КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Примеры наиболее распространенных схем базирования
Принцип постоянства баз При разработке технологического процесса следует стремиться к использованию одной и той же технологической базы, не допуская без особой необходимости смены технологических баз (не считая смены черновой базы). Это объясняется тем, что всякая смена технологической базы увеличивает погрешность взаимного расположения поверхностей. На практике встречаются случаи, когда выполнение требования постоянства баз ведёт к чрезмерному усложнению конструкций и приспособлений и их удорожанию. В этом случае технолог производит соответствующие размерные расчёты и меняет базы. Часто бывает удобно использовать настроечные технологические базы при построении всего процесса обработки по принципу концентрации операций, то есть обработка заготовки осуществляется за небольшое число сложных по своему содержанию операций с применением различных инструментов, многопозиционных станков с ЧПУ, автоматов и групповой обработки. При обработке крупных изделий в условиях мелкосерийного и единичного производства использование настроечных баз экономически нецелесообразно, поэтому зачастую употребляют поверочные базы. При построении технологического процесса по принципу дифференциации операций, то есть изготовлении заготовки с помощью большого количества простых операций, состоящих из одного-двух переходов, наиболее удобно использовать элементные контактные технологические базы. Для повышения точности и создания определенности ориентирования заготовки в приспособлении с помощью опорных технологических баз в качестве базирующей поверхности рекомендуется выбирать поверхности простой формы (плоскости, цилиндры), так как точность их обработки наиболее высока. Число технологических баз должно быть дано для точной ориентации заготовки, при которой обеспечивается получение всех размеров для заданной операции. При этом возможно использование одной, двух либо трех баз; следует иметь в виду, что увеличение количества технологических баз на протяжении всего маршрута обработки однозначно ведёт к усложнению оснастки. 1. Установка вала в индивидуальном переднем центре поводком и вращающемся заднем центре (рис. 11). Ось левого центрового отверстия – технологическая двойная опорная скрытая база. Ось правого центрового отверстия – технологическая двойная опорная скрытая база. Поверхность левого центрового отверстия является технологической опорной явной базой (точка 5). В процессе зажима хомутиком реализуется технологическая опорная скрытая база. Закрепление заготовки осуществляется люнетом. 2. Установка короткого вала в самоцентрирующем патроне без опоры по торцу (рис. 12). Установка вала в длинных кулачках центрирует деталь по цилиндрической наружной поверхности, его ось является технологической двойной направляющей скрытой базой (точки 1-4); правый торец вала при выставке вылета с помощью штангенциркуля. Правый торец – технологическая опорная явная база. В процессе зажима кулачками реализуется технологическая опорная скрытая база по диаметральному сечению вала. 3. Установка вала в самоцентрирующий трёхкулачковый патрон с упором по торцу (левому) и во вращающемся центре (рис. 13). Ось цилиндра – технологическая двойная направляющая скрытая база. Левый торец – технологическая опорная явная база. Силой зажима реализуется по диаметральному сечению технологическая опорная скрытая база.
5. Установка детали типа диска в двух-, трехкулачковом патроне с ориентацией по торцу. Левый торец – технологическая установочная явная база. Ось наружной цилиндрической поверхности технологическая вторая опорная скрытая база. При закреплении детали по диаметральному сечению реализуется технологическая опорная скрытая база.
7. Установка вала на призме (рис. 16).
8. Установка вала с отверстием на цилиндрической гладкой оправке (рис. 17).
9. Установка вала с отверстием на разжимной оправке (рис. 18). Ось внутренней цилиндрической поверхности – технологическая двойная направляющая скрытая база. Левый торец – технологическая опорная явная база. Силой зажима реализуется технологическая опорная скрытая база по диаметральному сечению. 10. Протягивание длинного отверстия во втулке (рис. 19).
11. Протягивание короткой втулки (рис. 20). Левый торец – технологическая установочная явная база. Ось отверстия (внутренняя) – технологическая двойная опорная скрытая база. Точка 6 – технологическая опорная скрытая база. 12. Установка корпусной детали на плоскости основанием и по двум боковым сторонам (рис. 21). Плоскость основания – технологическая установочная явная база (точки 1-3). Наиболее протяжённая боковая поверхность – технологическая направленная явная база (точки 4,5). Точка 6 – технологическая опорная явная база. 13. Установка корпусной детали на плите и по двум отверстиям в ней (в детали), рис. 22. Точки 1-3 – технологическая установочная явная база. Поверхность базового отверстия в контакте с цилиндрическим пальцем – технологическая двойная опорная явная база. Поверхность правого отверстия в контакте со срезанным пальцем – технологическая опорная явная база. (точка 6).
15. Установка заготовки на плоскость магнитной плиты шлифовального станка (рис. 24). Точки 1-3 – технологическая установочная явная база. Точки 4,5, лежащие на продольной оси симметрии, – технологическая направленная скрытая база. Поперечная (вертикальная) ось симметрии – технологическая опорная скрытая база. 4. ТОЧНОСТЬ В МАШИНОСТРОЕНИИ
Дата добавления: 2014-01-20; Просмотров: 10043; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |