Структура МДП интегральных схем

Преимущества:

- более простой технологический процесс

- относительно низкая стоимость

- высокое входное сопротивление

- многофункциональность

- самоизолируемоть

- малая мощность

МДП транзистор – прибор, работа которого основана на модуляции проводимости и поверхностного слоя проводника поперечным электрическим полем. Так как проводимость этого слоя обеспечивается не основными носителями заряда, то в зависимости от типа проводимости исходная пластина n или p типа. Они будут n или p канальными. Прибор состоит из подложки n типа, в которой диффузией или ионной имплантацией созданы 2 области p+ типа. Металлический электрод отделен от полупроводника тонким слоем диэлектрика.

Существует 2 разновидности МДП транзисторов:

1) с встроенным каналом

2) с индуцированным каналом

Структура МДП транзистора с встроенным каналом – создание канала в тонком приповерхностном слое проводника предусматривается в самой технологии производства. Так как это дополнительная операция, такой транзистор используется редко.

Индуцированные каналы – каналы, отсутствующие в равновесном состоянии и образующиеся под действием внешнего напряжения.

Металлический электрод создает эффект поля. Напряжение на затворе называется пороговым Uо (когда образуется канал). Длина канала L (расстояние между стоком и истоком), Z – протяженность этих слоев. Основными конструкторскими параметрами являются длина, ширина канала и толщена затворного диэлектрика. Остальные конструктивные параметры, а именно размеры затвора, области стока-истока и другие, являются вспомогательными и определяются при проектировании по технологическим ограничениям на размеры МДП структуры.

Дата добавления: 2014-01-20