Лекция 3. Информационные технологии финансово – кредитной деятельности

29.11.01

29.11.01

Конструктор форм

Окно конструктора форм (Project1) расположено в центре среды разработки.

В нем размещается форма с расположенными на ней элементами управления. Изменение размера окна конструктора форм производится перемещением границ окна.

Изменение размера формы производится с помощью черных квадратов (маркеров размера), расположенных по краям формы.

Файл созданной формы имеет расширение .frm.

Файл проекта имеет расширение .vbp.

Окно программного кода объекта (редактор VB)

В текстовом редакторе выполняется основная часть работы по созданию формы и управляющих элементов, а именно, создание их программных кодов.

Окно редактора обычно вызывается двойным щелчком на объекте. В редакторе можно перейти к любой процедуре какого-либо из объектов в выделенной форме.

Процедура — это фрагмент программы, выполняющий одну из задач программы. Процедура, как правило, открывается командой Private Sub, а заканчивается обязательно End Sub. Эти две обязательные команды задаются автоматически при вызове программного кода выделенного объекта.

В меню окна редактора можно просмотреть доступные методы и события для любого выделенного объекта.

Окно просмотра объектов (Object Browser)

В окне отображаются различные свойства, методы и события, которые доступны для встраивания в программы. Вызывается либо клавишей F2, либо View — Object Browser

В статическом режиме потребляет инвертор 0,01 –0,1 мкВт;

В динамическом не более 100 мкВт, на частоте 1 Мгц;

Температура кристалла уменьшается.

Диапазон 15В;

Помехозащищенность 30 – 45 % от значения питающего напряжения;

Высокая нагрузочная способность до 1000 входов;

Переходное сопротивление до 10¹⁵ Ом.

МНОП

(Металл – нитрид кремния – окисел – полупроводник)

Обладает большой пассивирующей способностью. Это дает возможность снизить пороговое напряжение на 1 –1,5 В и повысить крутизну.

На таких структурах строятся запоминающиеся устройства, сохраняющие информацию при отключенном источнике питания. При использовании такой структуры толщина диэлектрика уменьшается в 1,5 раза. Толщина диэлектрика – 0,005 микрона. Это запоминающее устройство с электрическим стиранием и записью информации.

МОАП

(Металл – окисел –алюминий – полупроводник)

в качестве второго подзатворного диэлектрика используется Al₂O₃. Он способен создавать на границе с двуокисью кремния встроенный отрицательный заряд, что позволяет нам получать n – канальные приборы работающие в режиме обогащения. Пороговое напряжение – (+1) В. Недостатки обычной структуры в процессе изготовления, при использовании фотолитографии появляется перекрытие затвором областей истока и стока, а следовательно появление дополнительных паразитных емкостей, которые будут снижать быстродействие прибора, поэтому используют в качестве затвора поликристаллический кремний.

При этом:

1) Уменьшаются встроенные паразитные емкости;

2) Уменьшается глубина залегания p-n переходов С-И от 2 до 1 микрона;

3) Совместимость материала затвора с материалом защитного слоя позволяет сближать контакты С-И, уменьшать размеры областей и всего в целом прибора.

4) Снижение толщины диэлектрика от 0,1 до 0,007 микрон позволяет увеличить крутизну, повысить быстродействие;

5) Использование поликристаллического кремния дает снижение контактной разности потенциалов, уменьшение порогового напряжения.

ЛИПЗ МДП

(Лавинная – инжекционная – плавающий затвор МДП)

Эта структура элементная база запоминающих устройств современных БИС.

