Резистор

Пасивні компоненти та їх моделі

Вольтамперна характеристика реального резистора на постійному струмі не відрізняється від ідеальної. При створенні високочастотної моделі необхідно враховувати особливості виготовлення. За рахунок наявності індуктивності виводів і резистивного шару опір резисторів на високій частоті стає комплексним, здобуває індуктивний характер:

З підвищенням частоти проявляються також ємнісні властивості резистора – в основному ємність між його виводами. У такий спосіб еквівалентна схема із зосередженими параметрами має вигляд (рис. 7):

Рис. 7 Еквівалентна схема резистора із зосередженими параметрами

У принципі, параметри резистора повинні бути розподіленими, однак їх врахування значно ускладнює аналіз і застосовується лише при роботі на надвисоких частотах і при розрахунку елементів у гібридному виконанні. Наведену еквівалентну схему можна описати системою 2-х диференціальних рівнянь:

де С_r, L_r – величини паразитних параметрів, u_r – напруга на активній складовій резистора. Залежно від співвідношення параметрів еквівалентна схема резистора може бути спрощена. Для високоомних резисторів, у яких

тобто активний опір значно більше реактивного, можна знехтувати його індуктивною складовою. При цьому модель приймає вид (рис. 8):

Рис. 8

Повний опір синусоїдальному сигналу можна знайти з розрахунку:

Тут перший доданок – активна складова повного опору, другий – реактивна складова. Для низькоомних резисторів можна знехтувати ємнісною складовою комплексного опору. При цьому схема має вигляд (рис. 9):

Рис. 9

Зазначену особливість необхідно враховувати при проектуванні схем, особливо надвисокочастотних.

Дата добавления: 2014-01-15