Дельта слои

Еще один тип квантово-размерных структур с треугольной потенциальной ямой - так называемые дельта-слои. Это полупроводники с предельно неоднородным профилем легирования, где примесные ионы не распределены однородно по объему, а сосредоточены в очень тонком слое в один или несколько периодов решетки. Носители, образовавшиеся при ионизации примесей, удерживаются их зарядом вблизи плоскости слоя. Электрическое поле слоя ионов экранируется зарядом электронов, и результирующая потенциальная яма имеет вид, схематически показанный на Рис.4.3, Отличительной чертой дельта-слоев является возможность получения в них очень высокой концентрации размерно-квантованных носителей (до значений порядка 10¹⁴ см_-2), заметно большей, чем в других описанных структурах. Однако подвижность носителей в них сравнительно невелика за счет рассеяния на большом количестве примесных ионов, лежащих непосредственно в плоскости слоя.

Рис. 4.3. Зонная диаграмма дельта слоя.

Структуры с туннельнопрозрачными барьерами (сверхрешётки)

Большой интерес вызывают структуры со слоями или квантовыми точками находящимися достаточно близко друг к другу, что возможно носители заряда могут туннелировать между ними. Как правило это бывают серия прямоугольных квантовых ям для структур с двумерным электронным газом или массивы квантовых точек самоорганизующихся при росте структуры. Выделяют двойные квантовые ямы – две прямоугольных квантовых ямы выращенных близко друг от друга (их легируют как единое целое) и сверхрешетки где есть большое количество повторяющихся квантовых ям (Рис.4.4).

Рис. 4.4. Зонная диаграмма сверхрешетки.

Дата добавления: 2014-01-11