Электронно-управляемые аттенюаторы на p-i-n-диодах

Принцип работы таких аттенюаторов основан на использовании p-i-n-диодов с электрически управляемым внутренним активным сопротивлением.

Эквивалентная схема p-i-n-диода представлена на рис. 5.

R – резистивное сопротивление диода; С – емкость p-i-n-структуры; L – индуктивность контактной проволочки и выводов диода

Рис. 5

Введение диода в регулярную линию передачи и подача на него управляющего электрического воздействия позволяют изменять его внутреннее активное сопротивление и, как следствие, коэффициент ослабления аттенюатора А₁₂.

Достоинство таких аттенюаторов – высокое быстродействие, так как изменение внутреннего сопротивления p-i-n-диода происходит практически мгновенно.

Конструктивно многозвенные управляемые атте­нюаторы, как правило, выполняются по полосковой технологии. В ра­зрывы проводника, а также между проводником и подложкой включают управляемые р-i-n-диоды. Отрезки полосковой линии между такими секциями выбирают определенной длины l < Λ/8 и с требуемыми зна­чениями волнового сопротивления.

Дата добавления: 2014-01-11