Формирование диэлектрических покрытий

Диэлектрические слои используются для:

1) маскирования или диффузного легирования примеси кремния

2) для пассивации поверхности полупроводника

3) для изоляции элементов ИМС друг от друга

4) для изоляции проводимых слоев в структурах с многослойной разводкой

5) в качестве активных компонентов в МДП структурах

6) для защиты полупроводниковой структуры от механических повреждений и воздействия внешней среды

Существует 2 группы методов нанесения пленок SiO₂

- 1 группа – связана с использованием материала подложки (активная)

- 2 группа – нанесение пленки SiO₂ из внешней фазы

Выбор конкретного метода зависит от функционального назначения пленок.

Наиболее распространенный – методы кислического окисления:

1) в сухом кислороде

2) в парах воды

3) во влажном кислороде

4) окисление при повышенном давлении

5) простое окисление

Согласно экспериментальным данным, свежеобрабатываемая поверхность кремния при обычных условиях покрывается слоем оксида толщиной 3-7 нанометров, после чего дальнейший процесс окисления прекращается.

Для продолжения роста пленки оксида необходимо активизировать перенос реагирующих элементов кислорода или кремния с целью их непосредственного контакта и образования SiO₂.

Процесс высокотемпературный – термическое окисление.

I – окисление в сухом кислороде

I и II – окисление во влажном кислороде

1- вентили

2- осушитель

3- фильтр

4- печь

5- пластины кремния

6- вытяжное устройство

8- увлажнитель

9- нагреватель

Дата добавления: 2014-01-20