Туннельный пробой

Пробой p-n перехода

Зонная диаграмма контакта, при котором образуется инверсионный слой.

Под пробоем p-n перехода понимается резкое уменьшение дифференциального обратного сопротивления, сопровождающееся резким возрастанием обратного тока при незначительном увеличении напряжения. Различают три вида (механизма) пробоя: туннельный (зенеровский), лавинный и тепловой. Первые два связаны с увеличением напряженности электрического поля, а третий – с увеличением рассеиваемой мощности и соответственно температуры.

В основе этого вида пробоя лежит туннельный эффект (туннелирование электронов через потенциальный барьер). Под высотой потенциального барьера следует понимать ширину запрещенной зоны, а под шириной барьера – расстояние d между “противостоящими” зонами.

Вероятность туннельного эффекта для потенциального барьера шириной d и высотой Ф определяется экспонентой:

Туннельный пробой: (а) – зонная диаграмма, (б) – обратная характеристика диода в режиме пробоя.

Дата добавления: 2014-01-11