Механизм зарядки плавающего затвора основан на следующем: на сток р – канального МДП транзистора подается отрицательный потенциал, по мере увеличения отрицательного потенциала напряжение смещение, обедненный слой и электрическое поле в нем будут расти. Электрическое поле в обедненной области обратно смещенного стокового p-n перехода формирует большое количество высокоэнергетических «горячих» электронов, обладающих достаточной энергией, чтобы преодолеть потенциальный барьер, границы раздела кремний – двуокись кремния, т.е. тонкий подзатворный диэлектрик. Преодолев подзатворный диэлектрик «горячие» электроны будут стекаться на плавающий затвор. Предварительно за счет емкостной связи подается притягивающее их положительное напряжение смещения. По мере заряда плавающего затвора, на нем будет аккумулироваться отрицательный заряд, который будет создавать поле препятствующее процессу зарядки. При этом ток лавинной инжекции через диэлектрик будет уменьшаться и при определенной величине заряда снизится до нуля. Практически для зарядки электронами плавающего затвора на сток необходимо подать отрицательный импульс напряжения, причем величина аккумулирования заряда на затворе будет зависеть от амплитуды и длительности импульса, приложенного напряжения, а также геометрических размеров материала затвора и подзатворного диэлектрика. После зарядки плавающего затвора электронами в области канала образуется инверсный слой, т.е. транзистор переходит в открытое состояние, т.е. хранит 0, Т.К. плавающий затвор окружен SiO₂, то заряд сохраняется очень длительное время (при температуре 25° С за 10 лет уменьшается на 30%). Стирание осуществляется с помощью облучения ультрафиолетовыми лучами, причем длина волны должна быть достаточна для того, чтобы фотоны могли передать свою энергию электронам и вернуть их обратно.

Плавающий затвор может находиться в двух состояниях открытом и закрытом. Модификация этого прибора: плавающий и управляющий затвор.

Сопротивление подложки 5 Ом/см.

В этом случае зарядка плавающего затвора также осуществляется за счет лавинной инжекции. В процессе зарядки на управляющий затвор подается положительное напряжение, что повышает уровень инжекции и эффективность записи. Стирание с помощью электрического импульса.

Такие приборы с постоянной памятью, с электрическим стиранием позволяет осуществлять перезапись не всей, а только части информации. Это используется в БИС электрического стирания перепрограммируемого запоминающего устройства. В режиме стирания к управляющему затвору прикладывают положительный потенциал. Время стирания зависит от напряжения стирания. Напряжение около 50 В, могут выдерживать 50 циклов перезаписи.

Для того, чтобы уменьшить напряжение стирания рекомендуется: управляющий электрод должен быть разделен слоем нитрида кремния – 0,7 микрона.

Эти приборы не удовлетворяют всем требованиям. Существует новая структура: МДП структура с двумя плавающими затворами – один из них управляющий, второй плавающий.

Этот вариант является наиболее перспективным. Обладает большой информационной емкостью, высоким быстродействием, изготавливается на основе совмещенной технологии с применением пленок поликремния для обоих затворов, используя самосовмещение ионного легирования. Управление запоминающим элементом осуществляется за счет емкостной связи: УЗ-ПЗ, ПЗ-ПП. Для достижения максимальной емкостной связи, толщина межзатворного диэлектрика должна быть соизмерима с толщиной подзатворного диэлектрика. Зарядка осуществляется также «горячими» электронами и в режиме зарядки на сток и затвор одновременно подается большое напряжение около 20 В инжекция горячих электронов в плавающий затвор осуществляется полем со стороны управляющего затвора. Параметры этого транзистора зависят от длины канала (желаемая длина 3 – 4 микрона).

Это вариант запоминающего элемента с электрическим стиранием n – канального МДП транзистора с двумя поликристаллическими затворами и тонким туннельным подзатворным диэлектриком. Работа этого транзистора осуществляется на основе эффекта туннелирования, когда электрическое поле в диэлектрике становится больше 10⁷ В/см электроны с отрицательно заряженного электрода могут попасть в зону проводимости диэлектрика пройдя через запрещенную зону, они достигнут положительного электрода. Туннелирование через диэлектрик используется как для заряда, так и для разряда затвора. При подаче на управляющий затвор напряжения соответствующей полярности при нулевом напряжении на остальных электродах на плавающий затвор через емкостную связь подается положительное напряжение, электроны проходя через туннельный окисел заряжают плавающий затвор и наоборот, при подаче на область С, И и П положительного напряжения порядка 17 В, при нулевом напряжении на управляющем затворе происходит разрядка плавающего затвора.

Для создания на основе запоминающего элемента запоминающего устройства с электрическим стиранием необходимо осуществлять развязку между матричным накопителем и схемой управления, с этой целью запоминающий элемент помещают в карман p^– типа.

На основе таких структур получаются программируемые логически устройства.

Очень удобные для изготовления заказных интегральных микросхем.

Конструкция ДМОП транзистора

1 – область канала;

2 – область дрейфа.

