Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Транзистор (от англ. transfer — переносить и resistor — сопротивление) изобретён в 1948 У

ТРАНЗИСТОРЫ

Транзистор (от англ. transfer — переносить и resistor — сопротивление) изобретён в 1948 У. Шокли, У. Браттейном и Дж. Бардином (Нобелевская премия, 1956).

Т ранз и сторы составляют два основных крупных класса: униполярные и биполярные.

В униполярных транзисторах протекание тока через кристалл обусловлено носителями заряда только одного знака - электронами или дырками (полевой транзистор)

В биполярных транзисторах ток через кристалл обусловлен движением носителей заряда обоих знаков.

Транзистор - преобразовательный полупроводниковый прибор, имеющий не менее трех выводов, пригодный для усиления мощности.

Рис. 8.3 УГО биполярного транзистора

Схематическое устройство БТ (р-п-р)

Наиболее распространенные транзисторы имеют два p-n перехода.

Рис. 8.4 Схематическое устройство биполярного p-n-p транзистора

Рис. 8.5 Пример конструкции биполярного транзистора (Ge) p-n-p типа

Основной элемент транзистора - кристалл гер­мания, кремния или другого п/п, в котором созданы три об­ласти с различной проводимостью (рис. 8.4).

Две крайние области обладают проводимостью о динакового типа. Между ними – базовый слой (W, на рис 8.5).

Структура имеет два p-n перехода – эмиттерный (б-э) и коллекторный (б-к).

Возможны два варианта биполярных транзисторов: p-n-p и n-p-n типа.

Два условия работы транзистора:

- рас­стояние между базой и коллектором должно быть очень мало – единицы и доли микрометров. Т.е., область базы - очень тонкий слой.

- концентрация атомов примеси в области базы незначительна - во много раз меньше, чем в эмиттере.

Дата добавления: 2014-01-20