Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Транзистор як активний чотириполюсник, h-параметри транзистора

Параметри заступної схеми транзистора відображають фізичні властивості тризонної напівпровідникової структури. Вони можуть бути розраховані за геометричними розмірами p/n-переходів і за властивостями взятих напівпровідників. Однак прямий їх вимір неможливий, оскільки границі розділів p/n-переходів недоступні для під’єднання вимірних приладів. Саме тому в якості вимірюваних параметрів вибрані ті, що відображають властивості транзистора як чотириполюсника.

 

 

Рис. 3. Лінійний чотириполюсник

 

Транзистор можна зобразити як лінійний чотириполюсник, якщо в якості вимірюваних струмів та напруг прийняти їх невеликі прирости, які накладаються на постійні складові. Такі обмеження диктуються нелінійностю характеристик транзистора. Для невеликих приростів струмів та напруг чотириполюсник буде лінійним і для нього справедливі наступні залежності

DU1 =h11×DI1 + h12×DU2 ;

DI2 = h21×DI1 + h22×DU2 .

<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Заступні схеми біполярних транзисторів у фізичних параметрах | 
Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-01-11; Просмотров: 1110; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.009 сек.