Векторный способ перемещения

Растровый способ перемещения.

Пучок сканируется по всей области кристалла и для создания нужного рисунка включается и выключается в определенные моменты времени. При растровом способе предъявляются менее жесткие требования к системе отклонения пучка, так как вследствие многократного повторения процесса сканирования искажения, связанные с вихревыми токами и гистерезисом, легко могут быть скомпенсированы.

Пучок перемещается только в ту область, где необходимо провести экспонирование. Как правило, наносимый рисунок разлагается на ряд простейших фигур. Векторное сканирование эффективнее, но требует использования совершенной отклоняющей системы.

Контроль взаимного расположения электронного пучка и пластины может осуществляться методом сравнения положения контрольной метки или с помощью точного определения положения стола лазерным интерферометром. В микроэлектронике контрольные метки изготавливаются в виде тонкопленочных полосок из материала с большим атомным номером или специального топографического рисунка из материала, имеющего атомный номер, равный или близкий атомному номеру подложки. При сканировании поверхности электронный пучок проходит области, где нанесен другой материал, в результате чего вырабатывается соответствующий сигнал.

Рис. 26. Схема сканирующей системы для электронно-лучевой литографии

Общая схема сканирующей системы для электронно-лучевой литографии приведена на рис. 26. Заметим, что электронный луч попадает на многослойную систему, состоящую из электронного резиста, металлической пленки и пластины, располагающихся на подвижном столике.

В качестве резиста обычно используют позитивные резисты, полученные на основе полиметилметакрилата (ПММА). Для позитивных резистов экспонирование электронным пучком вызывает уменьшение его молекулярного веса при разрыве связей между молекулами, увеличивая их растворимость. Для негативных - облучение стимулирует образование поперечных связей в молекулах полимера. В результате образуется сложная слаборастворимая трехмерная молекулярная структура с большой плотностью. Разбухание негативных резистов ограничивает разрешающую способность до 1 мкм. Для позитивных - она составляет 0.1 мкм.

Дата добавления: 2014-01-20