По технологии изготовления

Гетерогенный переход (гетеропереход,Heteroubergang, Heterogenous junction) –электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с различной шириной запрещенной зоны. создается на границе различных полупроводниковых материалов: германий-кремний, кремний-арсенид галлия.

Гомогенный переход (гомопереход,Homogener Ubergang, Homogenous junction) –электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с одинаковой шириной запрещенной зоны, созданный в одном полупроводниковом материале (только в германии, только в кремнии, только в арсениде галлия).

ПЕРЕХОД МЕТАЛЛ - П/П

Переход Шоттки (Schottky Ubergang, Schottky junction) – электрический переход, образованный в результате контакта между металлом и полупроводником.

ПЕРЕХОД ДИЭЛЕКТРИК - П/П

Переход металл-диэлектрик-полупроводник ( МДП) представляет собой структуру, в которой между слоем металла и полупроводника располагается тонкий слой диэлектрика (обычно двуокиси кремния SiO₂).

ИЗОТИПНЫЕ ПЕРЕХОДЫ (или контакт полупроводник- полупроводник)

Если слои одного типа проводимости, но с разной концентрацией примесей, то получается электронно-электронный (n⁺-n) и дырочно-дырочный (p⁺-p) переходы. (“+” обозначает повышенную концентрацию).

Электронно-электронный переход (n‑n⁺ переход, n‑n⁺‑Ubergang, N‑N⁺ junction) – электрический переход между двумя областями полупроводника n‑типа, обладающими различными значениями удельной электрической проводимости.

Дырочно-дырочный переход ( p‑p⁺ переход, p‑p⁺‑Ubergang, P‑P⁺ junction) – электрический переход между двумя областями полупроводника p-типа, обладающими различными значениями удельной электрической проводимости.

Примечание. “+” условно обозначает область с более высокой удельной электрической проводимостью.

ПО ШИРИНЕ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ различают:

ПО ВИДУ ВАХ (вольтамперной характеристики) различают:

Выпрямляющий переход (Gleichrichterubergang, Rectifying junction) – электрический переход, электрическое сопротивление которого при одном направлении тока больше, чем при другом.

Омический переход (Ohmischer Ubergang, Ohmic junction) – электрический переход, электрическое сопротивление которого не зависит от направления тока в заданном диапазоне значений токов.

ПО ГРАДИЕНТУ состава на границе различают:

Резкий переход (Steiler Ubergang, Abrupt junction) – электрический переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси значительно меньше толщины области пространственного заряда.

Примечание. Под толщиной области понимают ее размер в направлении градиента концентрации примеси.

Плавный переход (Stetiger Ubergang, Graded junction) – электрический переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси сравнима с толщиной области пространственного заряда.

ПО ТЕХНОЛОГИИ изготовления перехода различают:

Плоскостной переход (Flachenubergang, Surface junction) – электрический переход, у которого линейные размеры, определяющие его площадь, значительно больше толщины.

Точечный переход (Punktubergang, Point-contact junction) – электрический переход, все размеры которого меньше характеристической длины, определяющей физические процессы в переходе и в окружающих его областях.

Диффузионный переход (Diffundierter Ubergang, Diffused junction) – электрический переход, полученный в результате диффузии атомов примеси в полупроводнике.

Планарный переход (Planarubergang, Planar junction) – диффузионный переход, образованный в результате диффузии примеси сквозь отверстие в защитном слое, нанесенном на поверхность полупроводника.

Конверсионный переход (Konversionsubergang, Conversion junction) – э лектрический переход, образованный в результате конверсии полупроводника, вызванной обратной диффузией примеси в соседнюю область, или активацией атомов примеси.

Сплавной переход (Legierter Ubergang, Alloyed junction) – электрический переход, образованный в результате вплавления в полупроводник и последующей рекристаллизации металла или сплава, содержащего донорные и (или) акцепторные примеси.

Микросплавной переход (Mikrolegierter Ubergang, Micro-alloy junction) – сплавной переход, образованный в результате вплавления на малую глубину слоя металла или сплава, предварительно нанесенного на поверхность полупроводника.

Выращенный переход (Gezogener Ubergang, Grown junction) – электричеcкий переход, образованный при выращивании полупроводника из расплава.

Эпитаксиальный переход (Epitaxieubergang, Epitaxial junctio n) – электрический переход, образованный эпитаксиальным наращиванием.

Эпитаксиальное наращивание – создание на монокристаллической подложке слоя полупроводника, сохраняющего кристаллическую структуру подложки.

Полупроводниковая микросхема - все элементы и межэлементные соединения выполнены на одном полупроводниковом кристалле (например, кремния, германия, арсенида галлия).

Функции дискретных элементов (активных и пассивных) в таких схемах выполняют различные локальные (местные) области, между которыми существуют необходимые электрические соединения и изолирующие прослойки.

Плёночная микросхема - все элементы и межэлементные соединения выполнены в виде плёнок:

- толстоплёночная интегральная схема;

- тонкоплёночная интегральная схема.

Гибридная микросхема

Пассивные элементы изготавливаются путем последова­тельного напыления на диэлектрическую подложку пленок из различных материалов, а актив­ные элементы выполняют в виде отдельных (дискретных) навесных бескорпус­ных деталей с гибкими выводами и прикрепляют на подложку.

Дата добавления: 2014-01-20