Такая конструкция специально разработана для обеспечения высокого быстродействия за счет уменьшения длины канала до субмикронных размеров 0,4 – 1 микрон.

Канал получается диффузионным путем, поэтому транзистор называется диффузионный МДП транзистор. Короткий канал формируется в приповерхностном слое кремния р – типа. Число носителей в этом канале определяется напряжением на затворе, а скорость их перемещения напряжением между И и С. произведение числа носителей на их скорость пропорциональна току стока.

В обедненной n – области между каналом и стоком, при напряжении на стоке больше напряжения насыщения на стоке электроны прошедшие канал инжектируются в объемный заряд и дрейфуют к стоку в сильном электрическом поле. Время переключения таких транзисторов 1 нс и менее, пробивное напряжение 300 – 400 В.

Применяется в БИСах, быстрых переключающих устройствах, с высоким рабочим напряжением и большой мощностью.

В статическом режиме потребляет инвертор 0,01 –0,1 мкВт;

В динамическом не более 100 мкВт, на частоте 1 Мгц;

Температура кристалла уменьшается.

Диапазон 15В;

Помехозащищенность 30 – 45 % от значения питающего напряжения;

Высокая нагрузочная способность до 1000 входов;

Переходное сопротивление до 10¹⁵ Ом.

МНОП

(Металл – нитрид кремния – окисел – полупроводник)

Обладает большой пассивирующей способностью. Это дает возможность снизить пороговое напряжение на 1 –1,5 В и повысить крутизну.

На таких структурах строятся запоминающиеся устройства, сохраняющие информацию при отключенном источнике питания. При использовании такой структуры толщина диэлектрика уменьшается в 1,5 раза. Толщина диэлектрика – 0,005 микрона. Это запоминающее устройство с электрическим стиранием и записью информации.

МОАП

(Металл – окисел –алюминий – полупроводник)

в качестве второго подзатворного диэлектрика используется Al₂O₃. Он способен создавать на границе с двуокисью кремния встроенный отрицательный заряд, что позволяет нам получать n – канальные приборы работающие в режиме обогащения. Пороговое напряжение – (+1) В. Недостатки обычной структуры в процессе изготовления, при использовании фотолитографии появляется перекрытие затвором областей истока и стока, а следовательно появление дополнительных паразитных емкостей, которые будут снижать быстродействие прибора, поэтому используют в качестве затвора поликристаллический кремний.

При этом:

1) Уменьшаются встроенные паразитные емкости;

2) Уменьшается глубина залегания p-n переходов С-И от 2 до 1 микрона;

3) Совместимость материала затвора с материалом защитного слоя позволяет сближать контакты С-И, уменьшать размеры областей и всего в целом прибора.

4) Снижение толщины диэлектрика от 0,1 до 0,007 микрон позволяет увеличить крутизну, повысить быстродействие;

5) Использование поликристаллического кремния дает снижение контактной разности потенциалов, уменьшение порогового напряжения.

ЛИПЗ МДП

(Лавинная – инжекционная – плавающий затвор МДП)

Эта структура элементная база запоминающих устройств современных БИС.

Механизм зарядки плавающего затвора основан на следующем: на сток р – канального МДП транзистора подается отрицательный потенциал, по мере увеличения отрицательного потенциала напряжение смещение, обедненный слой и электрическое поле в нем будут расти. Электрическое поле в обедненной области обратно смещенного стокового p-n перехода формирует большое количество высокоэнергетических «горячих» электронов, обладающих достаточной энергией, чтобы преодолеть потенциальный барьер, границы раздела кремний – двуокись кремния, т.е. тонкий подзатворный диэлектрик. Преодолев подзатворный диэлектрик «горячие» электроны будут стекаться на плавающий затвор. Предварительно за счет емкостной связи подается притягивающее их положительное напряжение смещения. По мере заряда плавающего затвора, на нем будет аккумулироваться отрицательный заряд, который будет создавать поле препятствующее процессу зарядки. При этом ток лавинной инжекции через диэлектрик будет уменьшаться и при определенной величине заряда снизится до нуля. Практически для зарядки электронами плавающего затвора на сток необходимо подать отрицательный импульс напряжения, причем величина аккумулирования заряда на затворе будет зависеть от амплитуды и длительности импульса, приложенного напряжения, а также геометрических размеров материала затвора и подзатворного диэлектрика. После зарядки плавающего затвора электронами в области канала образуется инверсный слой, т.е. транзистор переходит в открытое состояние, т.е. хранит 0, Т.К. плавающий затвор окружен SiO₂, то заряд сохраняется очень длительное время (при температуре 25° С за 10 лет уменьшается на 30%). Стирание осуществляется с помощью облучения ультрафиолетовыми лучами, причем длина волны должна быть достаточна для того, чтобы фотоны могли передать свою энергию электронам и вернуть их обратно.

