Физика работы импульсного диода с p-n переходом

Импульсные диоды

Импульсный полупроводниковый диод — это полупроводниковый прибор, имеющий малую длительность переходных процессо в и предназначенный для применения в импульсных режимах работы.

- с p-n переходом;

- с переходом Шоттки.

Основное назначение импульсных диодов - работа в качестве, коммутирующих элементов электронных схем, а также импульсные диоды широко применяют в радиоэлектронике для детектирования высокочастотных сигналов.

Условия работы импульсных диодов обычно соответствуют высокому уровню инжекции, т. е. относительно большим прямым токам.

Свойства и параметры импульсных диодов определяются переходными процессами.

При включении диода в прямом направлении через него течет большой диффузионный ток, ограниченный резистором Rн.

При этом в базе накапливается объемный заряд неосновных носителей, связанный с инерционностью движения неравновесных зарядов.

Рис.7.2 Схема включения и переходные процессы в импульсном диоде с p-n переходом

При переключении диода с прямого направления на обратное, в начальный момент времени, через диод идет большой обратный ток, ограниченный в основном объемным сопротивлением базы, обусловленный рассасывания неосновных носителей в базе.

С течением времени накопленный заряд в базе диода рассасывается (неосновные носители в базе рекомбинируют илиуходят из базы через р-n переход, после чего обратный ток уменьшается до своего стационарного значения.

Дата добавления: 2014-01-20