Х Х х Х х Х

1-й елемент маркування – цифра, що означає конструктивно - технологічну групу ІМС:

1, 5, 7 – НП технологія (7 - безкорпусна);

2, 4, 6, 8 – гібридна технологія;

3 – інші типи технології (плівкові, суміщені, вакуумні, керамічні та інші).

2-й елемент маркування – дві або три цифри, що означають порядковий номер розробки серії.

1-й та 2-й елементи маркування створюють три- або чотирицифрову серію ІМС.

3-й елемент маркування – дві літери російського алфавіту, що означають функціональне призначення ІМС.

4-й елемент маркування –це одначи більше цифр або літер, що означають модифікацію підгруп ІМС даного функціонального призначення.

Перед першим елементом маркування може стояти одна-три літери, що характеризують умови приймання ІМС на заводі та тип їх корпусу. Наприклад: літера К вказує, що це ІМС широкого використання, а друга літера, наприклад Р, вказує, що її корпус пластмасовий.

Перша літера 3-го елемента маркування означає підгрупу ІМС за функціональним призначенням:

Г – генератори електричних сигналів;

Д – детектори електричних сигналів;

Е – вторинні джерела живлення (випрямлячі струму, стабілізатори напруги та струму);

К – ключі та комутатори аналогових сигналів;

М – модулятори електричних сигналів;

Н – набори радіоелементів (мікрозборки);

П – перетворювачі сигналів;

С – схеми селекції та порівняння;

У – підсилювачі;

Ф – фільтри частотні;

А – формувачі спеціальних імпульсів;

Б – схеми затримки сигналів;

Л – логічні елементи цифрових пристроїв;

Т – тригери;

И – елементи цифрових арифметичних пристроїв;

Р – елементи (вузли) запам’ятовуючих пристроїв;

Х – багатофункціональні схеми.

Друга буква 3-го елемента маркування означає вид функціонального пристрою в даній підгрупі. Наприклад, у підгрупі підсилювачів:

УВ – підсилювач високої частоти;

УР – підсилювач проміжної частоти;

УН – підсилювач низької частоти;

УИ – підсилювач імпульсів;

УЕ – повторювач напруги;

УТ – підсилювач постійного струму;

УД – диференційний, або операційний, підсилювач;

УП – інші підсилювачі (рос. – прочие).

Приклади:

К140УД13 – напівпровідникова мікросхема широкого використання серії К140, диференціальний (операційний) підсилювач, розробка №13.

К174УН7 – напівпровідникова мікросхема широкого використання серії 174, підсилювач низької (звукової) частоти, розробка №7.

198НТ1Б – напівпровідникова мікросхема серії 198, набір транзисторів, розробка №1Б.

401УВ3 – гібридна мікросхема серії №401, підсилювач високої частоти, розробка №3.

ВИСНОВКИ:

Інтегральна технологія дає можливість створювати практично всі радіо-компоненти мініатюрних розмірів та їх з’єднання в єдиному заводському технологічному циклі. Це суттєво підвищує якість виконання всіх елементів і забезпечує значно більшу надійність функціональних вузлів мікросхемної технології у порівнянні з дискретною технологією. Крім того, зменшуються габарити, ціна та кількість споживаємої електричної енергії інтегральних вузлів радіоелектронної апаратури в порівнянні з дискретною.

Розвиток мікроелектроніки призводить до використання фізичних явищ, що не пов’язані з електропровідністю матеріалу, наприклад, оптичні та магнітні явища, розповсюдження ультразвуку. Це спонукало появу функціональної мікроелектроніки: оптоелектроніки, акустоелектроніки, кріоелектроніки, хемоелектроніки, діелектричної електроніки, біоелектроніки та ін.

Старший викладач кафедри №5

І.М.ШЕСТАК

Дата добавления: 2014-01-15