Плавающий затвор может находиться в двух состояниях открытом и закрытом. Модификация этого прибора: плавающий и управляющий затвор.

Сопротивление подложки 5 Ом/см.

В этом случае зарядка плавающего затвора также осуществляется за счет лавинной инжекции. В процессе зарядки на управляющий затвор подается положительное напряжение, что повышает уровень инжекции и эффективность записи. Стирание с помощью электрического импульса.

Такие приборы с постоянной памятью, с электрическим стиранием позволяет осуществлять перезапись не всей, а только части информации. Это используется в БИС электрического стирания перепрограммируемого запоминающего устройства. В режиме стирания к управляющему затвору прикладывают положительный потенциал. Время стирания зависит от напряжения стирания. Напряжение около 50 В, могут выдерживать 50 циклов перезаписи.

Для того, чтобы уменьшить напряжение стирания рекомендуется: управляющий электрод должен быть разделен слоем нитрида кремния – 0,7 микрона.

Эти приборы не удовлетворяют всем требованиям. Существует новая структура: МДП структура с двумя плавающими затворами – один из них управляющий, второй плавающий.

Этот вариант является наиболее перспективным. Обладает большой информационной емкостью, высоким быстродействием, изготавливается на основе совмещенной технологии с применением пленок поликремния для обоих затворов, используя самосовмещение ионного легирования. Управление запоминающим элементом осуществляется за счет емкостной связи: УЗ-ПЗ, ПЗ-ПП. Для достижения максимальной емкостной связи, толщина межзатворного диэлектрика должна быть соизмерима с толщиной подзатворного диэлектрика. Зарядка осуществляется также «горячими» электронами и в режиме зарядки на сток и затвор одновременно подается большое напряжение около 20 В инжекция горячих электронов в плавающий затвор осуществляется полем со стороны управляющего затвора. Параметры этого транзистора зависят от длины канала (желаемая длина 3 – 4 микрона).

Это вариант запоминающего элемента с электрическим стиранием n – канального МДП транзистора с двумя поликристаллическими затворами и тонким туннельным подзатворным диэлектриком. Работа этого транзистора осуществляется на основе эффекта туннелирования, когда электрическое поле в диэлектрике становится больше 10⁷ В/см электроны с отрицательно заряженного электрода могут попасть в зону проводимости диэлектрика пройдя через запрещенную зону, они достигнут положительного электрода. Туннелирование через диэлектрик используется как для заряда, так и для разряда затвора. При подаче на управляющий затвор напряжения соответствующей полярности при нулевом напряжении на остальных электродах на плавающий затвор через емкостную связь подается положительное напряжение, электроны проходя через туннельный окисел заряжают плавающий затвор и наоборот, при подаче на область С, И и П положительного напряжения порядка 17 В, при нулевом напряжении на управляющем затворе происходит разрядка плавающего затвора.

Для создания на основе запоминающего элемента запоминающего устройства с электрическим стиранием необходимо осуществлять развязку между матричным накопителем и схемой управления, с этой целью запоминающий элемент помещают в карман p^– типа.

На основе таких структур получаются программируемые логически устройства.

Очень удобные для изготовления заказных интегральных микросхем.

Конструкция ДМОП транзистора

1 – область канала;

2 – область дрейфа.

Такая конструкция специально разработана для обеспечения высокого быстродействия за счет уменьшения длины канала до субмикронных размеров 0,4 – 1 микрон.

Канал получается диффузионным путем, поэтому транзистор называется диффузионный МДП транзистор. Короткий канал формируется в приповерхностном слое кремния р – типа. Число носителей в этом канале определяется напряжением на затворе, а скорость их перемещения напряжением между И и С. произведение числа носителей на их скорость пропорциональна току стока.

