Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Принцип работы ППД проводящего типа




Принцип работы детектора проводящего типа (однородного детектора) аналогичен принципу работы ИК, в которой чувствительным объёмом является твёрдое тело. Под действием излучения вПП образуются пары носителей заряда, которые под действием внешнего напряжения создают ток, пропорциональный мощности дозы излучения.

В общем виде зависимость выходного сигнала однородного полупроводникового детектора от мощности дозы выглядит следующим образом:

 
 


,

 

где I – сила тока через детектор, А;

Pg - мощность экспозиционной дозы, Кл/(кг·с);

w в - средняя энергия ионообразования в воздухе, Дж;

rв - плотность воздуха, г/см3;

S - площадь поперечного сечения детектора, м2;

mnz - линейный коэффициент передачи энергии для полупроводника, м-1;

w - средняя энергия образования пары носителей "электрон-дырка", Дж;

mnв - линейный коэффициент передачи энергии для воздуха, м-1;

mz - линейный коэффициент ослабления для полупроводника, м-1;

h - высота детектора, м;

tn,tp - среднее время жизни электронов и дырок соответственно, с;

kn,kp - подвижность электронов и дырок соответственно, м2/(В·с);

U - приложенное напряжение, В.

 




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-01-15; Просмотров: 379; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.007 сек.