Лекция 13МОП (МДП)

МОП – транзистор с изолирующим затвором по сравнению с полевым транзистором отличаются наличием между металлическим затвором и областью полупроводника слоя диэлектрика. В качестве диэлектрика используется SiO2 (МОП структура) МДП со встречным каналом.

При изготовлении МОП структуры в качестве транзисторов используется слаболегированная кремневая пластина Р или N – типа, при окислении на поверхности пластины образуется слой SiO2 (0,2 ~ 0,3 мкм)

В теле подложки создаются сильно легированные области имеющие проводимость противоположного типа. Подложка в рабочем режиме соединяется с затвором и может служить и дополнить управляющий электрод.

Вольтамперная характеристика МОП транзистора со встроенным каналом можно записать: Ic = f (Uзи) Uсн = const

Ic = f (Uси) Uзи = const

Ток стока будет протекать даже при нулевом смещении затвора т.е. Uзи = 0. Если к затвору относительно истока приложить отрицательное напряжение, то дырки из подложки будут втягиваться в канал, а электроны вытягиваться. Проводимость канала части основных носителей уменьшится. Ток стока уменьшится (режим обеднения).

При Uзи = Uзо естественный канал исчезает и Iс = 0.

Положенное смещение затвора вызывает приток в канал основных носителей и ток стока возрастает (режим обогащения).

При отсутствии смещение на затворе канал отсутствует. (Iс = 0)

При положительном, относительно истока, U на затворе, в поверхностном слое между истоком и стоком, из-за наличия диэлектрика, происходит явление инверсии, образуется тонкий канал инверсного слоя.

Проводимость для основных носителей заряда увеличится с ростом напряжения на затворе. Если к стоку приложить напряжение той же полярности, то Iс увеличится с увеличением напряжения Uзи.

Uпорога – напряжение отсечки, при этом напряжение транзистора закрыто. Отсутствие тока стока при Uзи = 0 и одинаковая полярность на затворе Iс.

МОП с индуктивным каналом благоприятен для построения высокоэкономичных импульсных схем.

Лекция 14Тиристоры Это полупроводниковый прибор с двумя устройствами имеющие 3 и более P – N перехода, и который может переключиться из закрытого состояния в открытое.

Графическое обозначение:

Структурная схема тиристора и диристора.

Четырехслойная структура P1-N1-P2-N2 соединения двух транзисторов в одном приборе.

Дата добавления: 2014-01-20