БЛЭ интегрально-инжекционной логики

Базовые логические элементы МДП-логики

В зависимости от типа используемого транзистора различают ИС n -МОП р- МОП-типов. Рассмотрим построение БЛЭ с использованием n -МОП-транзисторов. На рисунке 11 приведены принципиальные электрические схемы БЛЭ с двумя входами, которые реализуют операции 2И-НЕ и 2ИЛИ-НЕ.

Рисунок 11 - Принципиальные электрические схемы БЛЭ на МДП-транзисторах, 2И-НЕ (а) и 2ИЛИ НЕ (б)

Для повышения технологичности изготовления желательно при разработке ИС применять схемотехнические решения, которые используют только одно­типные элементы, например, транзисторы. Этот путь, как было показано раньше, реализован в ИС МДП, что наряду с другими преимуществами явля­ется причиной их широкого распространения. Однако, как уже отмечалось, ключ на биполярных транзисторах на сегодня имеет лучшие как ключевые, так и частотные свойства. Это является предпосылкой к постоянному поиску новых схемотехнических решений для реализации биполярных ИС. Такой поиск привел к почти одновременной разработке фирмами Philips и IBM элемента интегральной инжекционной логики (И²Л) [32]. Соответствующая ему принципиальная электрическая схема БЛЭ И²Л приведена на рисунке 12.

Рисунок 12 - Принципиальная электрическая схема БЛЭ И²Л

Важной особенностью элемента И²Л является возможность, варьируя ток инжектора в широких границах, изменять его быстродействие. Реально ток инжектора может изменяться от 1 нА до 1 мА, т. е. на 6 порядков. Поскольку для заданной схемотехники энергия переключения элемента — величина по­стоянная, в таких же границах может изменяться и быстродействие элемента. Важно, чтобы для этого не нужно было никаких схематических изменений в элементе.

Рисунок 13 - Реализация логических операций 2И-НЕ и 2ИЛИ-НЕ на БЛЭ И²Л

Дата добавления: 2014-01-11