Фототиристори

Uке

Ф1

Ф2

Rк

Rк

Rб

+

_

а)

– Е +

б)

Рис. 6. Схеми включення фототранзистора, а - з "навантаженою базою", б - з "плаваючою базою"

У варіантi схеми з " плаваючою базою " струм колектора Iк складається з теплового Iкб звор та фото Iкбф струмiв переходу колектор-база, якi одночасно пiдсилюються у β -разiв, тобто

Iк = (β + 1) ∙ (Iкбзв + Iкбф).

При цьому транзистор знаходиться в активному режимi і забезпечує найбiльшу чутливiсть до світлового опромiнювання. Проте у цьому варіанті одночасно проявляється найбiльший вплив теплового (темнового) струму, що у деяких випадках може завадити використанню фототранзистора за призначенням.

У другому вариантi, коли мiж базою та емітером увімкнено резистор Rб, який частково вiдводить заряди з бази, підбором його опору можна досягти закритого стану транзистора, тобто зменшити темновий струм колектора. Але при цьому зменшується i чутливiсть фототранзистора.

Порівняно з фотодiодами цi компоненти мають значно більшу фоточутливiсть, але меншу швидкодію (бiльшу постійну часу зміни струму). Маркування фототранзисторiв подібне до фотодiодiв - починається з літер " ФТ...", наприклад, ФТ - 3.

Ік Ф3

Ф=0

Рис. 7 Вихідні ВАХ фототранзистора

Фототиристори використовуються для комутації світловим сигналом електричних сигналів великої потужності.

Фототиристори мають чотиришарову р-n-p-n структуру, у якої переходи П1 та П2 зміщені в прямому напрямку, а колекторний перехід П2 – в зворотному. Світло попадає на обидві бази тиристора – шари p₂ та n₁. При цьому з ростом освітленості зростають емітерні струми, що призводить до збільшення коефіцієнтів передачі струму α. Опір фототиристора змінюється від 10⁸ Ом (зачинений стан) до 10^-1 Ом (відчинений стан). Час переключення фототиристора становить 10^-5÷10^-6 с.

Дата добавления: 2014-01-15