Студопедия

КАТЕГОРИИ:

Главная
Случайная страница
Познавательное
Новые статьи
Контакты
Заказать работу

Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

SOT-343 16 страница


⇐ Предыдущая123456789Следующая ⇒


SOT23, SOD23 (продолжение)

 

Код Типономинал Фирма Функ ция Особенности Цоколевка
     
T2 BCX18 ZETEX PNP VCB0=-30B;IC=-500MA; PD=330мВт; h21=100...600; fT>100МГц B E C
T2p BCX18 PHIL PNP VCB0=-25B;IC=-500MA; PD=250мВт; h21=100...600; fT=100МГц B E C
T3 HSMS-2863 HP 2xSHD VBR>5B; VF(IF =30MA)<0.6B; CT<0.30пФ; RD=10OM K1 K2 A1 A2
T35 BSR20 CDIL PNP VCB0=-130B;IC=-600MA; PD=250мВт; h21>40; fT=400МГц B E C
T35 BSR20 PHIL PNP VCB0=-130B;IC=-600MA; PD=250мВт; h21>40; fT=100...400МГц B E C
T36 BSR20A CDIL PNP VCB0=-160B;IC=-600MA; PD=250мВт; h21>60; fT=300МГц B E C
T36 BSR20A PHIL PNP VCB0=-160B;IC=-600MA; PD=250мВт; h21>60; fT=100...300МГц B E C
T4 HSMS-2864 HP 2xSHD VBR>5B; VF(IF =30MA)<0.6B; CT<0.30пФ; RD=10OM A1 A2 K1K2
T4 BCX17R ZETEX PNP VCB0=-50B;IC=-500MA; PD=330мВт; h21=100...600; fT>100МГц B E C
T5 BCX18R ZETEX PNP VCB0=-30B;IC=-500MA; PD=330мВт; h21=100...600; fT>100МГц B E C
T7 BSR15 CDIL PNP VCB0=-60B;IC=-600MA; PD=250мВт; h21>30; fT>200МГц B E C
T7 SST4117 SIL nFET VDS=40B; PD=350мВт; IDSS=0.03...0.09MA; gF=70MCM D S G
T7p BSR15 PHIL PNP VCB0=-60B;IC=-600MA; PD=250мВт; h21>30; fT>200МГц B E C
T8 BSR16 CDIL PNP VCB0=-60B;IC=-600MA; PD=250мВт; h21>50; fT>200МГц B E C
T8 SST4118 SIL nFET VDS=40B; PD=350мВт; IDSS=0.08...0.24MA; gF=80MCM D S G
T8p BSR16 PHIL PNP VCB0=-60B;IC=-600MA; PD=250мВт; h21>50; fT>200МГц B E C
T9 SST4119 SIL nFET VDS=40B; PD=350мВт; IDSS=0.2...0.6MA; gF=100MCM D S G
T92 BSR18A CDIL PNP VCB0=-40B;IC=-200MA; PD=250мВт; h21=100...300; fT>250МГц B E C
T92 BSR18A PHIL PNP VCB0=-40B;IC=-200MA; PD=250мВт; h21=100...300; fT>250МГц B E C
TA KTC3295A KEC NPN VCB0=60B;IC=150MA; PD=150мВт; h21=600...1800; fT>250МГц B E C
TB KTC3295B KEC NPN VCB0=60B;IC=150MA; PD=150мВт; h21=1200...3600; fT>250МГц B E C
U1 BCX19 ALLEG NPN VCB0=50B; ICB0<100нA; h21=100…600; VCE(sat)<0.62B B E C
