Разработка схемы маршрута

1. За основу разработки укрупненного плана обработки корпуса принимается типовая схема последовательности этапов обработки (см. табл. 1.19).

2. В результате анализа простановки размеров (см. рис. 1.16 и 1.32) и технических требований к расположению поверхностей, устанавливается, что основными базами детали являются: поверхность 1 - установочная явная база, ось 1-1 - двойная упорная скрытая база, ось 2-2 упорная скрытая база, используемая для наложения связи, лишающей детали поворота вокруг оси 1-1.

Конструкция детали дает возможность использования при установках заготовки на первых операциях поверхности L (для обработки платиков 1k в размер ) и поверхностей G и F (для материализации осей 1-1 и 2- 2 соответственно).

Имеется также возможность использования отверстий 9k в платиках в качестве специальных технологических баз для установки заготовки по плоскости и двум отверстиям.

3. Выделяются технологические комплексы поверхностей, которые следует обрабатывать с одной установки, исходя из заданной точности их взаимного расположения: комплекс I- поверхности 1k, которые должны лежать в одной плоскости, и торец 2; комплекс II-отверстия 4 и 5 и торец 3; комплекс III - отверстия 6k и торцы 7 и 8.

С учетом удобства обработки с одной установки, постоянства настройки станка и общности кондукторов и установочных приспособлений объединяются в технологические комплексы: комплекс IV-отверстия 9k и 10k; комплекс V - отверстия 11k.

4. Исходя из заданных требований к расположению поверхностей устанавливается следующая последовательность обработки разных технологические комплексов. Сначала обрабатываются поверхности комплекса I, включающие основную установочную явную базу; потом поверхности комплекса II, так как ось 1 - 1 должна быть перпендикулярной к поверхности 1k; затем поверхности комплекса III, поскольку положение оси 2-2 задано относительно плоскости 1k и оси 1-1. После этого можно вести обработку поверхностей комплексов IV а V.

Таким образом, принятая нумерация технологических комплексов соответствует рациональной последовательности включения их в обработку.

Принятые решения о составе технологических комплексов поверхностей и об очередности включения их в обработку с указанием выходных характеристик точности обработанных поверхностей приведены в табл. 1.20.

5. По данным табл. 1.19 устанавливаются ориентировочно для каждого комплекса поверхностей перечень этапов обработки, а для каждой поверхности - число ступеней обработки; подбирается оборудование и разрабатываются схемы установок. Принятые решения занесены в табл. 1.20.

Таблица 1.20

Первый вариант технологического процесса изготовления корпуса редуктора

Номера комплекса поверхнос-тей

I

II

III

IV

V

Номер поверхнос-ти

1к

6к

9к

10к

11к

9

Требуемая точность

17js12

42±0,2

116±0,5

Æ180Н7

Æ62Н7

Æ62Н7

31±0,5

-0,5 207-1,5

М12

М8

М8

Число ступеней обработки

Операция (черновая)

005 Токарная

010 Токарно-карусельная

015 Горизонт.- расточная

Оборудо-вание

Установ

У12

У21

У31

Число ступеней обраб.

Точность обработки

17js12

42±0,2

116±0,5

IT12

IT12

IT12

31±0,5

-0,5 207-1,5

Продолжение табл. 1.20

Операция (получис-товая)

Токарно-карусельная

Горизонт.- расточная

030 Сверлильная

Свер- лиль-ная

Оборудо-вание

2Е52

2Е52

Установ

У22

У32

Число ступеней обраб.

Точность обработки

IT9

IT9

IT9

IT9

8H

8H

8H

Операция (чистовая)

040 Токарно-карусельная

045 Горизонт.- расточная

Оборудо-вание

Установ

У22

У32

Число ступеней обраб.

Точность обработки

Æ180Н7

Æ62Н7

Æ62Н7

Каждая из приведенных ниже схем базирования обозначена буквой У и двумя цифрами: первая цифра указывает номер комплекса обрабатываемых поверхностей, вторая – номер варианта схемы базирования.

При обработке первых трех комплексов поверхностей возможны две схемы базирования: по принципу совмещения технологических и конструкторских баз (рис. 1.33,а,б,в) и по принципу постоянства технологических баз (рис. 1.33,б,в).

Рис. 1.33. Схемы базирования при обработке поверхностей: а – комплекса I; б – комплекса II; в – комплекса III

На схемах базирования У11 и У12, показанных на рис. 1.33,а, представлены два решения обработки комплекса I поверхностей: фрезерование и обработка на токарно-карусельном станке. При отсутствии продольно-фрезерного станка второе решение предпочтительно: поверхности 1k располагаются в одной плоскости, обеспечивается совмещение переходов за счет использования бокового и верхнего суппортов.

На схемах базирования У21, У22 (рис. 1.33,б) и У31 (рис. 1.33,в) показаны токарно-карусельная черновая и чистовая операции обработки комплекса II поверхностей и расточные операции обработки комплекса III поверхностей при базировании по принципу совмещения технологических и конструкторских баз. Схема У22 предусматривает использование выдвижного пальца для центрирования по отверстию диаметром 62 мм (после закрепления детали палец выводят из отверстия).

Для базирования с соблюдением принципа постоянства технологических баз на схемах установок У23 (рис. 1.33,б) и У32 (рис. 1.33,в) показаны установки заготовки при обработке комплексов II и III поверхностей на разных станках, а на схеме установки У33-при обработке комплексов II и III поверхностей в одну операцию на двух позициях. Очевидно, установки по схемам У23 и У32 не следует применять, так как смещения и повороты заготовки при двукратной установке на два пальца внесут нежелательные погрешности во взаимное расположение поверхностей комплексов II и III. При использовании принципа постоянства баз сразу после обработка комплекса I поверхностей необходимо сверлить и развертывать специальные базовые отверстия. Как показано на схеме установки У41 (рис. 1.34), для выполнения этой операции требуется довольно сложное установочно-зажимное приспособление, применение которого окупается только при достаточно-большом объеме производства.

В табл. 1.20 занесены решения, соответствующие схеме базирования по принципу совмещения технологических и конструкторских баз.

Схема базирования при обработке комплексов IV и V поверхностей (крепежных отверстий) на радиально-сверлильном станке не представляют особого интереса и поэтому не показаны.

Рис. 1.34. Схем базирования для обработки баз

6. Для корпуса червячного редуктора не требуется включения в технологический процесс специальных операций, обеспечивающих особые характеристики серединных и поверхностных слоев материала детали, весовые параметры и товарный вид.

Высокотемпературный отжиг для снятия внутренних напряжений первого рода можно выполнить до начала механической обработки.

Уменьшение влияния сил закрепления и накопленных тепловых деформаций на точность предусмотрено разделением процесса обработки на три этапа: черновой, получистовой и чистовой.

7. В условия поставки заготовки включается выполнение высокотемпературного отжига для снятия внутренних напряжений первого рода.

Дата добавления: 2015-06-04