Лекция 5. Интегральные микросхемы

Динистор

Переключательные полупроводниковые приборы

Оптроны

Элементарный оптрон – пара с фотонной связью

Оптрон – это активный элемент, сочетающий источник света и согласованный с ним фотоприемник, в котором внешний электрический сигнал преобразуется в оптический, усиливается, затем снова преобразуется в электрический, либо наоборот, но обязательно коэффициент усиления должен быть больше единицы.

Основное достоинство – возможность разделения входной и выходной цепей, т.е. имеет место гальваническая или оптическая развязка.

Оптроны подразделяются на два вида:

а) оптрон с внешней фотонной связью и внутренней электрической;

б) оптрон с внутренней фотонной связью и с внешней электрической. Оптроны используются для преобразования, усиления, генерирования, формирования электрического сигнала и т.д.

В основном в качестве источника света в оптронах используется светодиод инжекционный. Спектр излучения зависит от материала изготовления и различается типом фотоприемника. В приложении А приведены условные обозначения оптронов.

К переключательным полупроводниковым приборам относятся тиристоры, однопереходные и лавинные транзисторы. Тиристоры – это многослойные переключающие структуры с двумя устойчивыми состояниями равновесия. Имеют 4 или более p-n слоев и 3 или более p-n переходов.

Делятся на:

а) неуправляемые тиристоры – двухэлектродные – динисторы или диод-тиристоры;

б) управляемые тиристоры – управляются по одному из средних электродов – тринисторы или триод-тиристоры.

Приборы с выводом от всех четырех электродов с управлением по средним электродам – тетрод-тиристор.

На рисунке 4.2 приведена структура динистора. Здесь p1, n2 – эмиттеры, n1, p2 – базы, П1, П3 – эмиттерные переходы, П2 – коллекторный переход. П1 и П3 смещены в прямом, П2 – в обратном направлении. Почти всё внешнее напряжение U падает на переходе П2. Через прибор течет ток I = I_ко запертого коллекторного перехода.

При увеличении U до Uвкл на П2 развивается ударная ионизация и лавинный пробой, образуются новые пары носителей. Полем П2 электроны отбрасываются в n1-базу., а дырки в р2-базу. Концентрация основных носителей в базах увеличивается. Электроны в n1-базе, подходя к левому ЭП ‑ П1, нейтрализуют положительный заряд ионов, уменьшая потенциальный барьер. Это увеличивает поток дырок из р1 в n1, затем через П2. Аналогичные процессы происходят с правым П3 переходом. Увеличивается поток электронов. Процесс развивается лавинообразно.

Ток через П2 и весь прибор увеличивается. Через П2 протекает суммарный ток

,

где М – коэффициент умножения;

α₁, α₃ – коэффициенты передачи тока от П1 и П3 к П2.

Так как токи через все три перехода одинаковы и равны внешнему, то можно записать

I = . (4.1)

Здесь α = α₁ + α₃ – суммарный коэффициент передачи тока от обоих эмиттеров к коллектору.

Обычно базы изготавливаются разной толщины: Р2 – толстая, w › L (диффузионная длина) и коэффициент передачи тока α₃ ‹‹ 1, n1 – тонкая, w ‹ L, α₁ ≈1.

Выражение (4.1) является ВАХ в неявном виде, т. к. М=f(U).

По (4.1) построена ВАХ динистора (рисунок 4.3). Недостатком динистора является невозможность управления моментом включения. Этот недостаток устранен в тринисторе, который имеет дополнительный вывод от управляющего электрода, от n1 или р2. Поэтому возможно управление моментом включения прибора.

С увеличением управляющего тока I_у увеличивается α, М_α = 1 наступает раньше при меньшем U_вкл. При некотором I_у участок отрицательного сопротивления исчезает и получается спрямленная характеристика.

Используются разновидности:

а) запираемые триодные тиристоры – запираются при подаче через управляющий электрод короткого импульса U_обр на эмиттерный переход;

б) симисторы или симметричные тиристоры проводят ток в обоих направлениях.

Условные обозначения тиристоров приведены в приложении Б.

Содержание лекции:

- классификация интегральных схем (ИС);

- полупроводниковые интегральные схемы;

- разновидности интегральных транзисторов;

- логические элементы на транзисторах;

- полупроводниковые интегральные схемы памяти.

Цели лекции:

- изучить классификацию интегральных схем;

- изучить элементы интегральных схем;

- изучить разновидности интегральных транзисторов;

- изучить схемы ТТЛ, ЭСЛ, логические схемы на МДП;

- изучить полупроводниковые интегральные схемы памяти.

Дата добавления: 2017-02-01