U1 BCX19 CDIL NPN VCB0=45B;IC=500MA; PD=250мВт; h21=100...600; fT>100МГц B E C
U1 BCX19 ZETEX NPN VCB0=50B;IC=500MA; PD=330мВт; h21=100...600; fT>200МГц B E C
U1p BCX19 PHIL NPN VCB0=45B;IC=500MA; PD=250мВт; h21=100...600; fT>100МГц B E C
U2 BCX20 ALLEG NPN VCB0=30B; ICB0<100нA; h21=100…600; VCE(sat)<0.62B B E C
U2 BCX20 CDIL PNP VCB0=-25B;IC=-500MA; PD=250мВт; h21=100...600; fT>100МГц B E C
U2 BCX20 ZETEX NPN VCB0=30B;IC=500MA; PD=330мВт; h21=100...600; fT>200МГц B E C
U2p BCX20 PHIL PNP VCB0=-25B;IC=-500MA; PD=250мВт; h21=100...600; fT>100МГц B E C
U35 BSR19 CDIL NPN VCB0=160B;IC=600MA; PD=250мВт; h21>60; fT=300 B E C
U35 BSR19 PHIL NPN VCB0=160B;IC=600MA; PD=250мВт; h21>60; fT=300 B E C
U36 BSR19A CDIL NPN VCB0=180B;IC=600MA; PD=250мВт; h21>80; fT=300 B E C
U36 BSR19A PHIL NPN VCB0=180B;IC=600MA; PD=250мВт; h21>80; fT=300 B E C
U4 BCX19R ZETEX NPN VCB0=50B;IC=500MA; PD=330мВт; h21=100...600; fT>200МГц B E C
U5 BCX20R ZETEX NPN VCB0=30B;IC=500MA; PD=330мВт; h21=100...600; fT>200МГц B E C
U7 BSR13 CDIL NPN VCB0=60B;IC=800MA; PD=250мВт; h21=100...600; fT>250МГц B E C
U7p BSR13 PHIL NPN VCB0=60B;IC=800MA; PD=250мВт; h21=100...600; fT>250МГц B E C
U8 BSR14 CDIL NPN VCB0=75B;IC=800MA; PD=250мВт; h21=100...600; fT>300МГц B E C
U8p BSR14 PHIL NPN VCB0=75B;IC=800MA; PD=250мВт; h21=100...600; fT>300МГц B E C
U92 BSR17R CDIL NPN VCB0=60B;IC=200MA; PD=250мВт; h21=100...600; fT>300МГц B E C
U92 BSR17R PHIL NPN VCB0=60B;IC=200MA; PD=350мВт; h21=100...600; fT>300МГц B E C
U9p BSR17 PHIL PNP VCB0=-40B;IC=-200MA; PD=425мВт; h21=40; fT>300 B E C
UF BB801 SIEM BD VR<30B; IF<50MA; IR<0.02мкА; C28V=0.28...1.2пФ; C1V/C28V=7.8...9.5 A nc K
V0 VP0610T SIL pMOS VDS=-60B; ID=120MA; PD=360мВт; gF=70MCM; RDS(ON)=10OM G S D
V1 VN50300T SIL nMOS VDS=500B; ID=22MA; PD=350мВт; gF=140MCM; RDS(ON)=25OM G S D
V1 DZ23C2V7 VISH 2xDZ VZ=2.5...2.9B; ZZT(IZ=5MA)=83OM A1 A2 K1K2
V10 DZ23C6V2 VISH 2xDZ VZ=5.8...6.6B; ZZT(IZ=5MA)=10OM A1 A2 K1K2
V11 DZ23C6V8 VISH 2xDZ VZ=6.4...7.2B; ZZT(IZ=5MA)=8OM A1 A2 K1K2
V12 DZ23C7V5 VISH 2xDZ VZ=7.0...7.9B; ZZT(IZ=5MA)=7OM A1 A2 K1K2

SOT23, SOD23 (продолжение)

 

Код Типономинал Фирма Функ ция Особенности Цоколевка
     
V13 DZ23C8V2 VISH 2xDZ VZ=7.7...8.7B; ZZT(IZ=5MA)=7OM A1 A2 K1K2
V13 ZC932 ZETEX BD VR<12B; CD(VR=2.5B)=8.5...10.5 пФ; C2V/C20V<3.1; Q>200 A nc K
V14 DZ23C9V1 VISH 2xDZ VZ=8.5...9.6B; ZZT(IZ=5MA)=10OM A1 A2 K1K2
V14 ZC931 ZETEX BD VR<12B; CD(VR=2.5B)=8.5...10.5 пФ; C2V/C20V<3.1; Q>200 A nc K
V15 DZ23C10 VISH 2xDZ VZ=9.4...10B; ZZT(IZ=5MA)=15OM A1 A2 K1K2
V15 ZC930 ZETEX BD VR<25B; CD(VR=2.5B)=4.3...5.5 пФ; C1V/C4V<3.0; Q>200 A nc K
V16 DZ23C11 VISH 2xDZ VZ=10.4...11B; ZZT(IZ=5MA)=20OM A1 A2 K1K2
V16 ZC934 ZETEX BD VR<12B; CD(VR=2.5B)=40...65 пФ; C1V/C4V<3.8; Q>80 A nc K
V17 DZ23C12 VISH 2xDZ VZ=11.4...12B; ZZT(IZ=5MA)=20OM A1 A2 K1K2
V17 ZC933 ZETEX BD VR<12B; CD(VR=2.5B)=18...27 пФ; C1V/C4V<3.5; Q>150 A nc K
V18 DZ23C13 VISH 2xDZ VZ=12.4...14B; ZZT(IZ=5MA)=25OM A1 A2 K1K2
V19 DZ23C15 VISH 2xDZ VZ=13.8...15B; ZZT(IZ=5MA)=30OM A1 A2 K1K2
V2 VN0605T SIL nMOS VDS=60B; ID=180MA; PD=360мВт; gF=80MCM; RDS(ON)=50OM G S D
V2 DZ23C3V0 VISH 2xDZ VZ=2.8...3.2B; ZZT(IZ=5MA)=95OM A1 A2 K1K2
V20 DZ23C16 VISH 2xDZ VZ=15.3...17B; ZZT(IZ=5MA)=40OM A1 A2 K1K2
V21 DZ23C18 VISH 2xDZ VZ=16.8...19B; ZZT(IZ=5MA)=50OM A1 A2 K1K2
V22 DZ23C20 VISH 2xDZ VZ=18.8...21B; ZZT(IZ=5MA)=50OM A1 A2 K1K2
V23 DZ23C22 VISH 2xDZ VZ=20.8...23B; ZZT(IZ=5MA)=55OM A1 A2 K1K2
V24 DZ23C24 VISH 2xDZ VZ=22.8...25B; ZZT(IZ=5MA)=80OM A1 A2 K1K2
V25 PMBT3640 PHIL PNP VCB0=-12B;IC=80MA; PD=350мВт; h21=30...120; fT>500МГц B E C
V25 DZ23C27 VISH 2xDZ VZ=25.1...28B; ZZT(IZ=2MA)=80OM A1 A2 K1K2
V26 DZ23C30 VISH 2xDZ VZ=28...32B; ZZT(IZ=2MA)=80OM A1 A2 K1K2
V27 DZ23C33 VISH 2xDZ VZ=31...35B; ZZT(IZ=2MA)=80OM A1 A2 K1K2
V28 DZ23C36 VISH 2xDZ VZ=34...38B; ZZT(IZ=2MA)=90OM A1 A2 K1K2
V29 DZ23C39 VISH 2xDZ VZ=37...41B; ZZT(IZ=2MA)=90OM A1 A2 K1K2
V3 DZ23C3V3 VISH 2xDZ VZ=3.1...3.5B; ZZT(IZ=5MA)=95OM A1 A2 K1K2
V30 DZ23C43 VISH 2xDZ VZ=40...46B; ZZT(IZ=2MA)=100OM A1 A2 K1K2
V31 DZ23C47 VISH 2xDZ VZ=44...50B; ZZT(IZ=2MA)=100OM A1 A2 K1K2
V32 DZ23C51 VISH 2xDZ VZ=48...54B; ZZT(IZ=2MA)=100OM A1 A2 K1K2
V4 DZ23C3V6 VISH 2xDZ VZ=3.4...3.8B; ZZT(IZ=5MA)=95OM A1 A2 K1K2
V5 DZ23C3V9 VISH 2xDZ VZ=3.7...4.1B; ZZT(IZ=5MA)=95OM A1 A2 K1K2
V6 DZ23C4V3 VISH 2xDZ VZ=4.0...4.6B; ZZT(IZ=5MA)=95OM A1 A2 K1K2
V7 DZ23C4V7 VISH 2xDZ VZ=4.4...5.0B; ZZT(IZ=5MA)=78OM A1 A2 K1K2
V8 DZ23C5V1 VISH 2xDZ VZ=4.8...5.4B; ZZT(IZ=5MA)=60OM A1 A2 K1K2
V9 DZ23C5V6 VISH 2xDZ VZ=5.2...6.0B; ZZT(IZ=5MA)=40OM A1 A2 K1K2
W10 CMPZDA27V CENTS 2xDZ VZ(IZT=2.0MA)=25...29B; IL(VR =18.9B)<0.05мкА; ZZT(IZT=2.0MA)<80OM; IZM=6.2мА K2 K1 A2A1
W11 CMPZDA30V CENTS 2xDZ VZ(IZT=2.0MA)=28...32B; IL(VR =21.0B)<0.05мкА; ZZT(IZT=2.0MA)<80OM; IZM=5.6мА K2 K1 A2A1
W12 CMPZDA33V CENTS 2xDZ VZ(IZT=2.0MA)=31...35B; IL(VR =23.1B)<0.05мкА; ZZT(IZT=2.0MA)<80OM; IZM=5.0мА K2 K1 A2A1
W1s BFT92 SIEM PNP VCB0=-20B;IC=-25MA; PD=200мВт; h21>20; fT=5000МГц B E C

