника 1 использовать U _кэ, в качестве источника 2 – I _б.

5. Получить и построить на отдельных графиках для транзистора заданного типа семейства характериcтик: входных, выходных, прямой передачи тока и обратной связи по напряжению при включении с общей базой.

I _э=0 – 10 мА; U _кб=0, 5, 10 В (для входных характеристик), U _кб=0 – 10 В; I _э=0, 5, 10 мА (для выходных характеристик), I _э=0 – 10 мА; U _кб=0, 5, 10 В (для характеристик прямой передачи тока), U _кб=0 – 10 В; I _э= 0, 5, 10 мА (для характеристик обратной связи по напряжению).

Рекомендуется использовать схему, подобную приведенной на рис.2.6, с изменениями, учитывающими переход к другой схеме включения транзистора.

6. Получить и построить на одном графике входные характеристики для заданного типа транзистора при включении по схеме с общим эмиттером при различных температурах.

I _б=0 – 150 мкА; U _кэ=10 В. Использовать значения температуры 27⁰С и 50⁰C.

См. указания к п.1 раздела 1.4.

7. Получить и построить на одном графике выходные характеристики для заданного типа транзистора при включении по схеме с общим эмиттером при различных температурах.

U _кэ=0 – 10 В; I _б=0, 50, 100, 150 мкА. Использовать значения температуры 27⁰С и 50⁰C.

См. указания к п.1 раздела 1.4.

8. Определить H -параметры для заданного типа биполярного транзистора.

Заданная рабочая точка.

Для определения параметров можно воспользоваться схемой на рис.2.6 или подобной ей, включив в нее необходимые измерительные приборы (вольтметр во входную и амперметр в выходную цепи). Значения параметров находятся по результатам малых приращений токов и напряжений в цепях транзистора согласно их определениям.

Более точное и быстрое нахождение параметров возможно с помощью команды Transfer Function в разделе Analysis. Предварительно в схеме следует определить значения источников в соответствии с заданной рабочей точкой. Далее, в окне Тransfer Function Analysis производятся необходимые установки. Так, например, если установить режим Voltage и отметить в строчке Output Node номер узла (4), напряжение в котором является функцией тока, отмечаемого в строчке Input Source (источник тока в цепи базы), то результатом моделирования будет определение дифференциальной передаточной функции между напряжением и током (дифференциального входного сопротивления). Значение дифференциального входного сопротивления (h ₁₁, Ом) отсчитывается в строке Transfer Function открывающегося после завершения моделирования окна. Если установить номер узла выходного напряжения 5, то в результате определится параметр h ₂₁. Параметры h ₂₂ и h ₁₂ будут найдены, если в строчке Input Source отметить источник напряжения в коллекторной цепи, а в строчке Output Node – номера узлов соответственно 2 и 4.

9. Для схем на рис.2.3 и 2.4, содержащих транзистор заданного типа, выбрать значения элементов R _б, R _б1, R _б2, R _э, обеспечивающих работу в заданном режиме (рабочей точке). Проверить правильность выбора при помощи моделирования.

Дата добавления: 2015-05-06