Исследование свойств полупроводниковых диодов

Лабораторная работа №2

				ВАХ диода при прямом сдвиге p-n перехода
Eпит,В
Uпр,В		0,0177	0,0282	0,0356	0,0414	0,0461	0,0501	0,0566	0,0618	0,0662
Iпр,мА		0,982	1,97	2,96	3,96	4,95	5,95	7,94	9,94	11,9
				ВАХ диода при обратном сдвиге p-n перехода
Eпит,В
Uобр,В		4,5		9,5		14,5		19,5		24,5
Iобр,мА		5,5		10,5		15,5		20,5		25,5

ВАХ диода при прямом сдвиге p-n переход

ВАХ диода при обратном сдвиге p-n перехода

Вывод: прямая характеристика имеет (или обычно имеет) три участка. Когда при
небольшом напряжении ток возрастает незначительно (диод полуоткрыт) затем
наблюдается плавный (у германиевых диодов и более резкий у кремниевых диодов
перегиб характеристики. Диод переходи в полностью открытое состояние
характеризующееся незначительным ростом прямого напряжения на диоде и
значительным ростомтока действующего в прямом направлении. Затем в реальных
диодах возникает область пробоя из-за перегрева p-n перехохода. После этого
диод всегда проводит, тоесть теряет свои свойства выпрямления. К сожалению
на модели мы этого можем не увидеть.

Дата добавления: 2015-06-04