В обедненной n – области между каналом и стоком, при напряжении на стоке больше напряжения насыщения на стоке электроны прошедшие канал инжектируются в объемный заряд и дрейфуют к стоку в сильном электрическом поле. Время переключения таких транзисторов 1 нс и менее, пробивное напряжение 300 – 400 В.

Применяется в БИСах, быстрых переключающих устройствах, с высоким рабочим напряжением и большой мощностью.

Оглавление лекции 3

(для тех, кто не умеет пользоваться функцией WORDа - схема документа)

Лекция 3. Информационные технологии финансово – кредитной деятельности. 1

Офис – как информационная система. 4

Технологии автоматизации офиса. 6

Понятие электронного офиса. 6

Виртуальные офисы.. 8

Делопроизводство и системы автоматизации управления бизнес процессами. 10

Делопроизводство. 10

Системы автоматизированного управления бизнес процессами.. 17

Компьютерная поддержка принятия финансово – кредитных решений. 28

Автоматизированные системы контроля исполнения документов и поручений (АСКИД) 29

Программные продукты для финансового анализа и планирования (АРМ финансиста) 30

Наиболее распространенные компьютерные методики финансового анализа 32

Классификация финансово-аналитических компьютерных систем.. 35

Технологии имитационного моделирования. 38

Использование моделей и имитационного моделирования при принятии управленческих решений.. 38

Управление проектом.. 42

Обзор систем управления проектом Системы начального уровня. 48

СУП для профи.. 50

Project Expertt 55

Информационные хранилища (ИХ) и OLAP - технологии. 64

Подсистема хранения данных. 68

Подсистема метаинформации (репозиторий) 69

Подсистема преобразования данных (загрузки хранилища) 70

Подсистема представления данных (организация витрин или киосков данных(Data Marts)) 71

Подсистема оперативного анализа данных (OLAP (On-Line Analytical Processing)) 72

Подсистема интеллектуально анализа данных (извлечения данных)(Data Mining) 73

Подсистема «Информационная система для руководителя». 74

Подсистема WEB-публикации.. 75

Применение информационных хранилищ данных (ХД) 75

Список иллюстраций лекции 3

(для тех, кто не умеет составлять список таблиц и иллюстраций – при формировании подписи рисунка - вставка, ссылка, название)

Рисунок 1. Схема развития ПО для автоматизации бизнес-процессов, 18

Рисунок 2.. Этапы и инструменты цикла корпоративного управления. 20

Рисунок 3. Пример трехмерного гиперкуба. 66

Рисунок 4. Многомерная организация информационного хранилища. 66

Рисунок 5. Множество представлений информации из информационного хранилища 67

Рисунок 6. Архитектура информационного хранилища. 69

Рисунок 7. Уровни детализации (подъем и спуск) в представлении информации в Информационных хранилищах. 71

Рисунок 8. Информационный куб представления информации в Информационных хранилищах 72

Рисунок 9. Процесс формирования информационного хранилища и его взаимодействия с внешними системами.. 75

Рисунок 10. Архитектура аналитического ХД CRM – системы.. 77

Рисунок 11. Архитектура аналитического ХД SRM - системы.. 78

Рисунок 12. Архитектура аналитического SCM.. 79

Рисунок 13. Место хранилища данных в виртуальном предприятии.. 81

Список таблиц к лекции 3

Таблица 1.Сравнение систем управления потоками работ Workflow.. 21

Таблица 2. Области применения концепции складирования данных. 71

Таблица 3. Решения в области оперативных SСМ.. 76

Наиболее распространенный способ автоматизации финансово – кредитной деятельности – это создание собственных методик расчета и формирование формул для вычислений с помощью приложения Excel, которое входит в состав офисных приложений Microsoft

Microsoft Excel (также иногда называется Microsoft Office Excel) — программа для работы с электронными таблицами, созданная корпорацией Microsoft для Microsoft Windows, Windows NT и Mac OS. Она предоставляет возможности экономико-статистических расчетов, графические инструменты и, за исключением Excel 2008 под Mac OS X, язык макропрограммирования VBA (Visual Basic для приложений). Microsoft Excel входит в состав Microsoft Office и на сегодняшний день он является одним из наиболее популярных приложений в мире.

