КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Технологические модели
В качестве примера рассмотрим математическую модель технологического процесса изготовления тонкопленочных резисторов на основе сплава РС3710. Для получения модели был проведен полный факторный эксперимент, типа ПФЭ-23. В качестве основных технологических факторов используют следующие: 1) температуру испарения – Х1; 2) температуру подложки – Х2; 3) толщину резистивного слоя (d) – Х3. Были получены следующие уравнения регрессии: ; ; ; ; tСТ - время отжига; КСТ=1,0767 – 0,0175Х3; Kсп.=SOC/Sст. Х1=1823-1623 К; Х2=300-400 0С; Х3=200-400 . Другим примером может служить модель адгезии контактных площадок типа хром – медь, нанесенных на ситалловую подложку. На основании априорной информации были выбраны следующие технологические факторы: 1. температура подложки при напылении подслоя хрома; 2. скорость термического осаждения подслоя хрома; 3. степень вакуума в подколпачном устройстве; 4. толщина подложки хрома; 5. срок хранения подложки после химической очистки. Был проведен анализ степени значимости выбранных технологических факторов. Он проводился методом отсеивающих экспериментов. В результате было установлено, что значимыми являются только два технологических фактора: Х1 – температура подложки при напылении подслоя хрома; Х2 – скорость термического осаждения подслоя хрома. Математическая модель технологического процесса напыления подслоя хрома имеет следующий вид: , где Y – величина адгезии слоя ситалловой подложки. Х1=300 0С; Х2=6.
Дата добавления: 2014-01-11; Просмотров: 276; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |