КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Силовые МОП-транзисторы
Развитие новых технологий привело к созданию МОП-транзисторов (выполненных на основе метал-оксид-проводника), относящихся к полевым транзисторам (ПТ). ПТ являются униполярными приборами, так как
протекание тока в них обусловлено перемещением зарядов одного знака в продольном электрическом поле. Регулирование значения выходного тока осуществляется поперечным электрическим полем (а не током, как у биполярного транзистора). Это обуславливает высокое входное сопротивление (рис. 8,а). Статические характеристики МОП-транзистора с каналом п-типа: а) входная характеристика (рис. 8,6); б) выходная характеристика (подобны характеристикам пентода, рис. 9). При подаче напряжения UЗИ через проводящий слой будет протекать ток, если приложить UCИ. Увеличение UСИ приводит к перекрытию проводящего канала. Особенности МОП-транзисторов: 1) Высокое входное сопротивление (что соответствует повышенному коэффициенту усиления по мощности управления) 2) Время переключения - единицы наносекунд (исключая токи накопления зарядов неосновных носителей). 3) Лучшие выходные характеристики для обеспечения параллельной работы. 4) Большая входная емкость и повышенное сопротивление в проводящем состоянии. 5) Повышенные коммутационные токи - десятки ампер и напряжение до 500 В при сопротивлении перехода СИ во включенном состоянии 0,2 -0,5Ом. Пример: IC =200А, RИС =0,024 Ом.
Дата добавления: 2014-01-15; Просмотров: 418; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |