Фоторезистор

Явл-е изменения сопр-я п/п под действием свет потока наз-ся фоторезистивным,а проводимость п/п – фотопроводимостью (см. рис.) Все фоторез-ры реализуют два эффекта проводимости:1) межзонная провод-ть – закл-ся в переходе эл-нов из зоны провод-ти в валент зону и наоборот.При ионизации матричных атомов эл-ны, переходя из ЗП, формируют светопроводимость (см. рис.)

Для формир-я такой провод-ти кристаллу надо приложить энергию равную ширине ЗП.2) примесная фотопровод-ть – для получения фотопровод-ти при меньшем знач потреб энергии, исп-ние примесной фотопровод-ти закл-ся в том, что например в п/п n-типа провод-ти вводят донорную примесь.Тогда для переброса эл-нов в ЗП необходима энергия Eд << Eg = Eсв

Eд наз-ся еще энергией ионизации примесн атомов,если за 0 взять E_С.Фоторезист-ый эффект присутствует всегда в люб материале и в люб конструкции п/п прибора, т. е. в объеме и на поверхн-ти п/п,явл-ся основой конструкции диода,транзистора, семистора и т. д.В схемах фоторез-р всегда вкл-ся в кач-ве фотоделителя, соотношение делителей 1 к 10 и более только в этом случае сопротивление R будет не в состоянии изменять ток фоторез-ра. Сигнал прошедший через фоторез-р изменяет форму. Простейшая конструкция фоторез-ра имеет вид:

1 – фоторезистивный слой;

2 – прозрачная подложка.

Дата добавления: 2015-06-04