Это полупроводниковый фотоэлектрический прибор с двумя p – n переходами. Конструктивно он выполняется таким образом, что на переход Б – Э может воздействовать световой поток. При этом неосновные носители заряда, появляющиеся в области базы под действием светового потока обеспечивают изменение в проводимости цепи К – Э, т.е действие светового потока изменяет выходные (коллекторные) характеристики транзистора (рис. 1.23, а), также как и управляющий базовый ток при электрическом управлении транзистора.
Применяются как высокочувствительные датчики светового потока.
а) б)
а –– выходные характеристики фототранзистора; в – схемное обозначение фототранзистора
Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет
studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав!Последнее добавление