SOT23, SOD23 (продолжение)

 

Код Типономинал Фирма Функ ция Особенности Цоколевка
     
W6 BZX84C3V3 CENTS DZ VZ(IZT=5MA)=3.1...3.5B; IL(VR =1.0B)<5.0мкА; ZZT(IZT=5MA)<95OM; IZM<76мА A nc K
W7 BZX84C3V6 CENTS DZ VZ(IZT=5MA)=3.4...3.8B; IL(VR =1.0B)<5.0мкА; ZZT(IZT=5MA)<90OM; IZM<69мА A nc K
W74 BAW74 ZETEX 2xDI VR<50B; IF<150MA;VF(IF =100MA)<1.0B; IR<0.1мкА; CD<2.0пФ; tRR<4нc A1 A2 K1 K2
W8 BZX84C3V9 CENTS DZ VZ(IZT=5MA)=3.7...4.1B; IL(VR =1.0B)<3.0мкА; ZZT(IZT=5MA)<90OM; IZM<64мА A nc K
W9 BZX84C4V3 CENTS DZ VZ(IZT=5MA)=4.0...4.6B; IL(VR =1.0B)<3.0мкА; ZZT(IZT=5MA)<90OM; IZM<58мА A nc K
WCs BCR133 SIEM D-NPN VCB0=50B;IC=100MA; PD=200мВт; h21>30; fT>130МГц B E C
WDs BCR141 SIEM D-NPN VCB0=50B;IC=100MA; PD=200мВт; h21>50; fT>130МГц B E C
Wes BCR148 SIEM D-NPN VCB0=50B;IC=70MA; PD=200мВт; h21>70; fT>100МГц B E C
WFs BCR112 SIEM D-NPN VCB0=50B;IC=100MA; PD=200мВт; h21>20; fT>140МГц B E C
WGs BCR116 SIEM D-NPN VCB0=50B;IC=100MA; PD=200мВт; h21>70; fT>160МГц B E C
WHs BCR108 SIEM D-NPN VCB0=50B;IC=100MA; PD=200мВт; h21>70; fT>170МГц B E C
Wis BCR158 SIEM D-PNP VCB0=-50B;IC=-100MA; PD=200мВт; h21>70; fT>200МГц B E C
WJs BCR135 SIEM D-NPN VCB0=50B;IC=100MA; PD=200мВт; h21>70; fT>150МГц B E C
WKs BCR119 SIEM D-NPN VCB0=50B;IC=100MA; PD=200мВт; h21=120...630; fT>150МГц B E C
WLs BCR146 SIEM D-NPN VCB0=50B;IC=70MA; PD=200мВт; h21>50; fT>150МГц B E C
WMs BCR183 SIEM D-PNP VCB0=-50B;IC=-100MA; PD=200мВт; h21>30; fT>200МГц B E C
WNs BCR185 SIEM D-PNP VCB0=-50B;IC=-100MA; PD=200мВт; h21>70; fT>200МГц B E C
WOs BCR191 SIEM D-NPN VCB0=-50B;IC=-100MA; PD=200мВт; h21>50; fT>200МГц B E C
WRs BCR198 SIEM D-PNP VCB0=-50B;IC=-70MA; PD=200мВт; h21>70; fT>190МГц B E C
WSs BCR169 SIEM D-PNP VCB0=-50B;IC=-100MA; PD=200мВт; h21=120...630; fT>200МГц B E C
WTs BCR166 SIEM D-PNP VCB0=-50B;IC=-100MA; PD=200мВт; h21>70; fT>160МГц B E C
WUs BCR162 SIEM D-PNP VCB0=-50B;IC=-100MA; PD=200мВт; h21>20; fT>200МГц B E C
WVs BCR129 SIEM D-NPN VCB0=50B;IC=100MA; PD=200мВт; h21=120...630; fT>150МГц B E C
WW7 CMPZDA3V6 CENTS 2xDZ VZ(IZT=5.0MA)=3.4...3.8B; IL(VR =1.0B)<2.0мкА; ZZT(IZT=5.0MA)<95OM; IZM=45мА K2 K1 A2 A1
WW8 CMPZDA3V9 CENTS 2xDZ VZ(IZT=5.0MA)=3.7...4.1B; IL(VR =1.0B)<2.0мкА; ZZT(IZT=5.0MA)<90OM; IZM=43мА K2 K1 A2 A1
WW9 CMPZDA4V3 CENTS 2xDZ VZ(IZT=5.0MA)=4.0...4.6B; IL(VR =1.0B)<1.0мкА; ZZT(IZT=5.0MA)<9OM; IZM=40мА K2 K1 A2 A1
WXs BCR196 SIEM D-PNP VCB0=-50B;IC=-70MA; PD=200мВт; h21>50; fT>150МГц B E C
WZs BCR142 SIEM D-NPN VCB0=50B;IC=100MA; PD=200мВт; h21>70; fT>150МГц B E C
X1s BFT93 SIEM D-PNP VCB0=-15B;IC=-35MA; PD=300мВт; h21>20; fT>5500МГц B E C
XAs BCR503 SIEM D-NPN VCB0=50B;IC=500MA; PD=330мВт; h21>40; fT>100МГц B E C
XBs BCR553 SIEM D-PNP VCB0=-50B;IC=-500MA; PD=330мВт; h21>40; fT>150МГц B E C
XCs BCR533 SIEM D-NPN VCB0=50B;IC=500MA; PD=330мВт; h21>70; fT>100МГц B E C
XDs BCR555 SIEM D-PNP VCB0=-50B;IC=-500MA; PD=330мВт; h21>70; fT>150МГц B E C
XFs BCR512 SIEM D-NPN VCB0=50B;IC=500MA; PD=330мВт; h21>60; fT>100МГц B E C
XGs BCR523 SIEM D-NPN VCB0=50B;IC=500MA; PD=330мВт; h21>70; fT>100МГц B E C
XHs BCR573 SIEM D-PNP VCB0=-50B;IC=-500MA; PD=330мВт; h21>70; fT>150МГц B E C
XKs BCR519 SIEM D-NPN VCB0=50B;IC=500MA; PD=330мВт; h21=120...630; fT>100МГц B E C
XLs BCR569 SIEM D-PNP VCB0=-50B;IC=-500MA; PD=330мВт; h21=120...630; fT>150МГц B E C
XMs BCR583 SIEM D-PNP VCB0=-50B;IC=-500MA; PD=330мВт; h21>70; fT>150МГц B E C
XUs BCR562 SIEM D-PNP VCB0=-50B;IC=-500MA; PD=330мВт; h21>60; fT>150МГц B E C
XVs BCR521 SIEM D-NPN VCB0=50B;IC=500MA; PD=330мВт; h21>20; fT>100МГц B E C
XWs BCR505 SIEM D-NPN VCB0=50B;IC=500MA; PD=330мВт; h21>70; fT>100МГц B E C
XXs BCR571 SIEM D-PNP VCB0=-50B;IC=-500MA; PD=330мВт; h21>20; fT>150МГц B E C
Y1 BZX84C11 ALLEG DZ VZ(IZT=5MA)=10.4...11.6B; IL(VR=8.0B)<0.1мкА; ZZT(IZT=5MA)<20OM A nc K
Y1 BZX84C11 CENTS DZ VZ(IZT=5MA)=10.4...11.6B; IL(VR=8.0B)<0.1мкА; ZZT(IZT=5MA)<20OM; IZM<23мА A nc K
Y1 BZX84C11 VISH DZ VZ(IZT=5MA)=10.4...11.6B; ZZT(IZ=5MA)<20OM A nc K
Y10 BZX84C27 ALLEG DZ VZ(IZT=2MA)=25.1...28.9B; IL(VR=21.0B)<0.05мкА; ZZT(IZT=2MA)<80OM A nc K
Y10 BZX84C27 CENTS DZ VZ(IZT=2MA)=25.1...28.9B; IL(VR=18.9B)<0.05мкА; ZZT(IZT=2MA)<80OM; IZM<9мА A nc K
Y10 BZX84-C27 PHIL DZ VZ(IZT=2MA)=25.1...28.9B; IL(VR=18.9B)<50нА; ZZT(IZT=2.0MA)<80OM; IZM=200мА A nc K
Y10 BZX84C27 VISH DZ VZ(IZT=2MA)= 25.1...28.9B; ZZT(IZ=2MA)<80OM A nc K
Y11 BZX84C30 ALLEG DZ VZ(IZT=2MA)=28.0...32.0B; IL(VR=18.9B)<0.05мкА; ZZT(IZT=2MA)<80OM A nc K

SOT23, SOD23 (продолжение)

⇐ Предыдущая123456789Следующая ⇒


Поделиться с друзьями:

Дата добавления: 2015-06-27; Просмотров: 295; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!

Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет
studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.014 сек.