Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Частотные свойства полевых транзисторов




Читайте также:
  1. A.1.1 Свойства архитектуры безопасности
  2. I. Волновые свойства упругих и электромагнитных волн
  3. I. Определенный интеграл и его свойства
  4. II. Информация, ее виды и свойства
  5. IV.5.3.a. Свойства окна
  6. V. Химические свойства меди.
  7. Агрофизические свойства почвы.
  8. Агрофизический свойства почвы
  9. АКТИВНЫЙ ИЛ И ЕГО СВОЙСТВА.
  10. Акустические свойства
  11. Алгоритм и его свойства
  12. Алгоритм и его свойства

Эквивалентная схема ПТ

Полевые транзисторы, по существу, являются приборами с распределенными параметрами. На практике используют упрощенные модели, напоминающие модели электронных ламп. Упрощенная эквивалентная схема ПТ на основе физической модели, которая определяется его структурой, представлена на рисунке 4.7. Здесь: rС и rИ – неизменные сопротивления между каналом и выводами транзистора (называемые немодулированными сопротивлениями стока и истока); управляемое сопротивление канала ri и генератор тока S UЗИ, создающий ток стока, зависят от входного напряжения UЗИ. Сопротивление канала ri сравнительно велико, а немодулированные сопротивления rС и rИ на два-три порядка меньше, чем ri. Строго говоря, эти два сопротивления включены последовательно с сопротивлением канала, учитывая, что rirС + rИ для упрощения анализа целесообразно rС исключить, а ri соединить непосредственно со стоком. Сопротивление rИ следует учитывать, т.к. оно существенно влияет на параметры транзистора.

Междуэлектродные емкости: входная затвор-исток СЗИ, проходная за­твор-сток СЗС и выходная сток-исток ССИ.

 

 

 

Анализ показывает, что по частотным свойствам полевой транзистор не имеет особых преимуществ перед биполяр­ным. Практически были осуществлены полевые транзисторы с максимальной частотой генерации до 30 ГГц. Но с точки зрения бы­стродействия полевой транзистор превосходит биполярный, так как работает на основных носителях заряда при отсутствии их нако­пления.

На частотные свойства полевых транзисторов оказывают влияние:

- конечность времени пролета носителей от истока до стока;

- межэлектродные емкости структуры.

Конечность времени пролета носителей tПР отражается комплексной крутизной

(4.6)

Здесь S0 - значение крутизны при ω → 0.

Модуль крутизны равен:

. (4.7)

При ω = ωS крутизна уменьшается в раз, частоту ωS называют предельной частотой крутизны.

Частота ωS связана с временем пролета tПР соотношением

ωS=1/ tПР.

Для выяснения частотной зависимости параметров транзистора от межэлектродных емкостей необходимо воспользоваться эквивалентной схемой (рисунок 4.7).

Из эквивалентной схемы следует, что к емкости затвор-сток приложена сумма двух напряжений: входного и выходного. Причем выходное напряжение . Входной ток транзистора разветвляется на две ветви: часть тока течет через входную емкость СЗИ , часть через емкость СЗС. Тогда входной ток будет равен

 

где . (4.8)

Отсюда следует, что наличие проходной емкости СЗС увеличивает входную емкость транзистора, что ведет к снижению граничной частоты, поскольку емкость СЭ, определяющая граничную частоту, включает в себя и входную емкость транзистора, шунтирующую резистор нагрузки RН.



 

 

 

Ток затвора IЗ во входной цепи полевого транзистора с управляющим p-n переходом является обратным током, который созда­ется неосновными носителями через p-n переход, чрезвычайна мал (порядка 10-9 А и менее). Поэтому входное сопротивление по­левого транзистора RВХ=DUЗ/DIЗ очень высокое (порядка несколь­ких мегомов), входная же емкость мала, так как переход нахо­дится под обратным напряжением. Этими качествами полевой транзистор выгодно отличается от биполярных транзисторов с дву­мя p-n переходами

Входное сопротивление МДП-транзистора из-за нали­чия изолятора между затвором и каналом составляет около 1012 - 1014 Ом и уменьшается с ростом частоты вследствие шунтирования входной емко­стью транзистора. Выходное сопротивление находится в пределах десятков - сотен килоомов. Входная и выходная емкости составляют единицы пикофарад, а проходная емкость -десятые доли пикофарад.

.





Дата добавления: 2014-01-11; Просмотров: 962; Нарушение авторских прав?;


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



ПОИСК ПО САЙТУ:


Рекомендуемые страницы:

Читайте также:



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2018) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление ip: 54.234.228.78
Генерация страницы за: 0.002 сек.