Входная дифференциальная проводимость

g _КЭ= = .

Входное дифференциальное сопротивление r_БЭ – величина, обратная входной проводимости r_БЭ = 1 /g_БЭ.

Входное сопротивление r_БЭ и крутизна передаточной характеристики S связаны соотношением

r_БЭ = b / S, (4)

где b – дифференциальный коэффициент передачи тока транзистора в схеме ОЭ. Для практических расчётов S в (4) определяется по соотношению (2, а).

Ориентировочный пример 1.2.

Если I_К = I мА; φ _Т = 25 мВ; b = 100, тогда r_БЭ = 2,5 кОм.

Обратите внимание на то, что при уменьшении тока покоя коллектора I _К0 уменьшается крутизна передаточной характеристики S, увеличиваются входное r_БЭ и выходное r_КЭ сопротивления транзистора. Величину в практических расчётах можно не учитывать.

C учётом введённых обозначений малосигнальных параметров получаем основные уравнения биполярного транзистора, управляемого напряжением

dI_Б = dU_БЭ/r_БЭ; (5)

dI_К = S dU_БЭ + dU_КЭ/r_КЭ. (6)

При анализе схем на биполярных транзисторах с общим эмиттером, если состояние транзистора управляется током базы, удобно пользоваться семейством выходных характеристик (рис. П2.5) и входной характеристикой – рис. П2.4. Обратите внимание на то, что выходные характеристики на рис. П2.3 снимаются при постоянных напряжениях база-эмиттер U _БЭ, а характеристики на рис. П2.5 – при постоянных токах базы I _Б. Выходное сопротивление в данном случае меньше, чем в случае транзистора, управляемого напряжением.

Представив БТ в виде четырёхполюсника, установим взаимосвязь между входными и выходными токами и напряжениями

U _БЭ = F ₃(I _Б, U _КЭ); I _К = F ₄(I _Б, U _КЭ).

При малой амплитуде сигналов, когда не проявляется нелинейность электродных характеристик транзистора, эти зависимости можно считать линейными. Полные дифференциалы напряжения база-эмиттер и тока коллектора

;

Частные производные в этих уравнениях имеют различный физический смысл.

Входное дифференциальное сопротивление

r _КЭ== .

Дифференциальный коэффициент передачи БТ по току в схеме ОЭ – коэффициент передачи тока базы

β _КЭ== .

Дифференциальная выходная проводимость

1 /r_КЭ = dI_К/dU_КЭ при dI_Б = 0.

Величину dU_БЭ / dU_КЭ в инженерных расчётах обычно не учитывают.

Рис. П2.4 – Входная характеристика

Рис. П2.5 – Семейство выходных характеристик транзистора, управляемого током базы

Основные уравнения биполярного транзистора, управляемого током, с учётом введенных обозначений малосигнальных параметров получаем в виде

dU_БЭ = r_БЭ dI_Б; (7)

dI_К = b dI_Б + dU_КЭ/r_КЭ. (8)

Перечисленные выше параметры в справочной литературе могут иметь другие обозначения:

b = h _21э; r _БЭ = h _11э; 1 /r_КЭ = h _22э.

Дата добавления: 2014-01-20