Microsoft Excel был первым табличным процессором, позволявшим пользователю менять внешний вид таблицы (шрифты, символы и внешний вид ячеек). Он также первым представил метод умного пересчета ячеек, когда обновляются только те ячейки, которые зависят от изменённых ячеек (раньше табличные процессоры либо постоянно пересчитывали все ячейки или ждали команды пользователя).

Будучи впервые объединёнными в Microsoft Office в 1993 году, Microsoft Word и Microsoft PowerPoint получили новый графический интерфейс для соответствия Microsoft Excel, главного стимула модернизации ПК в то время.

Начиная с 1993 года, в состав Microsoft Excel входит Visual Basic для приложений (VBA), язык программирования, основанный на Visual Basic, позволяющий автоматизировать задачи Microsoft Excel. VBA является мощным дополнением к приложению и в более поздних версиях Microsoft Excel доступна полнофункциональная интегрированная среда разработки. Можно создать VBA-код, повторяющий действия пользователя и таким образом автоматизировать простые задачи. VBA позволяет создавать формы для общения с пользователем. Язык поддерживает использование (но не создание) DLL (динамически подключаемой библиотеки) от ActiveX; более поздние версии позволяют использовать элементы объектно-ориентированного программирования.

Технология ActiveX - средство, при помощи которой Internet Explorer (IE) использует другие приложения внутри себя. С помощью ActiveX IE загружает Windows Media Player, Flash, Quicktime и другие приложения, которые могут воспроизводить файлы, внедрённые в веб-страницы. Элементы управления ActiveX активизируются при щелчке по такому объекту на веб-странице, например,.WMV-файлу, чтобы загрузить его для отображения в окне браузера Internet Explorer. Являясь продуктом Microsoft, ActiveX была специально спроектирована для работы с системами Windows. ActiveX не поддерживается другими операционными системами, такими как Mac или Linux.

Функциональность VBA делала Microsoft Excel легкой мишенью для макровирусов. И это было серьёзной проблемой до тех пор, пока антивирусные продукты не научились обнаруживать их. Фирма Microsoft, с опозданием приняв меры для уменьшения риска, добавила возможность выбора режима безопасности:

· полностью отключить макросы

· включить макросы при открытии документа

· доверять всем макросам, подписанным с использованием надёжных сертификатов.

Все офисные приложения Microsoft являются популярными для создания лоскутной или островной автоматизации, т.к. позволяют выполнять наиболее используемые виды работ современного клерка.

Кроме офисных приложений в состав офиса, как правило, входит механизм OLE (англ. Object Linking and Embedding, произносится как oh-lay [олэй]) - технология связывания и внедрения объектов в другие документы и объекты, разработанные корпорацией Microsoft. Она также позволяет передавать часть работы от одной программы редактирования к другой и возвращать результаты назад. Например, установленная на персональном компьютере издательская система может послать некий текст на обработку в текстовый редактор, либо некоторое изображение в редактор изображений с помощью OLE-технологии.

Основное преимущество использования OLE (кроме уменьшения размера файла) в том, что она позволяет создать главный файл, т.е. некоторую картотеку функций, к которой обращается программа. Этот файл может оперировать данными из исходной программы, которые после обработки возвращаются в исходный документ. Эта технология используется при обработке составных документов (англ. compound documents), может быть использована при передаче данных между различными несвязанными между собой системами посредством интерфейса переноса (англ. drag-and-drop), а также при выполнении операций с буфером обмена. Идея внедрения широко используется при работе с мультимедийным содержанием на веб-страницах, где используется передача изображения, звука, видео, анимации в страницах HTML (язык гипертекстовой разметки) либо в других файлах, также использующих текстовую разметку (например, XML и SGML). Однако, технология OLE использует архитектуру «толстого клиента», то есть сетевой ПК с избыточными вычислительными ресурсами. Это означает, что тип файла либо программа, которую пытаются внедрить, должна присутствовать на машине клиента. Например, если OLE оперирует таблицами Microsoft Excel, то программа Excel должна быть инсталлирована на машине пользователя.

Подробно приложения под Windows мы рассматривать не будем, т.к. этому было уделено достаточное внимание во время изучения дисциплины «Информатика».

Дата добавления: 2014-01-13