Принцип действия полупроводникового детектора

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДЕТЕКТОРЫ

Лекция 14

Бурное развитие полупроводниковых детекторов связано, во-первых, с их большим чувствительным объемом (в несколько десятков и даже сотен см³) и, во-вторых, с их очень высокой разрешающей способ­ностью (десятые доли процента) при сохранении достаточной эффективности. Полупроводниковые детекторы применяются для регистрации и спектрометрии заряженных частиц, нейтронов и g- квантов.

В первом приближении полупроводниковый детектор можно рассматривать как ионизационную камеру с твердым диэлектриком между электродами (это тип полупроводниковых детекторов, работающих в режимесбора зарядабез усиления, т.е. являющиеся аналогом импульсной ионизационной камеры). Существуют полупроводниковые детекторы с внутренним усилением (аналоги пропорционального и газоразрядного счетчиков), но они пока не нашли широкого применения.). Часто вместо термина твердотельная камера используют термин счетчик. Так же как и в газонаполненной ионизационной камере при поглощении ионизирующего излучения, в твердотельной камере образуются носители заряда, которые под действием внешнего электрического поля собираются на электродах. Возникающие при этом импульсы тока или напряжения используются для регистрации излучений. Число образовавшихся пар носителей заряда зависит только от энергии, потерянной ионизирующей частицей, и не зависит от ее характеристик (заряда, скорости и т. д.). Это обеспечивает линейную зависимость между амплитудой импульса и энергией, потерянной в чувствительном объеме детектора для всех видов частиц (также как в ионизационной камере).

Схема включения такой камеры приведена на рис. 3.13. Предположим, что камера представляет собой однородный брусок полупроводника и что электрическое поле постоянно во всем его объеме, т.е. камера имеет идеальные электроды, которые нигде не искажают распределение заряда в полупроводнике и не изменяют концентрацию носителей заряда. Прохождение заряженной частицы вызывает в диэлектрике образование разноименных носителей зарядов (электронов и дырок). Внешнее напряжение U создает внутри кристалла электрическое поле. Электроны и дырки (носители заряда в полупроводнике) движутся под действием этого поля к электродам. По мере того, как носители смещаются, они индуцируют на электродах заряд, пропорциональный пройденной ими разности потенциалов.

Лучше всего удовлетворяют всем требованиям для наполнителя твердых камер полупроводниковые материалы, к которым относятся – кристаллические кремний и германий, арсенид галлия, арсенид мышьяка, фосфид индия и др.

Преимущества полупроводниковых детекторов перед газонаполненными:

1 В чувствительном объеме этих камер содержится гораздо большая масса вещества, чем в газовом промежутке. Следовательно, в твердотельной камере полностью укладываются пробеги ионизирующих частиц с гораздо большей энергией, чем в газонаполненной. При регистрации g-квантов эффективность твердотельных камер также существенно выше. Весьма важно для g-спектроскопии то, что g-кванты, попадающие в детектор, выбивают электроны преимущественно не из электродов, как это имеет место в газонаполненных ионизационных камерах, а образуют их в чувствительном объеме камеры. При необходимости можно сделать твердотельную камеру с очень малым промежутком между электродами. В таком детекторе поглощается лишь небольшая доля энергии падающих частиц, что позволяет применять его для измерения удельных потерь энергии.

2 Твердотельные камеры имеют существенно лучшее энергетическое и временное разрешение, что связано с иными, чем в газонаполненной камере, процессами образования и движения носителей зарядов (и это еще более важно).

3 Полупроводниковые детекторы характеризуются малым значением средней энергии, расходуемой заряженной частицей для создания одной пары носителей заряда, следовательно, чем меньше значение средней энергии, тем больше носителей возникает в чувствительном объеме, тем больше сигнал, снимаемый с камеры, и тем меньше относительная флуктуация этого сигнала, которая определяет предел энергетического разрешения камеры. У полупроводниковых детекторов w ‒ средняя энергия образования пары носителей ‒ на порядок меньше, чем у газовых ионизационных камер, и на два порядка меньше, чем у сцинтилляционных счетчиков. На образование одной пары носителей независимо от вида излучения и его энергии в кремниевых детекторах w = (3,5±0,7) эВ, а в германиевых ‒ w = (2,94±0,15) эВ. Обычно w составляет» 3DЕ_з, где DЕ_з ‒ ширина запрещенной зоны.

4 Отсутствие рекомбинации и захвата носителей.

5 Большой и близкой по величине подвижностью носителей обоих знаков.

6 Большим удельным электрическим сопротивлением.

Основные недостатки полупроводниковых детекторов:

1 Сложность изготовления. Создание таких детекторов стало возможным в результате развития высокотехнологичных процессов получения особочистых веществ.

2 Многие детекторы, в частности германиевые, должны работать и храниться при низкой температуре, обычно при температуре жидкого азота.

3 Большая чувствительность к радиационным повреждениям. При работе детекторов с ионизирующим облучением, кроме полезного процесса: создания электронно-дырочных пар, проявляется много других побочных эффектов, ухудшающих свойства детектора, а при больших дозах облучения делают его непригодным к работе.

Дата добавления: 2014-01-14