Структура интегрального биполярного транзистора в вертикальном разрезе

Элементы биполярных ИС

Основным элементом в биполярных ИМС является биполярный n-p-n транзистор. Он обладает лучшими характеристиками, чем транзистор p-n-p типа, а техника изготовления более проста. Поэтому технологический процесс изготовления биполярных интегральных схем отрабатывается так, чтобы параметры n-p-n транзистора были оптимальными, а остальные элементы изготовлены по техническому оптимуму для данного транзистора.

1. n+ эмиттер

2. n- коллектор

3. p- база

4. разделительный p+ слой

5. скрытый n+ слой

6. контактное окно в окисле n+ эмиттера

7. контактное окно окисла p базы

8. n+ слой коллектора

1. контактное окно в окисле n+ коллектора

10. металлизированные проводники

Дата добавления: 2014-01-20