Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Лазерное скрайбирование




При лазерном скрайбировании разделительные риски между готовыми структурами создают испарением узкой полосы полупроводникового материала с поверхности пластины во время ее перемещения относительно сфокусированного лазерного луча. Это приводит к образованию в пластине сравнительно глубоких (до 50...100 мкм) и узких (до 25…40 мкм) канавок. Канавка, узкая и глубокая по форме, играет роль концентратора механических напряжений. При разламывании пластины возникающие напряжения приводят к образованию на дне канавки трещин, распространяющихся сквозь всю толщину пластины, в результате чего происходит ее разделение на отдельные кристаллы.

Наряду с созданием глубокой разделительной канавки достоинством лазерного скрайбирования является его высокая производительность (100...200 мм/с), отсутствие на полупроводниковой пластине микротрещин и сколов. В качестве режущего инструмента используют импульсный оптический квантовый генератор с частотой следования импульсов 5...50 кГц и длительностью импульса 0,5 мс.

Рис. 4.12. Схема лазерного скрайбирования полупроводниковой пластины

 

 

Установка лазерного скрайбирования ALS200.3

 

Технические характеристики:
1. Генератор лазера:
- длина волны 10,6 мкм,
- непрерывный и пульсирующий режимы работы,
- мощность при непрерывной работе 350 Вт, при пульсирующем режиме до 1000 Вт,
- стабильность мощность в долгосрочном периоде ±4%
- длительность импульса 2-1000 микросек.
- частота импульса до 50 кГц
- потребление газовой смеси ≤24 норм. литров в год
- рассеивание тепла
2. X-Y стол:
- перемещение 200х200 мм
- линейные двигатели
- оптические линейные энкодеры
- скорость перемещения до 500 мм/сек
- разрешение перемещения 0,5 мкм
- точность перемещения ±5 мкм
- повторяемость ±4 мкм.
3. Системные требования:
- электропитание 380 В, 3 фазы, 50 Гц, 10 А
- пневмопитание 5 бар, расход 100 л/мин.
- вытяжка 3 м3/мин, 1500 мм H2O

 

Процесс лазерного скрайбирования:

1. Расположить пластину на столе установки

2. Внести данные в управляющий лазером компьютер относительно траектории движения лазерного луча

3. Позиционировать лазерную головку

4. Начать процесс скрайбирования

5. По окончании нанесения рисок, выключить лазер. Переместить пластину на мягкую резиновую опору

 

 




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2017-01-14; Просмотров: 672; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.008 сек.