Операция совмещения. Виды знаков совмещения, последовательность их формирования

Процессы совмещения включают три этапа

1.Предварительное ориентация по базовому срезу, обеспечивает на границах модулей групповой пластины наивыгоднейщую кристаллографическую плотность с точки зрения разделения пластины на отдельные кристаллы.

2.Предварительное грубое совмещение по границе крайних модулей, имеющее целью исключить поворот пластины и ФШ относительно вертикальной оси z.

3.Точное совмещение, исключающее смещение рисунка ФШ и пластины относительно осей х,у.

Совмещение считается выполненным, если при введении одного знака в другой по всему контуру просматривается одинаковый зазор (номинальный зазор). δном=δmin+Dинс+(Dш+Dп)/2,

δmin=200/Г- предельное разрешение системы "глаз - микроскоп" (200мкм –линейное разрешение нормального глаза);

Г-кратность увеличения микроскопа;

Dш+Dп – абсолютная предельная погрешность размера знака соответственно на шаблоне и пластине (Dш=0,2-0,3 мкм,Dп=0,5мкм);

Dинс - абсолютная инструментальная погрешность (Dинс=0,5-1 мкм)

Таким образом, в зависимости от фактических значений случайных погрешностей, реальный зазор может колебаться в пределах от δmax до δmin, а абсолютная предельная погрешность совмещения Dс для контролируемого модуля групповой пластины: Dс=δmax-δmin=Dп+Dш+Dи+Dt+Dдоб, где Dt - абсолютная предельная погрешность шага расположения модулей на групповом ФШ; Dдоб- дополнительное расширение зазора, которое может предусматриваться для снижения зрительного напряжения оператора. Погрешность совмещения учитывается при расчёте размеров областей каждого слоя. Обычно ФШ очередного слоя совмещается с предыдущим (по ходу технологического процесса) слоем, уже сформированном на пластине. В частности, слой контактных окон совмещается с эмиттерным слоем, а слой металлизации - со слоем контактных окон. Поскольку контактные окна и металлические контакты формируются одновременно для всех областей структуры, погрешность совмещения накапливается и для эмиттерных областей входит в размер величиной 4Dc, для базовых областей - 6Dc, для коллекторных - 8Dc. Поэтому совершенствование процессов литографии (уменьшение Dш и Dп) и применяемого оборудования (Dи и Dt)является важной и постоянной задачей конструкторов и технологов

23.Технологические операции процесса литографии. Схема процесса контактной фотолитографии.

Фотолитография. Технологический цикл процесса фотолитографии. Способы нанесения фотослоя. Типы фоторезистов. Фотошаблоны. Знаки совмещения

Контактная фотолитография

Шаблон прикладывается непосредственно к нанесенному на подложку слою фоторезиста и экспонируется.

Недостатки:

Возможные механические повреждения ФШ (=> частая замена ФШ)

Налипание ФР на ФШ, из-за этого невозможно плотное прилегание ФШ => искажение рисунка

Всегда есть мельчайший сдвиг ФШ между совмещением и экспонированием.

Дата добавления: 2015-04-24