P-n-p-транзистора

N-p-n-транзистора

Рис. 2.4. Полярность включения

Имеются три основные схемы включения транзистора в усилительные цепи.

В зависимости от того, присоединен ли эмиттер, коллектор или база к общей точке, различают соответственно схемы с общим эмиттером, коллектором или базой.

Рассмотрим эти разновидности схем, так как они образуют основу устройств на

транзисторах. Для наглядности рассмотрения будем исходить из n-p-n-транзисто-

ров и используем p-n-p-транзисторы только там, где это необходимо. Во всех

схемах можно заменить n-p-n-транзисторы на p-n-p-транзисторы, поменяв одновременно полярность питающих напряжений. Параметром, который можно положить в основу рассмотрения, является напряжение база-эмиттер в рабочей точке U_BEA, составляющее для кремниевых транзисторов ~0,6 В, а для германиевых - примерно 0,2 В. Кроме того, необходимо учесть, что обратный ток германиевых транзисторов намного больше, чем у кремниевых.

Дата добавления: 2014-01-20