Моделируемый стек

Стеком называется запоминающее устройство с последовательным доступом, в котором слова считываются в порядке, обратном записи, т. е. по правилу "последним вошел - первым вышел". Обычно стек выполняется на реверсивных регистрах сдвига. Во многих микропроцессорных устройствах память со стековой организацией реализуется не с помощью сдвиговых регистров, а моделируется на памяти с произвольным доступом. При этом в качестве стека обычно используется просто часть оперативного запоминающего устройства. Это дает дополнительную гибкость, т. к. емкость стека может при необходимости меняться, достигая размеров оперативной памяти. Кроме того, моделируемый стек дает экономию аппаратуры. Для моделирования стека в ОЗУ с произвольным доступом используется реверсивный счетчик, который называется указателем стека. Сначала в указатель стека (счетчик) заносится некоторый начальный адрес ячейки памяти, которая соответствует вершине стека. Когда слово заносят в стек оно записывается по адресу, записанному в указателе стека, и указатель уменьшается на единицу. Когда слово берут из стека указатель увеличивается на единицу. Таким образом, стек расширяется при заполнении и сжимается при считывании. Указатель стека содержит адрес следующей доступной для записи ячейки.

При работе с моделируемым стеком указатель стека входит в состав микропроцессора. Его содержимое автоматически увеличивается или уменьшается всякий раз, когда при выполнении программы встречается операция со стеком.

48. Буферное ЗУ.

ЗУ с последовательной выборкой типа FIFO – считывается в порядке записи, но запись и чтение происходят с различными скоростями.

СУ – схема управления.

49. Статическое ОЗУ на ТТЛ структурах.

С одномерной адресацией с произвольной выборкой

ЛВС – лин. выборки слова.

УС – усилитель считывания, поддерж. на вход. лин. j=1,5В и реагирует на величину тока

есть ток – 1, нет тока – 0.

С двумерной адресацией.

Многоэмиттерный тр-р.

Достоинство – быстродействие.

50. Статическое ОЗУ на МОП структурах

Достоинства: малая мощность потребления, выс. помехоустойчивость, выс. степень интеграции.

51. Динамические ОЗУ на МОП структурах.

Достоинства: выс. плотность упаковки, малая мощность потребления.

U_ип создает потенциал высокого уровня. Закрытое состояние на выходе превратить в нужный потенциал. Не поддерживает уровень лог. нуля.

53. ПЗУ однократного программирования.

Нельзя изменить инф-цию.

В отличии от статики ПЗУ хранит ин-цию и после выкл-я питания.

Сама машина изменить инф-цию не может. Процесс заполнения называется программир.

По способу программирования ПЗУ:

1) програм-ые в процессе изготовления

2) ПЗУ однократно прогр-ые у пользователя

3) многократно прог-ые у пользователя.

Схемотехника ЗУ програм-го у изготовителя

нет перем. – лог. 1

есть перем. – прог-ие лог 0.

прогр-ие при 10В

режим записи 5В

1)В режиме прогр-я ключ закрыт ПВ=0 Uип=10 – прогр-ие

ЛВСтроки=0 только при Вм=1. Вых. данные не передаются, то закрыт j невыбр. строк»10В. От ист-ка пит. под-ся ток от линии вых. данных.

(записыв. пережигая перемычку)

2)ключ открыт

режим чтения

54. Перепрограммируемое ПЗУ.

2 стр-ры:

1) запись с пом. эл. сигн.

2) запись и стирание с пом. эл. сигн.

1)	2) Тр-р сделан на основе эффекта Фаулера-Нордтейма

55. Ассоциативное Запоминающее устройство.

ЗУ в к-ых произв-ся поиск инф-ии не по адресу, а по признакам самост. инф-ии или по др. критериям, связанным с этой инф-ией наз. АЗУ.

Критерии поиска

- на рав-во

- наибол. по знач-ю число

- наим. числа, находящиеся в задан. Пределах

эл-т сложения по модулю 2

Методы ассоциатив. поиска

простые: пар-но по словам, посл-но по разрядам, полностью пар-но

сложные: упоряд. поиск идет по некот. алгоритму

56. Программируемая логическая матрица.

ПЛМ - комб. схема, к-ую м. прогр-ть под себя: реализует схему булевых ф-ций, представленных в МДНФ

Пять входных, четыре выходных сигнала:

x1	x2	x3	x4	x5	F	y1	y2	y3	y4
		X			F1
	X			X	F2
					F3
			X	X	F4
					F5
X					F6
					F7
					F8

y₄=F₅+F₆+F₇=

М1 содержит j эл-ов «И» n-входовых, М2 содержит m-выходовых j-входовых «1» эл-ов.

ПЛМ программируется также: в процессе изготовления, однократно по заявке заказчика и многократно (с возможностью перезаписи информации).

57. Специализированные большие интегральные схемы (классификация методов проектирования СБИС).

Технология очень дорогая. Они имеют постоянную структуру на 50%. На самом последнем этапе, все делается под заказчика. Создание СБИС зависит от мастера.

58. Особенности конструкций БМК.

БМК - Базовый Матричный Кристалл. Базовый – т.к. все элементы, за искл. слоев коммутации, явл пост и не зависят от реализуемой схемы. Матричный – т.к. простейшие эл-ты расположены на кристалле в узлах прямоугольной решетки.

Конструкция:

1. канальная структура: где м/у столбцами каналы для трассировки, ПЯ- периферийная ячейка, БЯ- базовая ячейка, КП – контактная площадка. Основной недостаток – 50-60% на каналы

2. бесканальная структура – плотноупакованная. Улучшено быстродействие, задержка на кристалле становится меньше.

3. с функционально-законченными эл-ми - явл компромиссом м/у канальной и бесканальной структурой, выделяется место для функциональных (постоянных эл-ов).

59. Основные параметры и характеристики БМК. Основные направления БМК. Развитие БМК.

1. Все параметры всех элементов. Характ-е функц-е возможности: сложность(число логич эл-ов, к-ые нужно получить), тип БЯ и ПЯ, состав (библиотека) функц-ых ячеек.

2.Электрические параметры: τ, Pпот, U, I и т.д.

3. Эксплуатационные характеристики

4. Конструктурско-технологические параметры: число БЯ, число ПЯ, трассировка.

До 20000 лог-х эл-в расположены внутри СБИС. РИСУНОК.

Этапы проектирования:

обучение методике проектирования

проектирование

опытный образец.

Дата добавления: 2014-01-20