Динамические характеристики тиристора

1. Время включения тиристора – промежуток времени между подачей импульса управления и моментом когда прямое напряжение уменьшается до 10% своего начального значения.

2. Время выключения – минимальный промежуток времени между моментом прохождения прямого тока через ноль и повторно приложенным напряжением которое не вызывает включения тиристора.

3. Скорость нарастания прямого анодного тока и допустимая скорость нарастания прямого анодного напряжения.

4. Импульсы управления – должен выбираться коротким, однако длительность импульсов должна быть больше времени включения тиристора.

Минимальная длительность управляемого импульса лежит в пределах 15 ÷ 20 миллисекунд.

Важнейшими задачами являются:

- увеличение надёжности

- уменьшение габаритов, массы

- уменьшения потребляемой энергии

Существует четыре поколения аппаратов электронной техники:

1. Электронная лампа

2. Открытие нового усилительного элемента (транзистора).

3. Создание микроэлектронного функционального узла – полупроводниковая интегральная микросхема.

Все активные и пассивные элементы и их соединения созданы виде сочетания p-n переходов в одном исходном полупроводниковом материале.

4. Создание больших интегральных микросхем (БИС) (500 и более элементов)

В зависимости от технологии различают два типа интегральных схем.

1 – интегральные микросхемы (ИС)

2 – гибридные интегральные микросхемы (ГИС)

Классификация микросхем по выполнению технологии

1. Полупроводниковые

2. Гибридные

3. Прочие

1. Аналоговые

2. Цифровые (логические)

Аналоговые микросхемы – преобразуют параметры электрических сигналов или энергии по закону непрерывной функции.

Цифровые (на входе 0 на выходе 1) – это ключи имеющие в общем случае m ≥ 1 и n ≥ 1

Дата добавления: 2014-01-20